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公开(公告)号：CN104917178B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510283606.5
申请日：2015-05-29
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及电力电子装置控制技术领域，一种减小三电平并联型有源电力滤波器死区效应的方法，依据控制原理为电流设置四个不同的区间，通过电流所在区间的判断结果对脉冲信号进行修正，即电流在缓冲区外时，将不参与有效控制的开关管关断以彻底消除电流极性一定时的死区效应，减少开关管的通断次数，起到保护开关管和减小开关损耗的作用；电流在缓冲区内时，对可能造成直通现象中公共开关管进行适当控制，不仅可以大大降低对电流极性检测精度的要求，而且可以有效防止电流极性突变时直通现象的发生。
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公开(公告)号：CN115657186A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211304577.2
申请日：2022-10-24
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明量子光学材料技术领域，具体为一种基于光子晶体缺陷隧穿峰叠加的日盲紫外带通滤波结构，解决了背景技术中的技术问题，其采用[(H/L)N1A(H/L)N1]N2结构，H为高折射率介质层，L为低折射率介质层，A为缺陷层，高折射率介质层和低折射率介质层周期性排列而成光子晶体，N1为缺陷层两侧的光子晶体的周期；缺陷层与其两侧的光子晶体组合后形成缺陷型光子晶体，N2为缺陷型光子晶体的周期。本发明基于光子晶体结构的光子局域特性并基于多个缺陷隧穿峰叠加原理，能实现日盲紫外波段(239‑280nm)的高透射深截止滤波，通带平均透射率可达到90.71%，阻带平均透射率仅为1.47%，具有显著提高日盲紫外探测系统性能的潜力。
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公开(公告)号：CN115494676A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211043247.2
申请日：2022-08-29
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及拓扑光子学及光通信系统领域，公开了一种实现全光逻辑或门的硅基能谷光子晶体结构，包括硅基底，所述硅基底上通过三条分界线分成了四个区域；四个区域内第一圆形空气孔和第四空气孔交错分布，并在分界线处设置缺陷分别形成了INA、INB输入波导，OUT1和OUT2输出波导；本发明可以用于实现全光逻辑或门功能，实现了双输入端输入不同波长的光实现逻辑或功能，且当OUT1输出波导的输出为逻辑1时的透射率高，均在0.8以上，逻辑对比度高。
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公开(公告)号：CN113376738B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110570952.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于光量子计算及光通信系统领域，公开了一种实现光波单向传输的漏斗形光子晶体波导结构，包括硅基底，所述硅基底中心沿光入射方向设置有第一波导和第二波导，两侧分布有多个沿三角晶格排列的圆形的空气孔，所述空气孔贯穿硅基底的上下表面，所述第一波导靠近第二波导的一端设置有漏斗腔，漏斗腔出口位于硅基底中心线上，所述第二波导上中心线位置设置有点缺陷。本发明可以用于实现TM线偏振光的单向传输，在中心波长1550nm处正向透射率Tf为0.72，透射对比度C为0.9，工作带宽（C大于0.8）为111nm。本发明结构简单，满足工艺要求，可以应用于光量子芯片集成领域。
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公开(公告)号：CN113376738A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110570952.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于光量子计算及光通信系统领域，公开了一种实现光波单向传输的漏斗形光子晶体波导结构，包括硅基底，所述硅基底中心沿光入射方向设置有第一波导和第二波导，两侧分布有多个沿三角晶格排列的圆形的空气孔，所述空气孔贯穿硅基底的上下表面，所述第一波导靠近第二波导的一端设置有漏斗腔，漏斗腔出口位于硅基底中心线上，所述第二波导上中心线位置设置有点缺陷。本发明可以用于实现TM线偏振光的单向传输，在中心波长1550nm处正向透射率Tf为0.72，透射对比度C为0.9，工作带宽（C大于0.8）为111nm。本发明结构简单，满足工艺要求，可以应用于光量子芯片集成领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110109199B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910436966.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 太原理工大学
