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公开(公告)号：CN104722925A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510027731.X
申请日：2012-05-14
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: B32B17/10155 , B23K26/083 , B23K26/40 , B23K2103/16 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D1/221 , B29C67/0044 , B32B17/10036 , B32B17/10293 , B32B17/10706 , B32B17/10743 , B32B17/1099 , B32B37/14 , B32B2250/40 , B32B2315/08 , B32B2457/12 , B32B2457/20 , B32B2457/208 , C03B33/04 , C03B33/074 , C03B33/076 , C03B33/091 , G02F1/133351 , Y10T156/1052 , Y10T156/1082 , Y10T428/24322 , Y10T428/24488 , B32B17/10 , B32B2369/00 , B23K26/38
Abstract: 本发明提供一种层叠体，其是在树脂板(2)的两面分别层叠玻璃板(4)进行一体化而成的层叠体(1)，其中，玻璃板(4)的厚度为300μm以下，并且对玻璃板(4)的端面(4a)实施了倒角加工。
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公开(公告)号：CN111356665B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201880074680.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 日本电气硝子株式会社 , 国立大学法人山形大学
IPC: C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/56
Abstract: 本发明提供一种即使以卷绕体的形态进行制造和使用时也不易发生破损的带透明导电膜的玻璃片材。该带透明导电膜的玻璃片材(1)具有玻璃片材(2)和设置于玻璃片材(2)的主面(2a)上的非晶质的透明导电膜(3)。
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公开(公告)号：CN111356665A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074680.8
申请日：2018-11-06
Applicant: 日本电气硝子株式会社 , 国立大学法人山形大学
IPC: C03C17/245 , C23C14/08 , C23C14/56
Abstract: 本发明提供一种即使以卷绕体的形态进行制造和使用时也不易发生破损的带透明导电膜的玻璃片材。该带透明导电膜的玻璃片材(1)具有玻璃片材(2)和设置于玻璃片材(2)的主面(2a)上的非晶质的透明导电膜(3)。
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公开(公告)号：CN105307992B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480031453.9
申请日：2014-08-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03B33/03 , B28D5/00 , B65H23/025 , B65H23/26
CPC classification number: C03B23/02 , B65H2301/5124 , B65H2601/254 , B65H2801/61 , C03B33/0235 , C03B33/033 , C03B33/091 , C03B35/16 , Y02P40/57
Abstract: 一种玻璃膜带制造装置(1)，具备：沿横向搬运玻璃膜带(G)的横向搬运部(4)；和配设在横向搬运部(4)的搬运路径上且沿在长度方向上延伸的切割预定线对所述玻璃膜带(G)进行切割的切割部(5)，横向搬运部(4)上配设有折皱拉伸机构(14)，该折皱拉伸机构(14)在由切割部(5)对玻璃膜带(G)进行切割之前对玻璃膜带(G)上产生的折皱进行拉伸。
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公开(公告)号：CN107382048A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710767435.2
申请日：2014-08-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03B33/09
Abstract: 一种玻璃膜带制造装置(1)，具备：沿横向搬运玻璃膜带(G)的横向搬运部(4)；和配设在横向搬运部(4)的搬运路径上且沿在长度方向上延伸的切割预定线对所述玻璃膜带(G)进行切割的切割部(5)，横向搬运部(4)上配设有折皱拉伸机构(14)，该折皱拉伸机构(14)在由切割部(5)对玻璃膜带(G)进行切割之前对玻璃膜带(G)上产生的折皱进行拉伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104395071B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201380032237.1
申请日：2013-07-04
Applicant: 日本电气硝子株式会社
CPC classification number: B32B17/10036 , B32B7/12 , B32B17/10018 , B32B17/10678 , B32B17/10743 , B32B17/10752 , B32B17/1077 , B32B27/08 , B32B2307/412 , B32B2307/712 , B32B2333/08 , B32B2369/00 , B32B2457/20 , Y10T428/266 , Y10T428/269 , Y10T428/31507 , B32B17/10
Abstract: 一种玻璃树脂层叠体(1)，其包含由玻璃片(2)构成的层、由树脂层(3)构成的层、以及将玻璃片(2)和树脂层(3)粘接的粘接层(4)，具有至少3层以上的层叠结构，粘接层(4)至少在430nm～680mn的波长区域中的光谱透射率为90％以上。
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公开(公告)号：CN105307992A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480031453.9
申请日：2014-08-22
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03B33/03 , B28D5/00 , B65H23/025 , B65H23/26
CPC classification number: C03B23/02 , B65H2301/5124 , B65H2601/254 , B65H2801/61 , C03B33/0235 , C03B33/033 , C03B33/091 , C03B35/16 , Y02P40/57
Abstract: 一种玻璃膜带制造装置(1)，具备：沿横向搬运玻璃膜带(G)的横向搬运部(4)；和配设在横向搬运部(4)的搬运路径上且沿在长度方向上延伸的切割预定线对所述玻璃膜带(G)进行切割的切割部(5)，横向搬运部(4)上配设有折皱拉伸机构(14)，该折皱拉伸机构(14)在由切割部(5)对玻璃膜带(G)进行切割之前对玻璃膜带(G)上产生的折皱进行拉伸。
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公开(公告)号：CN102176412B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110006524.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。
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公开(公告)号：CN102176412A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110006524.8
申请日：2008-10-28
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。
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公开(公告)号：CN101636819A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008599.6
申请日：2008-10-28
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: H01L21/223
CPC classification number: H01L21/2225
Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B 2 O 3 挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO 2 为20～50摩尔％、Al 2 O 3 为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B 2 O 3 为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO 2 为30～60摩尔％、Al 2 O 3 为10～30摩尔％、B 2 O 3 为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO 2 为8～30摩尔％、Al 2 O 3 为50～85摩尔％、B 2 O 3 为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。
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