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公开(公告)号：CN117348137A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311338453.0
申请日：2023-10-17
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米锥阵列结构长波截止完美吸收器，各纳米锥单元包括生长在SiO2衬底上的InP锥体，InP锥体内部嵌套三层堆叠结构，由下往上依次为Si3N4矩体、Cr矩体和Au锥体。对结构参数进行优化后，波长从紫外到近红外，在吸收带200‑820nm中实现了0.979的平均吸收，并且吸收从820nm波长处的0.95急剧下降到1880nm波长处的0.1，在非吸收带1880‑4000nm波段内的平均吸收仅为0.035，其中消光比为9.78dB，消光差为0.85，截止斜率为0.234 nm‑1。
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公开(公告)号：CN114910988B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210539500.7
申请日：2022-05-17
Applicant: 扬州大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明公开了一种多重纳米方柱阵列宽带完美吸收器，在基底上依次设有锗层和硅光栅，在硅光栅上设有周期排列的铁纳米方柱阵列。在硅光栅的各行硅结构上表面，沿光栅长度方向，铁纳米方柱的高度成波浪状排列，且相邻两个铁纳米方柱高度差为dh；相邻两行硅结构上的铁纳米方柱的高度排列步调相反。本发明的完美吸收器采用的材料为成本低廉的Fe、Ge、Si，结构相对简单，并将吸收波段进一步扩大，实现了从紫外波段到近红外波段非常高的吸收。在采用理想参数情况下，实现在200nm‑2200nm波段平均96.8％的吸收率，其中490nm‑510nm达到99.96％的吸收峰值。
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公开(公告)号：CN116482788A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310458953.1
申请日：2023-04-26
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米圆结构的超表面完美截止吸收器，采用生长在二氧化硅上的纳米圆柱和圆环阵列，两组圆环结构分别选用电介质材料砷化镓和硅。优化结构参数后，波长从紫外到中红外，在吸收带100‑710nm中实现了0.913的平均吸收率，在非吸收带1260nm‑20μm波段内平均吸收仅为0.02。其中ER为9.6dB，ED为0.81，CS为0.0015nm‑1。本发明所提出的完美截止吸收体正好具备这种光谱选择性，其为设计理想的太阳热吸收器提供了一种有效的方法，这在可再生能源领域，例如太阳热光电和太阳热能应用中具有重要的应用。
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公开(公告)号：CN113325495B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110421080.8
申请日：2021-04-19
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明提供一种基于三重米氏共振的超宽带超表面完美吸收器，包括，基板，所述基板上设置有过渡层，所述过渡层上设置有若干个均布的圆孔，所述过渡层上方设置有与所述过渡层形状高度相同的第一层、第二层以及第三层，所述第一层、第二层以及第三层上均开设有与所述过渡层上圆孔位置对应的圆孔；所述过渡层、第一层以及第二层的圆孔内依次设置有第一纳米柱、第二纳米柱以及第三纳米柱；其吸收效果好，这种具有超表面结构的超宽带完美吸收体，在光伏，辐射冷却，光检测，隐身和机械操纵中具有重要的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113325495A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110421080.8
申请日：2021-04-19
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明提供一种基于三重米氏共振的超宽带超表面完美吸收器，包括，基板，所述基板上设置有过渡层，所述过渡层上设置有若干个均布的圆孔，所述过渡层上方设置有与所述过渡层形状高度相同的第一层、第二层以及第三层，所述第一层、第二层以及第三层上均开设有与所述过渡层上圆孔位置对应的圆孔；所述过渡层、第一层以及第二层的圆孔内依次设置有第一纳米柱、第二纳米柱以及第三纳米柱；其吸收效果好，这种具有超表面结构的超宽带完美吸收体，在光伏，辐射冷却，光检测，隐身和机械操纵中具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN112596143A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011427215.3
申请日：2020-12-09
Applicant: 扬州大学
IPC: G02B5/30 , G02B5/00 , G01N21/552
Abstract: 本发明涉及一种基于无尖角结构中局域表面等离子共振的超表面单层四分之一波片，在SiO2衬底基板上涂覆厚度为h的Ag层，成形为空心椭圆环阵列；所述空心椭圆环阵列中，椭圆环的内短半径为r1，内长半径为R1；椭圆环的外短半径为r2，外长半径为R2；所述空心椭圆环阵列的周期为p；其中，r1=35‑45nm，r2=110‑140nm，R1=85‑109nm，R2=136‑176nm，h=6‑10nm，p=290‑370nm。通过本发明，这为激发LSP共振和设计波片的新方法提供了一种有效的方法，并在液晶显示、光通信、传感器检测和成像方面拥有巨大的潜力。
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公开(公告)号：CN110412672A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910679913.3
申请日：2019-07-26
Applicant: 扬州大学
Abstract: 一种可见光和近红外波段的全介质角度不敏感超表面透射型长波通光学滤波器及其制备方法，属于光学技术领域，本发明在长波波段具有高透射率，在短波波段透射被高度抑制，通过Si层和MgF2层纳米柱阵列中耦合的米氏共振效应产生强反射和吸收，通过双光束干涉紫外曝光光刻和真空磁控溅射沉积镀膜，该滤波器在大入射角下依然有非常高的工作效率，其具有角度不敏感、制作容易，面积大，效率高的优点，在液晶显示器，光通信，传感器检测和成像等方面具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN118915208A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411312272.5
申请日：2024-09-20
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了光学超材料技术领域内的一种基于纳米方锥结构的超表面截止吸收器，包括生长在二氧化硅衬底上的多层纳米方锥结构，二氧化硅衬底与多层纳米方锥结构组合成装配体，多组装配体组合形成交叉阵列，所述多层纳米方锥结构由下至上分别为：下层铝方锥、中层砷化镓方锥和上层二氧化钛方锥，使得波长从近紫外到中红外（300nm‑20μm），在吸收带300‑965nm中实现了0.903的平均吸收率，并且吸收从965nm波长处的0.900急剧下降到1332nm波长处的0.101，在非吸收带1332nm‑20μm波段内平均吸收仅为0.02。其中消光比为9.13dB，消光差为0.724，截止斜率为0.0019 nm‑1；截止纳米吸收器能够在纳米尺度上实现对特定波长光的高效吸收，可用于纳米光子器件和集成光子系统中。
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公开(公告)号：CN118795581A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411263206.3
申请日：2024-09-10
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了光学超材料技术领域内的一种基于纳米圆台结构的超表面截止吸收器，包括生长在二氧化硅衬底上的薄膜，以及生长在薄膜上的圆台和圆柱，圆柱镶嵌在圆台的中心，形成装配体；多组装配体组合形成交叉阵列，本发明为滤过500nm以下波长的光以获得IPL提供了一种有效的方案，在IPL的应用中具有重要的作用。
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