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公开(公告)号：CN103227197B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310024264.6
申请日：2013-01-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/772 , H01L29/10 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/78621 , H01L29/78684
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管和形成晶体管的方法。公开的是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构的实施例及制造该结构的方法。该结构包括源极/漏极区域和在源极/漏极区域之间的沟道区域。源极/漏极区域可以包括对源极/漏极掺杂剂具有高扩散率的硅。沟道区域包括为最优化载流子迁移率和带能并且为具有低源极/漏极掺杂剂扩散率而选择的硅合金。在工艺期间，源极/漏极掺杂剂可以扩散到沟道区域的边缘部分。然而，因为硅合金向源极/漏极掺杂剂的低扩散率，掺杂剂不会深地扩散到沟道区域中。由此，硅合金沟道区域的边缘部分和源极/漏极区域可以具有基本相同的掺杂剂分布，但是与硅合金沟道区域的中心部分具有不同的掺杂剂分布。
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公开(公告)号：CN103247685A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310045924.9
申请日：2013-02-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及替代栅极鳍片结构和方法。鳍片场效应晶体管（鳍片FET）结构和制造包括硅鳍片的鳍片FET的方法，该硅鳍片包括沟道区域和在沟道区域的每个端部上形成的源极/漏极（S/D）区域，其中沟道区域的整个底表面接触下绝缘体的顶表面并且S/D区域的底表面接触下硅锗（SiGe）层的顶表面的第一部分。鳍片FET结构还包括外部S/D区域，其接触每个S/D区域的顶表面和两个侧表面以及下SiGe层的顶表面的第二部分。鳍片FET结构还包括替代栅极或者栅极叠层，其接触在沟道区域的顶表面和两个侧表面上形成的保形介质，该栅极叠层被设置在下绝缘体之上且不在下SiGe层的第一和第二部分之上，其中替代栅极与外部S/D区域通过保形介质电绝缘。
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公开(公告)号：CN103227197A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310024264.6
申请日：2013-01-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/772 , H01L29/10 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/78621 , H01L29/78684
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管和形成晶体管的方法。公开的是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构的实施例及制造该结构的方法。该结构包括源极/漏极区域和在源极/漏极区域之间的沟道区域。源极/漏极区域可以包括对源极/漏极掺杂剂具有高扩散率的硅。沟道区域包括为最优化载流子迁移率和带能并且为具有低源极/漏极掺杂剂扩散率而选择的硅合金。在工艺期间，源极/漏极掺杂剂可以扩散到沟道区域的边缘部分。然而，因为硅合金向源极/漏极掺杂剂的低扩散率，掺杂剂不会深地扩散到沟道区域中。由此，硅合金沟道区域的边缘部分和源极/漏极区域可以具有基本相同的掺杂剂分布，但是与硅合金沟道区域的中心部分具有不同的掺杂剂分布。
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公开(公告)号：CN101258592A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680026427.2
申请日：2006-06-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/84 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/84 , H01L27/0811 , H01L28/40 , H01L29/78648 , Y10T436/235 , Y10T436/25125 , Y10T436/2525 , Y10T436/25375
Abstract: 一种用于双栅极CMOS结构的制造方法和器件。所述结构包括在绝缘层(100)中的第一板(106a－d)和在所述绝缘层之上电对应所述第一板的第二板(110a－d)。隔离结构(108a－d)在所述第一板与所述第二板之间。
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公开(公告)号：CN103348481B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280006806.0
申请日：2012-01-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L21/28518 , H01L21/76895 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的半导体材料的鳍片以及形成在所述鳍片之上并与其接触的栅极电极。绝缘体层沉积在所述栅极电极和鳍片之上。然后在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口。所述沟槽开口暴露所述鳍片并且在所述鳍片之间延伸。然后通过所述沟槽开口硅化所述鳍片。之后，所述沟槽开口被与所述硅化的鳍片接触的金属填充以形成连接所述多个鳍片的局部互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104488079A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280064723.7
申请日：2012-12-24
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L29/66795
Abstract: 提供了一种用于制造finFET器件的方法。在BOX层之上形成鳍结构。所述鳍结构包括半导体层并且在第一方向上延伸。栅极叠层形成在所述鳍结构上方的所述BOX层上，并且在第二方向上延伸。所述栅极叠层包括高K电介质层和金属栅极。在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔物，并且沉积外延层以合并所述鳍结构。注入离子以形成源极区和漏极区，并且在所述栅极间隔物的侧壁上形成伪间隔物。使用所述伪间隔物作为掩膜来使外延层的暴露部分凹陷或者完全去除。硅化形成邻接所述源极区和漏极区的硅化物区，每一个所述硅化物区包括位于所述源极区或漏极区的垂直侧壁上的垂直部分。
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公开(公告)号：CN103348481A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280006806.0
申请日：2012-01-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L21/28518 , H01L21/76895 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的半导体材料的鳍片以及形成在所述鳍片之上并与其接触的栅极电极。绝缘体层沉积在所述栅极电极和鳍片之上。然后在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口。所述沟槽开口暴露所述鳍片并且在所述鳍片之间延伸。然后通过所述沟槽开口硅化所述鳍片。之后，所述沟槽开口被与所述硅化的鳍片接触的金属填充以形成连接所述多个鳍片的局部互连。
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公开(公告)号：CN101207124A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710199904.1
申请日：2007-11-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/66795
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。所述器件包括：在单晶硅衬底中形成的平面FET，所述FET包括第一沟道区域、在所述第一沟道区域的相对的侧上的第一和第二源极漏极以及栅极，所述栅极在所述沟道区域之上并通过第一栅极介质层与所述沟道区域电隔离；以及在单晶硅块上形成的鳍片FET，所述单晶硅块在所述衬底的顶上并与所述衬底电隔离，所述鳍片FET包括第二沟道区域、在所述第二沟道区域的相对的第一和第二端上的第三和第四源极漏极以及栅极，所述栅极通过第二栅极介质层与所述第二沟道区域电隔离。
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公开(公告)号：CN1971880A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610144476.8
申请日：2006-11-08
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L29/66772
Abstract: 一种用于制造旋转场效应晶体管的装置和方法。该方法包括提供衬底，所述衬底包括相互不平行的第一栅极结构和第二栅极结构。该方法还包括与所述第一栅极结构的边缘基本上垂直地进行第一离子注入，以形成第一杂质区，以及在不同于所述第一离子注入的方向且与所述第二栅极结构的边缘基本上垂直的方向进行第二离子注入，以在所述第二栅极结构的边缘下方形成第二杂质区。
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公开(公告)号：CN104488079B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280064723.7
申请日：2012-12-24
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L29/66795
Abstract: 提供了一种用于制造finFET器件的方法。在BOX层之上形成鳍结构。所述鳍结构包括半导体层并且在第一方向上延伸。栅极叠层形成在所述鳍结构上方的所述BOX层上，并且在第二方向上延伸。所述栅极叠层包括高K电介质层和金属栅极。在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔物，并且沉积外延层以合并所述鳍结构。注入离子以形成源极区和漏极区，并且在所述栅极间隔物的侧壁上形成伪间隔物。使用所述伪间隔物作为掩膜来使外延层的暴露部分凹陷或者完全去除。硅化形成邻接所述源极区和漏极区的硅化物区，每一个所述硅化物区包括位于所述源极区或漏极区的垂直侧壁上的垂直部分。
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