公开(公告)号：CN102339921B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110202946.2

申请日：2011-07-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 沟上昭典 ,  园田孝德 ,  阪田昌彦 ,  谷本佳美 ,  永森基 ,  木村大觉

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。

公开(公告)号：CN102339921A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110202946.2

申请日：2011-07-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 沟上昭典 ,  园田孝德 ,  阪田昌彦 ,  谷本佳美 ,  永森基 ,  木村大觉

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。