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公开(公告)号：CN109643031B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201780052844.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 一种光调制器包括形成在包层(101)上的p型第一半导体层(102)、形成在第一半导体层(102)上的绝缘层(103)以及形成在绝缘层(103)上的n型第二半导体层(104)。第一半导体层(102)由硅或硅锗制成，且第二半导体层(104)由三种或更多种材料制成的III‑V族化合物半导体形成。
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公开(公告)号：CN107615495B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201680031131.3
申请日：2016-05-25
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107 , G02B6/12
Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。
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公开(公告)号：CN109643031A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052844.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 一种光调制器包括形成在包层(101)上的p型第一半导体层(102)、形成在第一半导体层(102)上的绝缘层(103)以及形成在绝缘层(103)上的n型第二半导体层(104)。第一半导体层(102)由硅或硅锗制成，且第二半导体层(104)由三种或更多种材料制成的III-V族化合物半导体形成。
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公开(公告)号：CN110637400B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201880032645.X
申请日：2018-05-15
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/042
Abstract: 本申请实现一种半导体光元件，该半导体光元件兼顾散热和光限制，高效地注入电流或施加电场。所述半导体光元件设有：芯层，包括活性区域(1)，该活性区域(1)包括化合物半导体；两个包层(5、6)，注入电流至所述芯层；以及第三包层(4)，构成为包含热传导率比所述芯层、所述两个包层中的任一个大，折射率比所述芯层、所述两个包层中的任一个小，带隙比所述芯层、所述两个包层中的任一个大的材料。
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公开(公告)号：CN107615495A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031131.3
申请日：2016-05-25
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107 , G02B6/12
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/02327 , H01L31/0304 , H01L31/0336 , H01L31/035272
Abstract: 根据本发明的光接收元件(10)包括：半导体层(100)，所述半导体层(100)包括p型半导体区域(101)、n型半导体区域(102)和倍增区域(103)；以及在所述倍增区域上形成的p型光吸收层(104)。所述p型半导体区域和所述n型半导体区域形成为沿所述半导体层的平面方向将所述倍增区域夹在中间。这允许通过单片制造工艺容易地实现用作雪崩光电二极管的光接收元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111758065B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201980014478.0
申请日：2019-02-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明使得在使用由基于InP的半导体构成的芯的光调制器中能够更容易地提高调制效率。根据本发明的光调制器设置有：下包层(102)，形成在衬底(101)上；芯(103)，形成在下包层(102)上；以及上包层(104)，形成在芯(103)上。芯(103)由带隙与期望波长相对应的基于InP的半导体构成。下包层(102)和上包层(104)被配置为折射率等于或小于InP的折射率。
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公开(公告)号：CN102576979B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201080038871.2
申请日：2010-09-01
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H01S5/105 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/0424 , H01S5/1042 , H01S5/50
Abstract: 本发明的目的在于提供能够防止器件特性发生劣化且能够有效地限制载流子的光子晶体器件。本发明的光子晶体器件包括规律性地排列有不同折射率的介质的光子晶体，在光子晶体中设置有包括活性层(12)和载流子限制层(13、14)的芯层区域(11)，该载流子限制层(13、14)分别设置在活性层(12)的上部和下部并且限制载流子，光子晶体由带隙相比芯层区域(11)的带隙更大的埋入生长层(15)形成。
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公开(公告)号：CN101682166B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880020819.7
申请日：2008-06-25
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/02 , H01S3/10 , H01S5/0625
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/005 , H01S5/0085 , H01S5/026 , H01S5/4087 , H01S5/50 , H04B10/516 , H04B10/541 , H04B10/548 , H04B2210/517
Abstract: 本发明提供一种其动作速度不受激光器的驰豫振荡频率限制并能够进行高速调制和远距离传输的光调制信号产生装置。所述光调制信号产生装置将来自信号源的信号转换成光信号并将该光信号输出给具有散频特性的传输介质，包括：根据来自所述信号源的信号进行频率调制并产生仅具有频率调制成分的光信号的光源(102)；以及将所述光信号的频率调制成分转换成强度调制成分和频率调制成分的滤频器(103)。
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公开(公告)号：CN102576979A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080038871.2
申请日：2010-09-01
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: H01S5/105 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/0424 , H01S5/1042 , H01S5/50
Abstract: 本发明的目的在于提供能够防止器件特性发生劣化且能够有效地限制载流子的光子晶体器件。本发明的光子晶体器件包括规律性地排列有不同折射率的介质的光子晶体，在光子晶体中设置有包括活性层(12)和载流子限制层(13、14)的芯层区域(11)，该载流子限制层(13、14)分别设置在活性层(12)的上部和下部并且限制载流子，光子晶体由带隙相比芯层区域(11)的带隙更大的埋入生长层(15)形成。
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公开(公告)号：CN111758065A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201980014478.0
申请日：2019-02-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明使得在使用由基于InP的半导体构成的芯的光调制器中能够更容易地提高调制效率。根据本发明的光调制器设置有：下包层(102)，形成在衬底(101)上；芯(103)，形成在下包层(102)上；以及上包层(104)，形成在芯(103)上。芯(103)由带隙与期望波长相对应的基于InP的半导体构成。下包层(102)和上包层(104)被配置为折射率等于或小于InP的折射率。
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