公开(公告)号：CN117542919A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311493740.9

申请日：2023-11-09

Applicant: 扬州大学

Inventor： 李绿洲 ,  丁建宁 ,  王芹芹 ,  温相丽 ,  董旭 ,  江瑶瑶

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/228

Abstract: 本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；通过印刷的方式对P+区及其外周印扩散隔离材料覆盖；采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，完成全背电极接触晶硅光伏电池的图案化制备。本发明采用硼源+印扩散隔离材料+磷扩的方式将P+区、N+区和Gap区制备在一个平面上，降低了电池金属化时印刷浆料的难度，降低了硅片的碎片率。

公开(公告)号：CN116344632A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310127943.X

申请日：2023-02-17

Applicant: 扬州大学

Inventor： 王芹芹 ,  丁建宁 ,  李绿洲 ,  袁宁一 ,  董旭 ,  曹晓婷

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种POLO‑IBC钝化接触电池及其制备方法。钝化接触电池包括基体，基体的正面由内向外依次为AlOx钝化层和SiNx钝化层，背面由内向外依次为SiNx隧穿层，SiOx隧穿层，梯度掺杂III族元素多晶硅形成的p+层，SiNx隧穿层，梯度V族元素掺杂多晶硅形成的n+层，AlOx钝化层，SiNx钝化层，N/P之间的隔离带，p+finger和n+finger。本发明通过制备热稳定性较高的SiNx隧穿层和SiOx隧穿层作为空穴隧穿层，利用梯度V族元素掺杂多晶硅形成的n+层作为电子传输层，制备出了钝化性能较优的掺杂多晶硅层，可有效的改善欧姆接触，提升填充因子；同时引入热稳定性高、价带偏移小的氮化硅形成电子隧穿层，可避免掺杂元素的内扩；提升了电池的开路电压和短路电流。

公开(公告)号：CN116666479A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310719206.9

申请日：2023-06-16

Applicant: 扬州大学

Inventor： 丁建宁 ,  王芹芹 ,  李绿洲

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种双面发电的高效选择性发射极晶硅电池及其制备方法。所述电池以N/P型单晶硅片作为基体，正面依次为隧穿层，重掺杂p++/n++纳米晶化合物层，轻掺杂p+/n+纳米晶化合物层，氧化铝/氮化硅钝化层，p++/n++finger；背面依次为隧穿层，重掺杂n++/p++纳米晶化合物层，轻掺杂n+/p+纳米晶化合物层，氧化铝/氮化硅钝化层，n++/p++finger。本发明制备双面发电的高效选择性发射极晶硅电池，一方面形成正背面的全钝化接触层；可显著提升开路电压；另一方面形成选择性发射极，进一步降低了寄生光吸收。

公开(公告)号：CN116130558A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310127942.5

申请日：2023-02-17

Applicant: 扬州大学 ,  深能南京能源控股有限公司

Inventor： 王芹芹 ,  丁建宁 ,  李绿洲 ,  袁宁一 ,  包凤永 ,  曲文浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种新型全背电极钝化接触电池的制备方法及其产品。通过在背面一步低温扩散沉积的方式形成超薄隧穿氧化层，通过低压气相化学沉积的方式形成本征微晶硅层，之后利用硼浆料及磷浆料印刷在本征微晶硅层上形成选择性的硼及磷掺杂区域，省去了多晶硅绕镀去除、掩膜层生长以及高温扩散的工艺流程，避免高温扩散过程中无法控制气流的单面性而导致的绕扩，之后利用高温退火将硼及磷同时掺杂进入本征微晶硅层中，其中硼掺杂细栅图形区域形成p+层，磷掺杂细栅图形区域形成n+层。通过硅基的异位元素激活，激活p+层及n+层中掺杂元素的活性；利于电流的输送，降低载流子输运导致的复合。

公开(公告)号：CN116130558B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310127942.5

申请日：2023-02-17

Applicant: 扬州大学 ,  深能南京能源控股有限公司

Inventor： 王芹芹 ,  丁建宁 ,  李绿洲 ,  袁宁一 ,  包凤永 ,  曲文浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种新型全背电极钝化接触电池的制备方法及其产品。通过在背面一步低温扩散沉积的方式形成超薄隧穿氧化层，通过低压气相化学沉积的方式形成本征微晶硅层，之后利用硼浆料及磷浆料印刷在本征微晶硅层上形成选择性的硼及磷掺杂区域，省去了多晶硅绕镀去除、掩膜层生长以及高温扩散的工艺流程，避免高温扩散过程中无法控制气流的单面性而导致的绕扩，之后利用高温退火将硼及磷同时掺杂进入本征微晶硅层中，其中硼掺杂细栅图形区域形成p+层，磷掺杂细栅图形区域形成n+层。通过硅基的异位元素激活，激活p+层及n+层中掺杂元素的活性；利于电流的输送，降低载流子输运导致的复合。

公开(公告)号：CN117374158A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311344505.5

申请日：2023-10-17

Applicant: 扬州大学

Inventor： 李绿洲 ,  丁建宁 ,  董旭 ,  江瑶瑶 ,  王芹芹

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/225 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1：在单面抛光样品背面完成PolySi层的沉积；S2：将硼和磷的化合物混合制备溶液，并涂覆在S1完成PolySi制备的样品表面形成薄膜；S3：使用激光照射涂覆了薄膜的硅基底，诱导薄膜中不同化合物的分解，实现选择性掺杂；S4：双面钝化氧化铝和氮化硅；S5：表面钝化完成后在硅片背面进行P区与N区的金属化，依次在硅片背面印刷银浆电极和银铝浆电极，然后烧结完成电池制备。本发明通过光诱导方法实现硅基底的选择性掺杂，操作简便，低成本，掺杂深度和区域可控，有利于提高半导体太阳能电池等器件的制备效率和性能。