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公开(公告)号：CN104854205A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380066230.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D201/00 , B05D1/38 , B05D3/10 , B05D7/24 , C09D5/00 , C09D125/00 , C09D139/04 , C09D145/00 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C08J5/18 , B05D1/005 , B05D1/322 , B05D3/0254 , C08F212/32 , C08J2325/02 , C08J2325/08 , C08J2325/14 , C08J2333/12 , C08J2339/04 , C09D139/04 , C09D145/00 , C09D153/00 , C09D201/00 , G03F7/0002 , Y10T428/24802 , C08F2220/281 , C08F2220/325 , C08F220/20 , C08F212/14 , C08F226/06 , C08F220/14 , C08F212/06
Abstract: 本发明的课题是提供一种不会与上层的自组装膜发生互混(层混合)而在自组装膜上形成垂直图案的自组装膜的下层膜。解决手段是一种自组装膜的下层膜形成用组合物，其特征在于，含有在聚合物的全部结构单元中具有0.2摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物结构单元的聚合物。所述聚合物为聚合物在全部结构单元中具有20摩尔％以上的芳香族乙烯基化合物的结构单元，且芳香族乙烯基化合物在全部结构单元中具有1摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物的结构单元的聚合物。所述芳香族乙烯基化合物包含可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，所述多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。另外，所述芳香族乙烯基化合物包含可被取代的苯乙烯、和可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。
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公开(公告)号：CN104838315A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380065075.1
申请日：2013-12-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , Y10T428/31942
Abstract: 提供具有高的干蚀刻耐性、扭曲耐性、耐热性等的用于光刻工序的抗蚀剂下层膜。光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物，所述聚合物含有式(1)的单元结构，式(1)中，A表示源于多羟基芳香族化合物的碳原子数为6～40的羟基取代亚芳基，B表示碳原子数为6～40的亚芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，X+表示H+、NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、或季铵离子，T表示氢原子、或可被卤素基、羟基、硝基、氨基、羧酸酯基、腈基、或它们组合成的取代基取代的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，B和T可与它们所结合的碳原子一起形成碳原子数为4～40的环。
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公开(公告)号：CN104185816A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201380015579.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0271 , C08G12/26 , C08G12/40 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/2059 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具有耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了含有具有下述式(1)所表示的结构单元的聚合物抗蚀剂下层膜形成用组合物。环A和环B均是苯环，n1、n2、和n3是0，R4和R6是氢原子，R5是萘基。提供了一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：在半导体基板上通过所述抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序，在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的工序，通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序，通过图案化的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，以及通过图案化的下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN104067175A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201380006128.2
申请日：2013-01-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08G12/26 , C08G16/0275 , C08G73/06 , C08G73/0627 , C09D161/26 , C09D179/04 , G03F7/094 , H01L21/3088
Abstract: 本发明提供用于形成兼有干蚀刻耐性、耐热性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。因而提供了含有具有下式(1)所表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物，优选式(1)中的R3为氢原子，n1和n2都是0。提供给了含有下述工序的半导体装置的制造方法：在半导体基板上使用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序、在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过光或电子束的照射和显影而形成抗蚀剂图案的工序、通过该抗蚀剂图案而蚀刻硬掩模的工序、通过图案化了的硬掩模而蚀刻该下层膜的工序、和通过图案化了的下层膜而加工半导体基板的工序。
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公开(公告)号：CN103635858A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280033067.4
