公开(公告)号：CN102365713A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080015842.4

申请日：2010-03-26

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司

Inventor： Z·雅尼弗 ,  M·杨 ,  P·B·莱克斯顿

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H05K1/092 ,  B22F3/105 ,  B22F7/04 ,  B22F2998/00 ,  B23K26/32 ,  B23K26/34 ,  B23K35/0244 ,  B23K2101/36 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  H01L21/268 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/76877 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0201 ,  H05K3/10 ,  H05K3/125 ,  H05K3/1283 ,  H05K3/4664 ,  H05K2201/062 ,  H05K2203/107 ,  Y10T29/49156 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/00

Abstract: 在基板上沉积导线以产生用于在电子元件之间导电的迹线。在基板上形成图案化金属层，并且随后在图案化金属层和基板上涂敷具有低热导率的材料层。穿过具有低热导率的材料层形成通孔，由此露出图案化金属层的多个部分。导电墨膜随后被涂敷在具有低热导率的材料层上并进入通孔以由此涂敷图案化金属层的多个部分，并且随后被烧结。涂敷在图案化金属层的部分上的导电墨膜从烧结吸收的能量不如涂敷在具有低热导率的材料层上的导电墨膜所吸收的多。具有低热导率的材料层可以是聚合物，诸如聚酰亚胺。

公开(公告)号：CN101801674A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880021733.6

申请日：2008-05-16

Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司 ,  石原药品株式会社

Inventor： 李运钧 ,  D·M·让德西尔 ,  M·杨 ,  I·帕弗洛弗斯基 ,  R·L·芬克 ,  Z·雅尼弗

IPC: B41M1/14

CPC classification number: H05K3/02 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F2999/00 ,  C22C47/04 ,  C23C18/14 ,  H01B1/026 ,  H05K1/0393 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2203/0514 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1545 ,  B22F1/0018

Abstract: 一种形成导电膜的方法，包括在基板表面上沉积含有多个铜纳米粒子的非导电膜，以及用光照射至少一部分所述膜，使经光照部分具有导电性。用光照射膜使铜纳米粒子发生光烧结或熔合。