公开(公告)号：CN102822102B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180015636.8

申请日：2011-03-22

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 川口贵弘 ,  藤原克利 ,  加藤嘉成 ,  飨场久敏

IPC: C03B17/06 ,  C03C3/091

CPC classification number: C03C3/091 ,  C03B17/067 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够满足形成薄膜电路的基板所要求的品质的100μm以下的玻璃基板的制造方法和通过该方法得到的薄板玻璃基板。本发明的方法为用于制造板厚为10～200μm的玻璃基板的方法，包括通过下拉法将熔融玻璃成型为带状的成型工序；对玻璃带进行退火的退火工序；和将玻璃带切断的切断工序，其特征在于，将（退火点＋200℃）～（退火点＋50℃）的温度范围内的平均冷却速度调节为300～2500℃/分钟的范围。

公开(公告)号：CN102822102A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180015636.8

申请日：2011-03-22

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 川口贵弘 ,  藤原克利 ,  加藤嘉成 ,  飨场久敏

IPC: C03B17/06 ,  C03C3/091

CPC classification number: C03C3/091 ,  C03B17/067 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够满足形成薄膜电路的基板所要求的品质的100μm以下的玻璃基板的制造方法和通过该方法得到的薄板玻璃基板。本发明的方法为用于制造板厚为10～200μm的玻璃基板的方法，包括通过下拉法将熔融玻璃成型为带状的成型工序；对玻璃带进行退火的退火工序；和将玻璃带切断的切断工序，其特征在于，将（退火点＋200℃）～（退火点＋50℃）的温度范围内的平均冷却速度调节为300～2500℃/分钟的范围。

公开(公告)号：CN102341214A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010281.9

申请日：2010-03-08

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 下津浩一 ,  中津广之 ,  三成泰纪 ,  高桥祐之 ,  江田道治 ,  飨场久敏

IPC: B24B9/00 ,  C03C19/00 ,  G02F1/1333 ,  H01J9/24 ,  H01J17/16

Abstract: 在具有表面(2a)和背面(2b)以及存在于这两面(2a、2b)的外周端的相互之间的端面(3b)的玻璃基板(1)中，在表面(2a)和背面(2b)中至少一方的面与端面(3b)之间的边界部形成有倒角面(4)，倒角面(4)的十点平均粗糙度Rz2小于端面(3b)的十点平均粗糙度Rz1，且倒角面(4)的粗糙度曲线要素的平均长度RSm2大于端面的粗糙度曲线要素的平均长度RSm1。优选，倒角面(4)的十点平均粗糙度Rz2及端面(3b)的十点平均粗糙度Rz1满足Rz21.5μm且1.5≤Rz1/Rz2≤10.0的关系。