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    半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料
    1.
    发明授权
    半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料 有权

    公开(公告)号：CN102741185B

    公开(公告)日：2015-11-25

    申请号：CN201180007607.7

    申请日：2011-01-19

    Applicant: 日本电气硝子株式会社

    Inventor： 西川欣克

    IPC: C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20 ,  H01L21/316

    CPC classification number: C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20

    Abstract: 本发明的目的在于，提供一种环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大的半导体覆盖用玻璃。本发明的半导体覆盖用玻璃的特征在于，为下述（1）或（2）中的任一种。下述（2）的半导体覆盖用玻璃，环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大，且化学耐久性优异。（1）以质量%计，含有ZnO 50～65%、B2O3 19～28%、SiO2 7～15%、Al2O3 3～12%、Bi2O3 0.1～5%的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃；（2）以质量%计，含有ZnO 40～60%、B2O35～25%、SiO2 15～35%、Al2O3 3～12%的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃。

    半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料
    2.
    发明公开
    半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料 有权

    公开(公告)号：CN102741185A

    公开(公告)日：2012-10-17

    申请号：CN201180007607.7

    申请日：2011-01-19

    Applicant: 日本电气硝子株式会社

    Inventor： 西川欣克

    IPC: C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20 ,  H01L21/316

    CPC classification number: C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20

    Abstract: 本发明的目的在于，提供一种环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大的半导体覆盖用玻璃。本发明的半导体覆盖用玻璃的特征在于，为下述（1）或（2）中的任一种。下述（2）的半导体覆盖用玻璃，环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大，且化学耐久性优异。（1）以质量%计，含有ZnO 50～65%、B2O3 19～28%、SiO2 7～15%、Al2O3 3～12%、Bi2O3 0.1～5%的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃；（2）以质量%计，含有ZnO 40～60%、B2O35～25%、SiO2 15～35%、Al2O3 3～12%的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃。

    半导体元件包覆用玻璃
    3.
    发明公开
    半导体元件包覆用玻璃 无效

    公开(公告)号：CN103748049A

    公开(公告)日：2014-04-23

    申请号：CN201280040871.5

    申请日：2012-08-14

    Applicant: 日本电气硝子株式会社

    Inventor： 西川欣克

    IPC: C03C8/04 ,  C03C8/14

    CPC classification number: C03C8/04 ,  C03C3/066 ,  C03C3/068 ,  C03C8/24

    Abstract: 本发明涉及一种对环境的负荷小、化学耐久性优异且表面电荷密度低、特别适用于包覆低耐压用半导体元件的玻璃，其特征在于，作为玻璃组成，以质量%计，含有ZnO52～65%、B2O35～20%、SiO215～35%和Al2O33～6%，并且实质上不含铅成分，且优选为作为组成还含有Ta2O50～5%、MnO20～5%、Nb2O50～5%、CeO20～3%及Sb2O3。

    密封材料
    5.
    发明授权
    密封材料 有权

    公开(公告)号：CN108463442B

    公开(公告)日：2021-01-12

    申请号：CN201780006250.8

    申请日：2017-01-05

    Applicant: 日本电气硝子株式会社

    Inventor： 西川欣克 ,  广濑将行

    IPC: C03C8/24 ,  C03C8/22 ,  H01R9/16

    Abstract: 本发明的密封材料用于密封金属材料，其特征在于，含有由碱硅酸盐玻璃形成的玻璃粉末70～100质量％和陶瓷粉末0～30质量％，30～380℃的温度范围内的线热膨胀系数大于100×10‑7/℃且为170×10‑7/℃以下。

    掺杂剂源及其制造方法
    6.
    发明授权
    掺杂剂源及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101636819B

    公开(公告)日：2011-08-31

    申请号：CN200880008599.6

    申请日：2008-10-28

    Applicant: 日本电气硝子株式会社

    Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

    IPC: H01L21/223

    CPC classification number: H01L21/2225

    Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

    半导体元件覆盖用玻璃
    8.
    发明公开
    半导体元件覆盖用玻璃 无效

    公开(公告)号：CN107635939A

    公开(公告)日：2018-01-26

    申请号：CN201680032074.0

    申请日：2016-05-24

    Applicant: 日本电气硝子株式会社

    Inventor： 西川欣克

    IPC: C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  H01L21/316

    Abstract: 提供一种将其覆盖到半导体元件上时能够抑制半导体元件的翘曲的半导体元件覆盖用玻璃。该半导体元件覆盖用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以质量％计含有：ZnO 52～68％、B2O3 5～30％、SiO212.5～25％(其中，不包含12.5％)、Al2O3 0～3％(其中，不包含3％)和RO 0～6％(R是从Mg、Ca、Sr和Ba中选出的至少一种)，并且，实质上不含有碱金属成分、铅成分。

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