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公开(公告)号：CN114400145B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111635195.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种节约成本的中高压阳极铝箔腐蚀扩面方法，其先将将铝箔放入预处理液中，在温度为50~90℃的条件下浸泡处理；接着将铝箔放入发孔液中在温度为65~85℃的条件下进行一级直流发孔腐蚀；然后将铝箔放入含有硝酸、羟基乙叉二膦酸和咪唑啉磷酸酯的扩孔液中在温度为60~80℃的条件下进行二级直流加电扩孔腐蚀，所述二级直流扩孔腐蚀中，施加多次电流，每次施加的电流密度为50~200mA/cm2，每次施加电流的时间为100~700s；最后将铝箔放入硝酸溶液中，在温度为50~70℃的条件下浸泡50~200s。本发明在保证阳极铝箔性能品质的同时，显著降低生产成本，具有更加环保的优势。
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公开(公告)号：CN112863880A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110087548.4
申请日：2021-01-22
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
IPC: H01G9/045
Abstract: 本发明公开了一种中高压阳极铝箔腐蚀扩孔的工艺方法，其包括预处理、一级发孔腐蚀、二级发孔腐蚀、三级发孔腐蚀、后处理等步骤，先将铝箔在盐酸和硫酸的混合液中浸泡，接着在盐酸和硫酸的混合液中，施加直流电流进行一级发孔腐蚀，然后在盐酸溶液中浸泡进行二级扩孔腐蚀，再在硝酸或是盐酸溶液中，施加直流电流进行三级扩孔腐蚀，接着在硝酸溶液中浸泡一段时间后，依次用自来水和纯水清洗干净，再烘干卷收得到腐蚀箔送至后续化成工序使用。本发明方法工艺简单，不仅能有效提高腐蚀扩孔的效率，还减少含氨氨氮、磷的废水产生。
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公开(公告)号：CN108456916B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201711477367.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种中高压电子铝箔的腐蚀方法，包括将高纯铝箔进行前处理、一级发孔腐蚀、二级扩孔腐蚀和后处理四个步骤，在所述一级发孔腐蚀和二级扩孔腐蚀之间，添加中处理步骤，所述中处理步骤，是将一级发孔腐蚀后的铝箔浸入到40~75℃温度下的硝酸或盐酸溶液中反应30~200s。本发明具有可以显著减少铝箔在发孔腐蚀中残留在细小隧道孔中的硫酸根，从而提高腐蚀箔比容的优点。
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公开(公告)号：CN105977029B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610364940.8
申请日：2016-05-26
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
IPC: H01G9/055
Abstract: 本发明公开了一种控制铝箔隧道孔长度及其一致性的发孔腐蚀方法，包括预处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理，本发明主要涉及到发孔腐蚀技术。通过测试铝箔在任意的发孔腐蚀体系中的隧道孔生长动力学曲线和发孔铝箔的阳极最大钝化电流密度，根据所需的隧道孔长度，确定每次通电的腐蚀时间、最低的腐蚀电流密度和电流衰减波形，最终获得对应发孔腐蚀体系下控制隧道孔长度和一致性的通断发孔腐蚀电流波形，并用该电流波形进行通电腐蚀。本发明适用于不同的发孔腐蚀体系，并且可以在铝箔中腐蚀获得不同长度且长度一致性良好的隧道孔，同时适用于根据不同厚度的铝箔腐蚀形成合适长度的隧道孔，有效提高铝箔的静电比容。该腐蚀技术适用于多V腐蚀工艺，相对于一次性通电腐蚀技术，可以显著提高工业铝箔腐蚀生产效率。
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公开(公告)号：CN105200509B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510551002.4
申请日：2015-09-01
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种电子储能材料的清洗方法，所述电子储能材料为铝电解电容器用阳极箔，其是对经前处理、电化学发孔腐蚀、中处理、电化学扩孔腐蚀后的铝箔进行清洗处理的工艺过程，所述清洗处理包括一次清洗处理、二次清洗处理和三次清洗处理。本发明方法通过引进超声波清洗作用以及改进清洗液配方与清洗工艺，有效的提高了铝电解电容器阳极用腐蚀箔各电性能。采用本发明生产的阳极腐蚀箔静电容量比现有技术提高4.91‑5.95%，缩短了化成箔升压时间2‑10s，同时有效解决化成生产时前后卷铆接不稳的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105154952B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510549878.5
