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公开(公告)号：CN116466207A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310462602.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种二极管全动态老化电路，包括待测二极管、控制电路板、直流电源组件以及变压器及调压组件，控制电路板包括MCU芯片以及多组控制电路，每组控制电路与一个待测二极管连接，每组控制器电路包括两条相互并联的支路，一条支路为依次串联的反向阻断二极管、调整管以及采样电阻，另一条支路为依次串联的反向限流电阻、反向漏流采集器以及正向信号阻断二极管，采样电阻上还并联有电流转换和采样模块，且电流转换和采样模块还连接有电流控制模块，电流控制模块对MCU芯片提供的基准信号以及电流转换和采样模块的信号处理后输出信号对调整管进行调节，使得待测二极管上的电流满足测试要求。本发明的老化电路能自动调节，且成本较低。
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公开(公告)号：CN117092476B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202311066246.4
申请日：2023-08-23
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于三电平功率模块的高温反偏老化测试模块，包括测试工装及测试电路，测试工装包括底部PCB板和夹持组件，夹持组件中设有一个待测器件，测试电路通过底部PCB板与相对应的一个待测器件联通，测试电路包括正电源PWR+、负电源PWR‑、单工位正电源桥臂切换继电器S5，单工位负电源桥臂切换继电器S7、单工位中间桥臂切换继电器S6和MCU，每个继电器均包括两个并联的开关，MCU通过控制单工位正电源桥臂切换继电器S5，单工位负电源桥臂切换继电器S7以及单工位中间桥臂切换继电器S6三者中不同开关的通断配合，使得待测器件内的所有单管完成老化测试。本发明提高了老化处理效率，也降低了出错几率。
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公开(公告)号：CN116520118B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310462594.7
申请日：2023-04-26
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种二极管全动态老化设备，包括机柜，机柜里设有变压器及调压组件，直流电源组件，上位机、待测器件阵列板以及控制电路板，直流电源组件与待测器件阵列板之间设有可控硅整流器；控制电路板包括MCU芯片、正向电流组件、反向偏置电压组件、电流转换和采样模块、电流控制模块以及电流控制基准信号输出模块，电流转换和采样模块采集正向电流，并转化出Ifb信号和Ifs信号，MCU芯片对Ifs信号处理后再经过电流控制基准信号输出模块形成基准信号Vref；电流控制模块对基准信号Vref与Ifb信号进行处理后对电流进行调节，使得待测二极管上的正向电流满足测试要求。本发明的老化设备整体结构紧凑，老化电路能自动调节。
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公开(公告)号：CN118362757A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410462723.7
申请日：2024-04-17
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种带加热功能的大功率模块测试装置，包括：工作台，所述工作台上设置有若干加热模块单元，所述加热模块单元内设置有加热机构和开关触发机构，所述开关触发机构可在触发时使得加热机构工作；连接器，位于工作台上，用于给待测功率开关模块供电；以及定位机构，可拆卸连接于工作台上，用于与加热模块单元接触，待测功率开关模块固定于定位机构上，所述定位机构能够将加热模块单元上的热量传递至待测功率开关模块上，当待测功率开关模块在高温环境下测试时，可以加速老化过程，能够一定程度上准确评估待测功率开关模块在实际工作环境中的可靠性和寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117907785A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410063912.7
申请日：2024-01-16
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及老化测试的技术领域，尤其是涉及一种选型切换加热电路、结温测试电路及结温测试方法，其包括：电压源，包括电源电压正极PWR+和电源电压负极PWR‑，用于为待测MOS管提供加热电压；加热电流提供模块，用于根据参考电流输出相应的恒定加热电流；MOS管放置模块，用于放置待测MOS管，其连接于电压源；电源反向切换模块，连接于加热电流提供模块，电源反向切换模块用于根据待测MOS管类型切换电压源的电源电压正极PWR+位置以改变参考电流方向；信号反向切换模块，用于根据MOS管放置模块上的待测MOS管类型切换恒定加热电流对应的信号正反。本申请具有实现对NMOS和PMOS的兼容结温测试的效果。
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公开(公告)号：CN117092477A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311070760.5
申请日：2023-08-23
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于三电平功率模块的高温反偏老化测试方法，测试电路包括正电源PWR+、负电源PWR‑、单工位正电源桥臂切换继电器S5，单工位负电源桥臂切换继电器S7、单工位中间桥臂切换继电器S6以及MCU，本发明采用了上下桥同时的老化测试方式，同时通过切换和控制，一次性把高温试验箱内老化板上的待测器件需要的引脚通过总线座转接装置，一次性引到控制测试电路板上，通过控制测试电路实现上下桥同时加电连接和试验器件内各个单管切换；通过配置的试验逻辑顺序，第一次试验的线路做完后，试验过程中不需要停止烘箱和更换老化板或重新接线，直接切换到第二次试验的线路，只需二次就可以完成一个三电平模块内所有单管的老化。
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公开(公告)号：CN116449171B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310706535.X
申请日：2023-06-15
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于SIC功率循环测试的装置，包括测试架体、器件测试工装，器件测试工装包括固定支撑机构、测试升降驱动机构、绝缘座、绝缘压块，多个绝缘座分别固定在多工位水冷板上，绝缘座上固定有探针组A和探针组B，探针组A与待测器件的引脚相抵，多个绝缘压块间隔固定在压板的底部，绝缘压块上设有导通探针，动力组件推动压板带动绝缘压块下降时，导通探针的两端分别与待测器件的引脚以及探针组B相抵，使得待测器件的引脚夹在探针组A和导通探针一端之间，且通过导通探针的另一端与探针组B的相抵构成导通回路。本发明将多个SIC器件放置在多工位水冷板上，且利用绝缘座和绝缘压块夹持SIC器件引脚，满足长时间的大电流通过。
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公开(公告)号：CN116520118A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310462594.7
申请日：2023-04-26
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种二极管全动态老化设备，包括机柜，机柜里设有变压器及调压组件，直流电源组件，上位机、待测器件阵列板以及控制电路板，直流电源组件与待测器件阵列板之间设有可控硅整流器；控制电路板包括MCU芯片、正向电流组件、反向偏置电压组件、电流转换和采样模块、电流控制模块以及电流控制基准信号输出模块，电流转换和采样模块采集正向电流，并转化出Ifb信号和Ifs信号，MCU芯片对Ifs信号处理后再经过电流控制基准信号输出模块形成基准信号Vref；电流控制模块对基准信号Vref与Ifb信号进行处理后对电流进行调节，使得待测二极管上的正向电流满足测试要求。本发明的老化设备整体结构紧凑，老化电路能自动调节。
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公开(公告)号：CN116224012A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310462625.9
申请日：2023-04-26
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种二极管全动态老化方法，步骤如下：a）、将相应器件连接成回路；b）、MCU芯片接收上位机上各参数，启动直流电源组件以及变压器及调压组件，同时同步控制电路控制可控硅整流器的通断开，使得待测二极管的两端交替加正弦上半波电流源和正弦下半波电压源；c）、所述电流转换和采样模块通过对采样电阻进行采样，得到Ifb信号，所述电流控制模块对MCU芯片提供的基准信号Vref与Ifb信号进行处理，进而输出信号对调整管进行调节；使得待测二极管上的试验电流IF保持稳定。本发明的方法实时监测试验电流，通过电流控制模块输出控制信号对调整管进行控制，保证了待测二极管上的试验电流稳定，实现自动调节正向电流的功能。
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