-
-
公开(公告)号：CN100477040C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN01813975.2
申请日：2001-08-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 含有选自铬、钼、钨、硼、铝、镓、铟、铊、铈、钕、钛、铼、钌、铑、钯、银、锌、硅、锗、锡、磷、砷、铋、铷、铯、镁、锶、钡、钪、钇、镧、镨、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、铪、钒、锇、铱、铂、金、镉、汞、铅、硒和碲中的至少一种元素的铌粉、该铌粉的烧结体、以及该烧结体作为一电极，和在上述烧结体表面形成的电介质，和设在上述电介质上的另一电极构成的电容器。
-
公开(公告)号：CN101066560A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710109140.2
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供(1)一种用于电容器的铌粉，其振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒度为10～1000微米，休止角为10°～60°，BET比表面积为0.5～40m2/g并且在孔径分布中有多个孔径峰值，及其制备方法；(2)一种铌烧结体，其通过烧结上述铌粉而获得，其在0.01～500微米范围内有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值中具有最高相对强度的两个峰值分别在0.2～0.7微米范围内和0.7～3微米范围内，及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；和(4)使用上述电容器的电子电路和电子器件。
-
公开(公告)号：CN1478287A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN01819611.X
申请日：2001-11-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01G9/052
CPC classification number: C22C1/045 , B22F2998/00 , B22F1/0096
Abstract: 一种用于电容器的粉末，含有0.01－15原子％锆且主要包含平均粒径为0.2－05μm的铌和/或钽；它们的烧结体；一种由作为一侧电极的该烧结体、在该烧结体表面形成的介电材料、以及在介电材料上提供的另一侧电极制造的电容器。由本发明用于电容器的粉末烧结体制造的电容器具有大单位质量电容和良好的电流泄漏特性。
-
公开(公告)号：CN1446364A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN01813975.2
申请日：2001-08-09
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 含有选自铬、钼、钨、硼、铝、镓、铟、铊、铈、钕、钛、铼、钌、铑、钯、银、锌、硅、锗、锡、磷、砷、铋、铷、铯、镁、锶、钡、钪、钇、镧、镨、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、铪、钒、锇、铱、铂、金、镉、汞、铅、硒和碲中的至少一种元素的铌粉、该铌粉的烧结体、以及该烧结体作为一电极，和在上述烧结体表面形成的电介质，和设在上述电介质上的另一电极构成的电容器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1879181B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200480033081.X
申请日：2004-11-09
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , B22F1/02 , B22F7/004 , B22F2998/10 , C04B35/495 , C04B35/6265 , C04B35/6268 , C04B35/628 , C04B35/62836 , C04B35/62897 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/404 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , H01G9/0032 , H01G9/052 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T428/12181 , B22F9/16 , B22F1/0003 , B22F9/04 , B22F3/1121
Abstract: 本发明涉及包含铌层和氮化硅与铌的混合层的用于电容器的铌粉，该混合层处于粉粒表面的附近；其成粒铌粉；使用铌粉和成粒粉末的铌烧结体；和使用该烧结体作为一个电极的电容器。本发明的用于电容器的铌粉能够制造具有高电容、低泄漏电流、低ESR和良好的tgδ特性并特别具有优异的击穿电压和耐焊接热性能的铌电容器。
-
公开(公告)号：CN101510468A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910126633.6
申请日：2002-04-10
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种铌电容器的制备方法，包括在铌烧结体表面形成氧化物膜，在氧化物膜上形成有机半导体层，在有机半导体层上形成导电层，和外壳成型的步骤，其中将表面形成有氧化物膜、氧化物膜上形成有有机半导体层且在有机半导体层上形成有导电层的烧结体在用树脂进行外壳成型之前置于100至300℃中处理。
-
公开(公告)号：CN100487838C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN02824689.6
申请日：2002-12-10
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及作为合金组分含有0.01至10原子%的至少一种选自元素周期表第2到16族元素的元素、并且还含有0.1至70质量%的一氮化二铌结晶的用于电容器的铌合金、其中铌合金粉末的平均颗粒度为0.05到5μm并且BET比表面积为0.5到40m2/g，平均颗粒度为10到500μm的铌颗粒状产品，铌合金粉末或其颗粒状产品的烧结体，是用烧结体的电容器及其制造方法。使用本发明的铌合金粉末或其颗粒状产品的铌电容器具有高容量和低泄漏电流，并具有优异的高温特性和耐热特性。
-
公开(公告)号：CN100383900C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN02801681.5
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供(1)由式：NbOx(x＝0.8～1.2)表示，并可含有50～200，000ppm的其他元素，振实密度为0.5～2.5g/ml，平均粒径为10～1000μm，休止角为10～60度，BET比表面积为0.5～40m2/g，孔径分布具有多个孔径峰值的电容器用一氧化铌粉及其制造方法；(2)烧结上述一氧化铌粉得到的，在0.01μm～500μm范围内具有多个孔径峰值，优选在多个孔径峰值内，相对强度最大的两个峰的峰值分别处于0.2～0.7μm及0.7～3μm范围，相对强度最大的峰的峰值比相对强度其次大的峰的峰值处于大直径侧的一氧化铌粉及其制造方法；(3)使用上述烧结体的电容器及其制造方法；(4)使用上述电容器的电子电路及电子仪器。
-
公开(公告)号：CN1879181A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033081.X
申请日：2004-11-09
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , B22F1/02 , B22F7/004 , B22F2998/10 , C04B35/495 , C04B35/6265 , C04B35/6268 , C04B35/628 , C04B35/62836 , C04B35/62897 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/404 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , H01G9/0032 , H01G9/052 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T428/12181 , B22F9/16 , B22F1/0003 , B22F9/04 , B22F3/1121
Abstract: 本发明涉及包含铌层和氮化硅与铌的混合层的用于电容器的铌粉，该混合层处于粉粒表面的附近；其成粒铌粉；使用铌粉和成粒粉末的铌烧结体；和使用该烧结体作为一个电极的电容器。本发明的用于电容器的铌粉能够制造具有高电容、低泄漏电流、低ESR和良好的tgδ特性并特别具有优异的击穿电压和耐焊接热性能的铌电容器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.029 seconds)