申请日：2012-07-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08F26/12 , C08F226/06 , C08G61/124 , C08G2261/3241 , C08G2261/3325 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/30604
Abstract: 本发明的课题是提供n值高，k值低，在与含有硅的中间层组合使用的3层工艺中可以有效地降低波长193nm的光从基板反射的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法是一种在光刻工序中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述单元结构，所述单元结构包含稠杂环化合物与二环化合物的反应物。稠杂环化合物为咔唑或取代咔唑。二环化合物为二聚环戊二烯、取代二聚环戊二烯、四环［4.4.0.12,5.17,10］十二碳－3,8－二烯、或取代四环［4.4.0.12,5.17,10］十二碳－3,8－二烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106233206B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580020531.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该抗蚀剂下层膜在从上层转印图案、基板加工时能够干蚀刻，在基板加工后能够用碱性水溶液除去。解决手段为一种包含具有丙烯酰胺结构或丙烯酸酯结构的聚合物(A)、具有封端异氰酸酯结构的聚合物(B)以及溶剂(C)的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。聚合物(A)为包含下述式(1)的结构单元的聚合物。聚合物(B)为包含下述式(2)的结构单元的聚合物。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对无机硬掩模层进行蚀刻的工序；通过图案化的无机硬掩模层对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；以及通过图案化的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN106164774B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201580018433.2
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成在从上层进行图案转印、基板加工时能够进行干蚀刻，在基板加工后能够利用碱性水溶液除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有聚合物(A)、交联性化合物(B)和溶剂(C)，所述聚合物(A)含有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元，所述交联性化合物(B)具有至少2个选自封闭异氰酸酯基、羟甲基或碳原子数为1～5的烷氧基甲基中的基团，该聚合物(A)是该式(1)所示的单元结构与该式(2)所示的单元结构以摩尔百分比计为式(1)所示的单元结构:式(2)所示的单元结构＝(25～60):(75～40)的比例进行共聚而得到的聚合物。
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公开(公告)号：CN104838315B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201380065075.1
申请日：2013-12-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , Y10T428/31942
Abstract: 提供具有高的干蚀刻耐性、扭曲耐性、耐热性等的用于光刻工序的抗蚀剂下层膜。光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物，所述聚合物含有式(1)的单元结构，式(1)中，A表示源于多羟基芳香族化合物的碳原子数为6～40的羟基取代亚芳基，B表示碳原子数为6～40的亚芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，X+表示H+、NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、或季铵离子，T表示氢原子、或可被卤素基、羟基、硝基、氨基、羧酸酯基、腈基、或它们组合成的取代基取代的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，B和T可与它们所结合的碳原子一起形成碳原子数为4～40的环。
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公开(公告)号：CN104067175B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380006128.2
申请日：2013-01-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08G12/26 , C08G16/0275 , C08G73/06 , C08G73/0627 , C09D161/26 , C09D179/04 , G03F7/094 , H01L21/3088
Abstract: 本发明提供用于形成兼有干蚀刻耐性、耐热性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。因而提供了含有具有下式(1)所表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物，优选式(1)中的R3为氢原子，n1和n2都是0。提供给了含有下述工序的半导体装置的制造方法：在半导体基板上使用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序、在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过光或电子束的照射和显影而形成抗蚀剂图案的工序、通过该抗蚀剂图案而蚀刻硬掩模的工序、通过图案化了的硬掩模而蚀刻该下层膜的工序、和通过图案化了的下层膜而加工半导体基板的工序。
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公开(公告)号：CN118117019A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410284855.5
申请日：2016-09-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L33/00 , H01L31/0236 , H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 提供基板表面的粗化方法，包括：第1工序，在基板的表面上涂布含有无机粒子(a1)和有机树脂(a2)的组合物(a3)，然后进行干燥和固化，从而在该基板上形成有机树脂层(A)；第2工序，通过用含有氟化氢、过氧化氢或酸的溶液蚀刻形成了有机树脂层(A)的基板从而使该基板的表面粗化。优选蚀刻利用含有氟化氢和氟化铵、或过氧化氢和铵的溶液进行，有机树脂层(A)以相对于有机树脂(a2)100质量份无机粒子(a1)为5～50质量份的比例含有无机粒子(a1)和有机树脂(a2)，组合物(a3)使用作为无机粒子(a1)的二氧化硅或氧化钛分散在有机溶剂中而得的二氧化硅溶胶或氧化钛溶胶、与有机树脂(a2)的溶液的混合物。
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