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公开(公告)号:CN114450861A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN201980100790.1
申请日:2019-09-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 在本公开中示出一种新型构成,其在集成化了SOA的EADFB激光器中,保持发挥能使用相同层构造来简化制造工序的特征,并解决或者减轻光波形品质的劣化。集成化了SOA的EADFB激光器能作为光发射器使用。在本公开的光发射器中,采用在SOA的波导的至少一部分拥有锥形构造的波导构造。在SOA区域中,使波导宽度变窄,使载流子的消耗量在整个光波导方向上均匀化。通过使波导宽度(台面宽度)沿着SOA中的光波导方向连续变窄来降低光限制系数,即使在由于在SOA内的光放大而导致越靠近出射端总光功率越增大的情况下,也使分布于活性层区域内的光功率固定化。
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公开(公告)号:CN111033918B
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN201880050160.3
申请日:2018-09-12
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/0683
Abstract: 使单片集成有DFB激光器、EA调制部以及SOA的半导体光学集成元件的输出光强度保持固定。半导体光学集成元件在同一基板上具有:DFB激光器;EA调制器,连接于DFB激光器;SOA,与DFB激光器和EA调制器单片集成于同一基板上,连接于EA调制器的出射端;以及受光器,配置于SOA的出射端侧,具有与SOA相同的组成,对受光器施加正向偏置电压或正向偏置电流,受光器构成为对向DFB激光器和SOA的驱动电流进行反馈控制,监控与向该受光器的输入光强度相应的检测值的变化。
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公开(公告)号:CN113316740A
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN202080009448.3
申请日:2020-01-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 一个目的是解决由高频线和端接电阻之间的阻抗失配引起的光调制器的高频特性的劣化。半导体马赫‑曾德尔光调制器包括输入侧引出线(20~23)、相位调制电极线(24~27)、输出侧引出线(28~31)、将通过相位调制电极线(24~27)传播的调制信号施加到各个波导(16~19)的电极(32~35),以及接地线(48~50)。此外,在衬底和输出侧引出线(28~31)下方的下层中的介电层之间,沿输出侧引出线(28~31)间断地形成至少一个n型半导体层或p型半导体层。
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公开(公告)号:CN107430293A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680017807.3
申请日:2016-03-23
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种高频特性提高的高频传输线路等。高频传输线路具备:第一导体线路;终端电阻,与第一导体线路连接;第二导体线路,与终端电阻连接;以及接地线路,相对于第一导体线路、终端电阻以及第二导体线路,隔开规定的距离对置配置,并且与第二导体线路连接,第一导体线路以及接地线路分别形成为线路宽度朝向终端电阻侧变窄。
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