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公开(公告)号：CN113366715A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011532.9
申请日：2020-01-24
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/02315 , H01S5/026 , H04B10/50
Abstract: 本发明提供一种光发射器，其能够在使光发射器的模块的子载体尺寸小型化的同时，显著抑制由内部的导线长度的制作误差引起的频率响应特性的变动。该光发射器的特征在于，具备：子载体，搭载RF布线板、调制激光器芯片以及终端电阻体，在上表面具有接地焊盘；以及导线，用于至少将所述RF布线板与所述调制激光器芯片电连接，在所述子载体的宽度方向上配置有所述RF布线板和所述调制激光器芯片，位于从所述RF布线板经由所述终端电阻体直至到达所述接地焊盘的电路径上的所述导线的长度为0.5～1.5mm，或者所述导线具有的电感为0.4～1.2nH。
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公开(公告)号：CN118696472A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021543.9
申请日：2023-02-14
Applicant: 日本电信电话株式会社 , NTT创新器件有限公司
IPC: H01S5/0239 , H01S5/026 , H01S5/0683 , H01S5/50
Abstract: 提供一种搭载有SOA的EA－DFB激光器组件，其能够小型化和防止由于导线间的串扰而引起的频带劣化。本公开的光发射器是使用了EA－DFB激光器组件的光发射器，具备：RF线路，供给电信号；EA－DFB激光器芯片，其是将电信号转化为光信号的EA－DFB激光器芯片，具备振荡出作为射出的信号光的源头的激光的LD、对激光进行强度调制的EA调制器、对经强度调制的信号光进行放大的SOA以及对激光和信号光进行引导的波导；第一平行平板型电容器，用于去除供给至LD的电流的噪声；第二平行平板型电容器，用于去除供给至SOA的电流的噪声；以及多根导线，将各元件间电连接，第二平行平板型电容器配置于与SOA和所述RF线路邻接的位置。
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公开(公告)号：CN119234363A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202280096204.2
申请日：2022-05-31
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 提供一种制造稳定性和反射抑制效果高的光发射器。光发射器在一个基板上单片集成有如下构件：分布反馈型(DFB)激光器，具有由通过电流注入产生光增益的多量子阱形成的活性区域和衍射光栅；电场吸收型(EA)调制器，具有由与DFB激光器不同组成的多量子阱形成的吸收区域；半导体放大器(SOA)，具有与DFB激光器相同组成的活性区域；弯曲波导，使光的传输方向旋转角度θwg；以及无源波导，连接于SOA，且具备具有比DFB激光器的振荡波长短的带隙波长的芯。无源波导包括锥形区域和窄波导区域。锥形区域构成为将连接于SOA的无源波导的宽度W1转换为窄波导区域的宽度W2，无源波导与基板的端面的法线成角度θwg，且与基板的端面相接。
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公开(公告)号：CN113366715B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202080011532.9
申请日：2020-01-24
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/02315 , H01S5/026 , H04B10/50
Abstract: 本发明提供一种光发射器，其能够在使光发射器的模块的子载体尺寸小型化的同时，显著抑制由内部的导线长度的制作误差引起的频率响应特性的变动。该光发射器的特征在于，具备：子载体，搭载RF布线板、调制激光器芯片以及终端电阻体，在上表面具有接地焊盘；以及导线，用于至少将所述RF布线板与所述调制激光器芯片电连接，在所述子载体的宽度方向上配置有所述RF布线板和所述调制激光器芯片，位于从所述RF布线板经由所述终端电阻体直至到达所述接地焊盘的电路径上的所述导线的长度为0.5～1.5mm，或者所述导线具有的电感为0.4～1.2nH。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107430293B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201680017807.3
申请日：2016-03-23
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种高频特性提高的高频传输线路等。高频传输线路具备：第一导体线路；终端电阻，与第一导体线路连接；第二导体线路，与终端电阻连接；以及接地线路，相对于第一导体线路、终端电阻以及第二导体线路，隔开规定的距离对置配置，并且与第二导体线路连接，第一导体线路以及接地线路分别形成为线路宽度朝向终端电阻侧变窄。
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公开(公告)号：CN111033918A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880050160.3
申请日：2018-09-12
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01S5/0683
Abstract: 使单片集成有DFB激光器、EA调制部以及SOA的半导体光学集成元件的输出光强度保持固定。半导体光学集成元件在同一基板上具有：DFB激光器；EA调制器，连接于DFB激光器；SOA，与DFB激光器和EA调制器单片集成于同一基板上，连接于EA调制器的出射端；以及受光器，配置于SOA的出射端侧，具有与SOA相同的组成，对受光器施加正向偏置电压或正向偏置电流，受光器构成为对向DFB激光器和SOA的驱动电流进行反馈控制，监控与向该受光器的输入光强度相应的检测值的变化。
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公开(公告)号：CN113316740B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202080009448.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 一个目的是解决由高频线和端接电阻之间的阻抗失配引起的光调制器的高频特性的劣化。半导体马赫‑曾德尔光调制器包括输入侧引出线(20～23)、相位调制电极线(24～27)、输出侧引出线(28～31)、将通过相位调制电极线(24～27)传播的调制信号施加到各个波导(16～19)的电极(32～35)，以及接地线(48～50)。此外，在衬底和输出侧引出线(28～31)下方的下层中的介电层之间，沿输出侧引出线(28～31)间断地形成至少一个n型半导体层或p型半导体层。
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公开(公告)号：CN113424100B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980092048.0
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 沿波导(16‑19)形成半导体马赫‑曾德光学调制器的相位调制电极线(24‑27)。输出侧引线(28至31)连接到终端电阻(51至54)，并且在与波导(16至19)在电介质层平面内延伸的方向交叉的方向上弯曲。输出侧引线(28‑31)以对应于期望的阻抗的恒定宽度形成，并且仅在其弯曲部分和其与波导(16‑19)交叉的部分中比恒定宽度窄。
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公开(公告)号：CN113424100A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201980092048.0
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 沿波导(16‑19)形成半导体马赫‑曾德光学调制器的相位调制电极线(24‑27)。输出侧引线(28至31)连接到终端电阻(51至54)，并且在与波导(16至19)在电介质层平面内延伸的方向交叉的方向上弯曲。输出侧引线(28‑31)以对应于期望的阻抗的恒定宽度形成，并且仅在其弯曲部分和其与波导(16‑19)交叉的部分中比恒定宽度窄。
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