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明涉及光量子通信及量子计算领域，公开了一种实现任意线偏振光单向传输的光子晶体异质结构，包括分别设置在异质结界面两侧的二氧化硅基底和硅基底，二氧化硅基底和硅基底在同一平面上；所述二氧化硅基底内周期性填充有多个硅圆柱，形成第一光子晶体，所述硅圆柱的轴向与二氧化硅基底平面垂直；所述硅基底内周期性填充有多个二氧化硅圆柱，形成第二光子晶体，二氧化硅圆柱的轴向与硅基底平面垂直；光线从第一光子晶体一侧入射，入射方向与所述异质结界面呈45°夹角。本发明可以用于实现任意线偏振光的单向传输，透射率达到0.6以上，透射对比度0.9以上。
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公开(公告)号：CN110471141B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201910707431.4
申请日：2019-08-01
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及光量子通讯及量子计算领域，公开了一种光波单向高透射传输的复合格点光子晶体异质结构，包括以异质结界面为界的第一光子晶体结构PC和第二光子晶体结构PC，第一光子晶体PC包括二氧化硅基底，二氧化硅基底上设置有多个第一硅柱，第一硅柱沿光束入射方向呈正方形晶格状周期性排列，第一硅柱外侧设置有刻蚀形成的第一环形孔；第二光子晶体PC包括硅基底，硅基底上设置有多个第二硅柱，第二硅柱沿光束入射方向呈正方形晶格状排列，第二硅柱外侧设置有刻蚀形成的第二环形孔，第一环形孔和第二环形孔内填充物质为空气，异质结界面与光束入射方向的夹角为45°。本发明可用于实现单向高透射率光波的传输。
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公开(公告)号：CN110133800B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910436968.1
申请日：2019-05-24
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于微纳光电器件研究技术领域，提出了一种可实现宽频带单向高透射的波导型光子晶体异质结构，包括分别设置在异质结界面两侧的二氧化硅基底和锗基底，二氧化硅基底和锗基底在同一平面上；所述二氧化硅基底内周期性填充有多个锗圆柱，形成第一光子晶体，所述锗圆柱的轴向与二氧化硅基底平面垂直；所述锗基底内周期性填充有多个二氧化硅圆柱，形成第二光子晶体，二氧化硅圆柱的轴向与锗基底平面垂直；光线从第一光子晶体一侧入射，入射方向与所述异质结界面呈60°夹角。本发明在光通信中心波长1550nm处，TE偏振态下正向透射率为0.90，透射对比度为0.98。在1450nm~1650nm范围内，TE偏振态下正向透射率达0.78以上和透射对比度达0.86以上。
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公开(公告)号：CN110231680B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910413899.2
申请日：2019-05-17
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于光学器件领域，公开了一种可实现光波单向传输的光子晶体异质结构，包括二氧化硅基底，包括二氧化硅基底，所述二氧化硅基底上生长有薄硅层；所述薄硅层上以异质结界面为界，左侧刻蚀有周期性排列的多个介质硅圆柱，形成第一光子晶体结构PC1，右侧刻蚀有周期性排列的多个方形空气孔，形成第二光子晶体结构PC2；所述介质硅圆柱的高度和方形空气孔的深度等于所述薄硅层的厚度；光波从第一光子晶体结构PC1一侧入射，并与所述异质结界面与的夹角为45°。本发明易于制备、便于集成、单向高透射率，实现了高正向透射的单向传输特性，可以广泛应用于量子光学领域。
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公开(公告)号：CN110231679B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910410806.0
申请日：2019-05-17
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属于光学器件领域，公开了一种可实现光波单向传输的光子晶体异质结构，包括方形二氧化硅基底，所述二氧化硅基底上生长有薄硅层；所述薄硅层上以异质结界面为界，所述二氧化硅基底上以位于对角异质结界面为界，左侧刻蚀有周期性排列的多个介质硅圆柱，形成第一光子晶体结构PC1，右侧均匀刻蚀有周期性排列的多个椭圆空气孔，形成第二光子晶体结构PC2；所述异质结界面2与光波入射方向的夹角为45°。本发明易于制备、便于集成、单向高透射率，实现了高正向透射的单向传输特性，可以广泛应用于量子光学领域。
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