公开(公告)号：CN101421198A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780013411.2

申请日：2007-04-09

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 池边胜 ,  日方元

IPC: C03C4/08 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  G02F1/13357 ,  H01J61/30

Abstract: 本发明提供一种能够遮蔽313nm等长波长侧的紫外线、并且不易生成TiO2系结晶、也不易发生分相的照明用玻璃，以及使用该照明用玻璃的荧光灯用外套容器。另外，本发明还提供制造上述荧光灯用外套容器的方法。其特征在于，以质量百分率计，含有SiO250～78％、B2O312.2～25％、Al2O31.4～11％、Li2O 0～5％、Na2O 0～6％、K2O 0～8％、Li2O+Na2O+K2O 3～8％、MgO 0～10％、CaO 0～10％、SrO 0～20％、BaO 0～20％、ZnO 0～15％、TiO22.1～3.7％、Fe2O30～0.05％、ZrO20～10％、As2O3+Sb2O30～5％，并且TiO2/Al2O3在0.2～2.6的范围。

公开(公告)号：CN101432237A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780014778.6

申请日：2007-04-09

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 池边胜 ,  日方元

IPC: C03C4/08 ,  C03C3/095 ,  C03C3/11 ,  G02F1/13357 ,  H01J61/30

Abstract: 本发明提供一种含有CeO2、能够有效遮蔽313nm的紫外线、而且透明度高的照明用玻璃和使用该照明用玻璃的荧光灯用外套容器。本发明的目的还在于提供一种制造上述荧光灯用外套容器的方法。其特征在于，以质量百分率计，含有SiO255～75％、B2O311～25％、Al2O30～10％、Li2O+Na2O+K2O 3～13％、MgO 0～30％、CaO 0～30％、SrO 0～30％、BaO 0～30％、ZnO 0～30％、CeO20.3～10％、SnO20.2～10％、TiO20～小于0.3％、Cl20～0.4％。

公开(公告)号：CN101636819B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200880008599.6

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2225

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN102176412B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN102176412A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110006524.8

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/22 ,  C03C12/00

CPC classification number: C03B19/06 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C10/0054 ,  C03C12/00 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN101636819A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008599.6

申请日：2008-10-28

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 马屋原芳夫 ,  铃木良太 ,  西川欣克 ,  池边胜 ,  森弘树 ,  长谷川义德

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2225

Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B 2 O 3 挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO 2 为20～50摩尔％、Al 2 O 3 为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B 2 O 3 为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO 2 为30～60摩尔％、Al 2 O 3 为10～30摩尔％、B 2 O 3 为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO 2 为8～30摩尔％、Al 2 O 3 为50～85摩尔％、B 2 O 3 为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN101331091A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047475.X

申请日：2006-12-07

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 池边胜 ,  日方元

IPC: C03C4/08 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  H01J61/30

CPC classification number: H01J61/302 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C4/085

Abstract: 本发明提供一种照明用玻璃，其能够遮蔽313nm等长波长侧的紫外线，并且难于生成TiO2系的结晶、难于发生分相。该照明用玻璃，其特征在于：以质量百分率计，含有SiO250～75％、B2O312～25％、Al2O30～小于3.2％、Li2O 0～小于0.5％、Na2O 0～7％、K2O 3～15％、Li2O+Na2O+K2O 6～15％、Al2O3+Li2O 0～3.2％、BaO 0～20％、ZnO 0～15％、TiO22.5～4.9％、As2O3+Sb2O30～5％，30～380℃的热膨胀系数为45～58×10－7/℃。

公开(公告)号：CN1938238A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010557.2

申请日：2005-03-24

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 日方元 ,  池边胜

IPC: C03C4/08 ,  C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  H01J61/30

Abstract: 本发明提供一种照明用玻璃，其能够屏蔽313nm等长波长侧的紫外线，并且透明性高。其特征在于：以质量百分率计，含有：SiO250～78％，B2O311～25％，Al2O30～10％，Li2O+Na2O+K2O 3～20％，MgO0～10％，CaO 0～10％，SrO 0～20％，BaO 0～20％，ZnO 0～15％，TiO22.6～9％，As2O3+Sb2O30.001～5％。