公开(公告)号：CN103702786B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201280036601.7

申请日：2012-07-26

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 山本洋介 ,  石谷诚治 ,  岩崎敬介 ,  大杉峰子 ,  森井弘子 ,  林一之 ,  柿原康男 ,  饭田哲二

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F9/24 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B5/02

CPC classification number: H01B1/22 ,  B22F1/0018 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供适合作为能够低温烧制的导电性膏等的原料的银微颗粒以及含有该银微颗粒的导电性膏、导电性膜和电子器件。本发明的银微颗粒的特征在于，通过X射线衍射得到的米勒指数（111）和（200）的微晶直径之比[微晶直径DX（111）／微晶直径DX（200）]为1.40以上。

公开(公告)号：CN103702786A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280036601.7

申请日：2012-07-26

Applicant: 户田工业株式会社

Inventor： 山本洋介 ,  石谷诚治 ,  岩崎敬介 ,  大杉峰子 ,  森井弘子 ,  林一之 ,  柿原康男 ,  饭田哲二

IPC: B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B22F9/24 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01B5/02

CPC classification number: H01B1/22 ,  B22F1/0018 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供适合作为能够低温烧制的导电性膏等的原料的银微颗粒以及含有该银微颗粒的导电性膏、导电性膜和电子器件。本发明的银微颗粒的特征在于，通过X射线衍射得到的米勒指数（111）和（200）的微晶直径之比[微晶直径DX（111）/微晶直径DX（200）]为1.40以上。

公开(公告)号：CN102067245A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980122716.6

申请日：2009-06-30

Applicant: 户田工业株式会社 ,  富士高品印株式会社

Inventor： 柿原康男 ,  京藤伦久 ,  铃木教一

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H05K9/00

CPC classification number: H05K9/0096 ,  H01B1/22 ,  Y10S428/914 ,  Y10T428/22 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24843 ,  Y10T428/24909

Abstract: 本发明提供了一种透明导电性基材的制造方法，该制造方法不使用特别的装置即可简单地制成低阻抗、高透过率且抗龟纹性良好的透明导电性基材，并进一步地，适用于广泛的基材；以及一种具有足够的光学透明性和电磁波屏蔽性、并容易成型加工的透明导电性基材及其制造方法，以及一种透明导电性成型体。本发明将能够形成自组织化膜的金属微粒子分散溶液涂布于支持体上并干燥后，进行加热处理和/或化学处理，或者，将金属微粒子前驱体溶液涂布于支持体上并干燥后使其还原析出，使支持体上预先形成了具有低阻抗、高透过率以及良好抗龟纹性的导电性随机网络结构的透明导电性膜，之后，将基材和支持体互相贴合，将透明导电性膜直接转印到基材上，或者，通过粘接层或粘合层来转印，能够在广泛的基材上简单地制造低阻抗、高透过率、抗龟纹性良好的透明导电性基材。