-
公开(公告)号：CN1899750A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610115404.0
申请日：2003-01-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B23K35/26 , B23K35/02 , H05K3/3484
Abstract: 本发明涉及主要由8.8－5.0质量％的Zn、0.05－0质量％的Bi和余量的Sn以及不可避免的杂质组成的焊料金属。
-
公开(公告)号：CN1879181B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200480033081.X
申请日：2004-11-09
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , B22F1/02 , B22F7/004 , B22F2998/10 , C04B35/495 , C04B35/6265 , C04B35/6268 , C04B35/628 , C04B35/62836 , C04B35/62897 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/404 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , H01G9/0032 , H01G9/052 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T428/12181 , B22F9/16 , B22F1/0003 , B22F9/04 , B22F3/1121
Abstract: 本发明涉及包含铌层和氮化硅与铌的混合层的用于电容器的铌粉，该混合层处于粉粒表面的附近；其成粒铌粉；使用铌粉和成粒粉末的铌烧结体；和使用该烧结体作为一个电极的电容器。本发明的用于电容器的铌粉能够制造具有高电容、低泄漏电流、低ESR和良好的tgδ特性并特别具有优异的击穿电压和耐焊接热性能的铌电容器。
-
公开(公告)号：CN1879181A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033081.X
申请日：2004-11-09
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , B22F1/02 , B22F7/004 , B22F2998/10 , C04B35/495 , C04B35/6265 , C04B35/6268 , C04B35/628 , C04B35/62836 , C04B35/62897 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/404 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , H01G9/0032 , H01G9/052 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T428/12181 , B22F9/16 , B22F1/0003 , B22F9/04 , B22F3/1121
Abstract: 本发明涉及包含铌层和氮化硅与铌的混合层的用于电容器的铌粉，该混合层处于粉粒表面的附近；其成粒铌粉；使用铌粉和成粒粉末的铌烧结体；和使用该烧结体作为一个电极的电容器。本发明的用于电容器的铌粉能够制造具有高电容、低泄漏电流、低ESR和良好的tgδ特性并特别具有优异的击穿电压和耐焊接热性能的铌电容器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1899750B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610115404.0
申请日：2003-01-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B23K35/26 , B23K35/02 , H05K3/3484
Abstract: 本发明涉及主要由8.8-5.0质量％的Zn、0.05-0质量％的Bi和余量的Sn以及不可避免的杂质组成的焊料金属。
-
公开(公告)号：CN1298492C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN03801406.8
申请日：2003-01-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , B23K101/36
CPC classification number: B23K35/26 , B23K35/02 , H05K3/3484
Abstract: 本发明涉及主要由8.8—5.0质量%的Zn、0.05—0质量%的Bi和余量的Sn以及不可避免的杂质组成的焊料金属。
-
公开(公告)号：CN101035641B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200580034208.4
申请日：2005-10-05
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B22F9/04 , B22F2998/10 , H01G9/0525 , B22F1/0088 , B22F3/10
Abstract: 本发明提供高效率地制造能提供每单位质量的电容大、漏电流小、而且偏差少的电容器的、电容器用铌粉、铌合金粉、氢化铌粉或氢化铌合金粉的方法，还提供使用了该铌粉、铌合金粉、氢化铌粉、或氢化铌合金粉的烧结体和使用该烧结体的电容器的制造方法。根据本发明，通过在分散介质存在下、使用密度为2～3.6g/cm3、断裂韧性值为1.5MPa·m1/2以上的珠，例如氮化硅或含氮化硅的化合物的介质对氢化铌或氢化铌合金进行粉碎，可以高效率地制得高电容的铌粉。
-
公开(公告)号：CN101035641A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200580034208.4
申请日：2005-10-05
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B22F9/04 , B22F2998/10 , H01G9/0525 , B22F1/0088 , B22F3/10
Abstract: 本发明提供高效率地制造能提供每单位质量的电容大、漏电流小、而且偏差少的电容器的、电容器用铌粉、铌合金粉、氢化铌粉或氢化铌合金粉的方法，还提供使用了该铌粉、铌合金粉、氢化铌粉、或氢化铌合金粉的烧结体和使用该烧结体的电容器的制造方法。根据本发明，通过在分散介质存在下、使用密度为2～3.6g/cm3、断裂韧性值为1.5MPa·m1/2以上的珠，例如氮化硅或含氮化硅的化合物的介质对氢化铌或氢化铌合金进行粉碎，可以高效率地制得高电容的铌粉。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.042 seconds)
