公开(公告)号：CN1862845A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610080349.6

申请日：2006-05-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 幡俊雄 ,  内海孝昭 ,  木村大觉

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种发光元件安装框和发光装置。在本发明的发光装置中，银合金层(1a、2a、13)形成于其上安装发光元件(4)的框架(1、2、3)的表面的至少一部分上。因为该结构，可以提供具有改善的抗蚀性等和将发射自发光元件的光高效地提取到外部的发光元件安装框架和发光装置。

公开(公告)号：CN1960015A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610136622.2

申请日：2006-10-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内海孝昭 ,  幡俊雄 ,  木村大觉

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件，其包括依次叠置在衬底上的第一导电型氮化物半导体层、有源层和第二导电型氮化物半导体层，其中位于第二导电型氮化物半导体层上方的光取出表面具有圆锥或棱锥状凸部。本发明还提供了该氮化物半导体发光元件的制造方法。

公开(公告)号：CN102339921B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110202946.2

申请日：2011-07-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 沟上昭典 ,  园田孝德 ,  阪田昌彦 ,  谷本佳美 ,  永森基 ,  木村大觉

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。

公开(公告)号：CN102339921A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110202946.2

申请日：2011-07-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 沟上昭典 ,  园田孝德 ,  阪田昌彦 ,  谷本佳美 ,  永森基 ,  木村大觉

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，该半导体发光装置包括基板、设置在基板之上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的半导体发光层、设置在半导体发光层上的p型半导体层。该半导体发光装置还包括在未暴露部分中的p型半导体层的部分上设置的绝缘膜、在未暴露部分中在未设置绝缘膜的基本整个p型半导体层上设置的第一透明导电膜以及设置在绝缘膜和第一透明导电膜上的第二透明导电膜。该半导体发光装置还包括设置在暴露部分中的n型半导体层之上且电连接到n型半导体层的n侧电极以及设置在绝缘膜之上的第二透明导电膜上且电连接到p型半导体层的p侧电极。