公开(公告)号：CN109075219B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201780024438.5

申请日：2017-04-14

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  村本好史 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107 ,  G02B6/12

Abstract: 一种光波导集成光接收元件设置有光波导(105)，该光波导设置在第二接触层(102)的与设置有光吸收层(103)的一侧相反的一侧上，并且该光波导与第二接触层(102)光学耦合并具有与光吸收层(103)的平面平行的波导方向。第二接触层(102)在平面图中具有比光吸收层(103)的面积小的面积，并且设置在光吸收层(103)的内侧。

公开(公告)号：CN112236871A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980037600.6

申请日：2019-05-20

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 中岛史人 ,  山田友辉 ,  名田允洋

IPC: H01L31/0232

Abstract: 本发明包括形成在第一衬底(101)的主表面(101a)上的半导体光放大器(102)。半导体光放大器(102)的一端的端面形成第一反射部(103)，所述一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。半导体光放大器(102)的另一端的端面形成第二反射部(104)，所述另一端的端面被形成为相对于第一衬底(101)的主表面(101a)倾斜。该光接收装置还包括：第二衬底(105)，其背面(105b)结合到第一衬底(101)的背面(101b)；以及光电二极管(106)，形成在第二衬底(105)的主表面(105a)上。

公开(公告)号：CN107615495B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201680031131.3

申请日：2016-05-25

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  栗岛贤二 ,  松尾慎治 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107 ,  G02B6/12

Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。

公开(公告)号：CN107004734A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066179.3

申请日：2015-11-27

Applicant: 日本电信电话株式会社

Inventor： 名田允洋 ,  村本好史 ,  中岛史人 ,  松崎秀昭

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/035281

Abstract: 为了在不牺牲光接收灵敏度和高速度的情况下获得高线性度，雪崩光电二极管包括形成在第一光吸收层(102)上的雪崩层(103)、形成在雪崩层(103)上的n场控制层(104)以及形成在场控制层(104)上的第二光吸收层(105)。如果施加反向偏置电压，则场控制层(104)中的施主杂质离化，并且在雪崩层(103)中诱发高电场。场控制层(104)中的n型掺杂量设置为使得第二光吸收层(105)中的杂质浓度在反向偏置施加时充分耗尽。

公开(公告)号：CN103081129B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201180042210.1

申请日：2011-09-01

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤精后 ,  名田允洋 ,  村本好史 ,  横山春喜

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1075 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面、电极层的形状所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；以及从层叠方向看，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在第1台面（101）的电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102），n型电场控制层（7A）的总施主浓度比p型电场控制层（5）的总受主浓度低2×1011～1×1012/cm2的范围。

公开(公告)号：CN103081129A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042210.1

申请日：2011-09-01

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤精后 ,  名田允洋 ,  村本好史 ,  横山春喜

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1075 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面、电极层的形状所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；以及从层叠方向看，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在第1台面（101）的电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102），n型电场控制层（7A）的总施主浓度比p型电场控制层（5）的总受主浓度低2×1011～1×1012/cm2的范围。