申请日：2015-09-01
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 一种超高压电子铝箔的化成方法，是将经过电解腐蚀处理后的铝箔分别进行一级化成、二级化成、三级化成和四级化成，得到900～1200V的化成铝箔，产品性能稳定，升压时间小于120s，产品漏电流小于15µA/cm2。本发明方法简便，成本低廉，适合大量制备超高压电子铝箔。
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公开(公告)号：CN105420803A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510844362.3
申请日：2015-11-27
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及铝电解电容器用阳极箔腐蚀技术领域，尤其涉及中高压阳极铝箔超声波辅助腐蚀的方法。本发明包括前处理、超声波辅助一级发孔腐蚀、二级扩孔腐蚀和后处理四个步骤，其中在一级发孔腐蚀过程中辅助以频率为20~40KHz的超声波处理。采用该方法，可以提高腐蚀箔发孔密度，隧道孔长度的一致性，腐蚀箔比容相对提高10%以上。本发明工艺简单、操作方便、能实现大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN103280329B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310199380.1
申请日：2013-05-25
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 一种中高压电子铝箔两级扩孔腐蚀的方法，包括如下步骤：中高压电子铝箔经过预处理和发孔处理后形成孔口大，孔内小的锥形隧道孔，然后采用两级扩孔腐蚀，第一级为在加入质量百分比为0.1％～5％高分子缓蚀剂的腐蚀溶液中进行阳极扩孔腐蚀，第二级为在加入质量百分比为0.01％～0.09％高分子缓蚀剂的腐蚀溶液中进行阳极扩孔腐蚀。采用本发明能够获得孔径一致性较高的隧道孔，既能够显著提高铝箔的比电容，又能够有效抑制了铝箔腐蚀减薄，提高得箔率和铝箔的折弯性能。
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公开(公告)号：CN103745830A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410029310.6
申请日：2014-01-22
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
IPC: H01G9/055
Abstract: 一种提高中高压阳极铝箔隧道孔长度一致性的两段电流波形腐蚀方法，包括如下步骤：采用两段电流波形对铝箔进行腐蚀：第一阶段采用恒流或小幅度线性衰减电流，使铝箔生成所需密度的隧道孔；第二阶段采用线性或指数型衰减电流波形，不生成新的隧道孔，使第一阶段生成的隧道孔继续生长至极限长度或接近其值。通过测试铝箔在腐蚀溶液中的隧道孔生长动力学曲线和发孔铝箔的阳极最大钝化电流密度，确定第二阶段的腐蚀时间、最低的腐蚀电流密度和电流衰减波形。采用本发明能够显著提高隧道孔长度的一致性，降低隧道孔并孔现象和腐蚀减薄，提高中高压阳极铝箔的比电容和抗折弯性能。
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公开(公告)号：CN103361692A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310302171.5
申请日：2013-07-15
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 一种中高压电子铝箔电沉积弥散锡晶核的方法，包括如下步骤：将表面没有富集电位较正元素的高纯中高压铝箔在高纯水、碱溶液、或磷酸溶液中、或硝酸进行预处理，除去表面的氧化膜，在铝箔表面形成新的含水膜；或将表面没有富集电位较正元素的高纯中高压铝箔进行电化学抛光处理，在除去铝箔表面原有氧化膜的同时在铝箔表面形成新的含水膜；或在碱溶液、或磷酸溶液、或硝酸溶液中进行预处理，除去中高压铝箔表面富集电位较正元素的合金层，在铝箔表面形成新的含水膜；然后采用快速电沉积锡技术，在铝箔表面沉积出弥散的锡晶核。采用本发明的表面电沉积弥散锡晶核的中高压电子铝箔，在电解腐蚀中可以提高隧道孔发孔的均匀性，降低铝箔的自腐蚀减薄，因而可以显著提高铝箔的比电容和抗折弯性能。
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