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公开(公告)号：CN119480459A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411325353.9
申请日：2024-09-23
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司 , 新疆广投桂东电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种光伏逆变器铝电解电容器用电极箔的化成方法，前级化成采用己二酸铵、甲酸铵、次亚磷酸盐、柠檬酸、马来酸或富马酸等两种或两种以上物质配制复合化成液，终级化成则以硼酸、壬二酸及其盐等配制复合化成液，这些复合化成液具有很高的氧化效率、同时可以抑制氧化铝表面与水反应、溶解铝箔表面水合膜羽毛状层，增强氧化膜致密性，提高氧化膜单位厚度耐电压能力，降低漏电流，提高耐水合性能等特点。化成后再经过多级去极化，制得的阳极箔氧化膜具有高电压、高耐纹波能力、长寿命特性好等的特点，能达到光伏逆变器铝电解电容器用电极箔的要求。
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公开(公告)号：CN109727775B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201811617653.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
IPC: H01G9/055
Abstract: 本发明涉及铝电解电容器用阳极铝箔腐蚀技术领域，尤其涉及中高压电解电容器特殊用箔的腐蚀方法。本发明的主要内容包括将阳极铝光箔进行前处理、双V发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理四个步骤，所述的双V发孔腐蚀为将经过前处理后的铝箔依次进入两个溶液组分不同的电解槽，进行两次发孔腐蚀，分别形成所需的长隧道孔和短隧道孔。采用该双V发孔腐蚀方法，可以在铝箔内部长短结合的隧道孔结构，从而满足一些特殊电解电容器用电极箔的需求。本方法工艺流程简单，效果良好，便于控制和工业化实施。
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公开(公告)号：CN103198925B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310153492.3
申请日：2013-04-28
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 一种控制中高压电子铝箔蚀孔分布的方法，是在铝箔表面制备一层掺入ZnO微球的Al2O3薄膜，从而引导铝箔表面均匀发孔。具体步骤包括：1）将铝箔放入碱液中进行浸泡处理；2）制备由Al2O3溶胶与ZnO微球构成的混合液；3）利用浸渍提拉法将已碱洗的铝箔浸入Al2O3溶胶与ZnO微球构成的混合液，于400～500℃进行热处理30～300s，在铝箔表面形成带有薄膜的铝箔；4）对形成有上述薄膜的铝箔进行隧道孔腐蚀。本发明可以提高铝箔发孔的均匀性，降低并孔发生的几率，从而提高铝箔的静电比容。
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公开(公告)号：CN103774205A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410004929.1
申请日：2014-01-06
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 一种中高压阳极铝箔二次纯化学侵蚀扩孔方法，先进行光箔预处理，然后进行阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔，再进行二次纯化学侵蚀扩孔，所述阳极铝箔前期电化学侵蚀发孔是在盐酸、硫酸和添加剂A的混合溶液中进行，施加在铝箔上的电流为直流电流，混合溶液含有重量百分为25～35%的硫酸，1.25～4.25%的盐酸，以及0.50～1.25‰的添加剂A，混合溶液的温度为65～78℃；所述二次纯化学侵蚀扩孔是在含有添加剂B的盐酸溶液中进行，盐酸的质量百分比为2.5～7.5%，混合溶液中添加剂质量百分比为0.05～2.5，溶液温度为70～90℃，侵蚀时间13～25分钟。本发明具有工艺、设备简单，生产制造成本低，制备的铝箔具有较高的比电容，机械强度好等多方面的优点。
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公开(公告)号：CN102995100A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210493313.6
申请日：2012-11-28
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
IPC: C25F7/00
Abstract: 一种电子铝箔腐蚀用石墨电极反向加电除杂质的装置及其控制方法，通过对石墨电极反向加电，即电源正极接石墨电极、负极通过导电辊连接铝箔，使石墨电极吸附的杂质离子脱附。槽液为0.4-1.4mol/L盐酸溶液，电流100-600A，处理时间2-10min，电解电源控制方式为稳流模式。次品腐蚀箔或已经除油污的光箔均可用于石墨电极的清洁，且可以反复使用。该方法适用于中高压电子铝箔所有电化学腐蚀槽，含一次直流电解腐蚀电解槽和二次直流电解腐蚀槽等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102915847A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210391778.0
申请日：2012-10-16
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
IPC: H01G9/055
Abstract: 一种中高压电子铝箔腐蚀预处理的方法，包括如下步骤：将铝箔置于温度为70~100℃的纯水，或含氨水，或含胺类的水溶液中进行处理，或处理后再进行适当热处理，处理后在铝箔表面生成缺陷均匀分布的水合氧化膜；发孔腐蚀时，Cl-容易通过水合氧化膜中的水和缺陷传输到铝箔表面，能够提高高压铝箔发孔的均匀性，降低发生并孔的几率，在不降低铝箔机械强度和折弯性能的前提下显著提高铝箔的比电容。
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公开(公告)号：CN102013334B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010291860.7
申请日：2010-09-26
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 一种电容器阳极铝箔腐蚀的供电方法及其装置，该供电方法是在温度为40～75℃，含有5～20wt％硝酸液、盐酸0.5～10wt％的液馈槽溶液中，施加电流密度为440～1440mA/cm2的直流电进行供电40～1000秒。该供电装置的液馈槽及液馈槽内石墨板接电源正级，一级腐蚀槽石墨板接电源负极对运行铝箔进行加电。本发明由于在铝箔完成前处理后和进入一级腐蚀之间加入了所述液馈槽，使阳极铝箔腐蚀箔静电容量得到了提高，并解决了原有供电方式存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN102013334A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010291860.7
申请日：2010-09-26
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 一种电容器阳极铝箔腐蚀的供电方法及其装置，该供电方法是在温度为40～75℃，含有5～20wt％硝酸液，盐酸0.5～10wt％的液馈槽溶液中，施加电流密度为440～1440mA/cm2的直流电进行供电40～1000秒。该供电装置的液馈槽及液馈槽内石墨板接电源正级，一级腐蚀槽石墨板接电源负极对运行铝箔进行加电。本发明由于在铝箔完成前处理后和进入一级腐蚀之间加入了所述液馈槽，使阳极铝箔腐蚀箔静电容量得到了提高，并解决了原有供电方式存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN101752095A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910114673.9
申请日：2009-12-28
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 一种腐蚀铝箔的发孔方法，包括前处理、一级腐蚀、二级腐蚀、后处理、烘干步骤。所述一级腐蚀为将前处理过的铝箔置于铝含量为0.5～1.0N/L，温度为65～90℃，总酸度为5.0～8.0N/L的盐酸和硫酸的混合液中，施加45～80秒的电流密度随时间发生变化的直流电进行电解腐蚀发孔主要有3种方式：一是随时间变化电流密度从高到低变化，二是从低到高再到低变化，三是从低到高变化。采用本发明所述电流密度随时间由大到小变化的发孔方式，在不降低铝箔机械强度的前提下比现有恒定电流密度发孔方法比容提高7～12％。
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公开(公告)号：CN101550584A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910114096.3
申请日：2009-05-23
Applicant: 广西贺州市桂东电子科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种电解电容器用阳极铝箔有支孔的腐蚀工艺，包括前处理、一级腐蚀A、二级腐蚀和后处理，与现有技术不同的是：在铝箔完成一级腐蚀A处理之后，增加了中处理和一级腐蚀B处理两个步骤。本发明的积极效果是在铝箔垂直孔的截面上，形成很多支孔，提高铝箔的静电容量，并较好的保持了铝箔的机械性能。
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