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公开(公告)号：CN117092476A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311066246.4
申请日：2023-08-23
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于三电平功率模块的高温反偏老化测试模块，包括测试工装及测试电路，测试工装包括底部PCB板和夹持组件，夹持组件中设有一个待测器件，测试电路通过底部PCB板与相对应的一个待测器件联通，测试电路包括正电源PWR+、负电源PWR‑、单工位正电源桥臂切换继电器S5，单工位负电源桥臂切换继电器S7、单工位中间桥臂切换继电器S6和MCU，每个继电器均包括两个并联的开关，MCU通过控制单工位正电源桥臂切换继电器S5，单工位负电源桥臂切换继电器S7以及单工位中间桥臂切换继电器S6三者中不同开关的通断配合，使得待测器件内的所有单管完成老化测试。本发明提高了老化处理效率，也降低了出错几率。
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公开(公告)号：CN117991067A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410072270.7
申请日：2024-01-18
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及电子器件技术领域，具体公开了一种用于HTRB和HTGB循环老化测试电路及方法，所述电路包括：第一单刀双掷开关的固定端与漏极相连，第一单刀双掷开关的活动端包括第一触点和第二触点，第一触点与第一单刀单掷开关的活动端相连，第二触点与源极相连，第一单刀单掷开关的固定端与第一电源相连；第二单刀双掷开关的固定端与栅极相连，第二单刀双掷开关的活动端包括第三触点和第四触点，第三触点与第二单刀单掷开关的活动端相连，第四触点与所述源极相连，第二单刀单掷开关的固定端与第二电源相连。本申请通过将HTRB和HTGB两种试验归于同一电路中，通过简单的开关控制切换，即可在同一设备中完成HTRB和HTGB两种试验，无需再对老化板进行切换。
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公开(公告)号：CN117347809A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311376403.1
申请日：2023-10-24
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
IPC: G01R31/26 , G01R1/04 , G01R1/02 , F16F15/067
Abstract: 本申请涉及一种压接式阻断测试装置，其包括实验柜、设置于实验柜内的顶升机构和第一夹持机构，顶升机构包括导向组件和驱动组件，导向组件的两端均与实验柜连接，第一夹持机构包括第一夹持组件和第二夹持组件，第一夹持组件与第二夹持组件均与导向组件滑移连接，驱动组件连接于实验柜的底部，驱动组件的输出端与第一夹持组件连接，用于夹持对试验品加压，第一夹持机构设有若干调节组件，可伸缩的若干调节组件呈阵列分布于第一夹持机构背离第二夹持机构的一侧。本申请第一夹持组件和第二夹持组件对试验品加压作用，使得试验品达到实验要求的压力状态，若干调节组件平衡压力分布，使其均匀作用在上，提高实验数据的准确性。
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公开(公告)号：CN117148083A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310710262.6
申请日：2023-06-15
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种SIC功率循环测试方法，采用SIC功率循环测试装置，该装置的测试架体上固定有器件测试工装，测试电路组件以及电源，测试架体上部还设有显示设备、工控机，器件测试工装包括固定支撑机构、测试升降驱动机构、绝缘座和绝缘压块，绝缘座上间隔固定有均连接至测试电路组件的探针组A和探针组B，绝缘压块上设有导通探针，步骤如下：一、将待测器件放置在绝缘座上，二、启动电源，测试升降驱动机构带动绝缘压块下降，并使得绝缘压块上的导通探针的两端分别与待测器件的引脚、探针组B相抵，三、进行测试，并在显示设备上显示参数。本发明方法利用绝缘座和绝缘压块夹持SIC器件引脚，满足长时间的大电流通过。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116466207B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310462602.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种二极管全动态老化电路，包括待测二极管、控制电路板、直流电源组件以及变压器及调压组件，控制电路板包括MCU芯片以及多组控制电路，每组控制电路与一个待测二极管连接，每组控制器电路包括两条相互并联的支路，一条支路为依次串联的反向阻断二极管、调整管以及采样电阻，另一条支路为依次串联的反向限流电阻、反向漏流采集器以及正向信号阻断二极管，采样电阻上还并联有电流转换和采样模块，且电流转换和采样模块还连接有电流控制模块，电流控制模块对MCU芯片提供的基准信号以及电流转换和采样模块的信号处理后输出信号对调整管进行调节，使得待测二极管上的电流满足测试要求。本发明的老化电路能自动调节，且成本较低。
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公开(公告)号：CN116224012B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310462625.9
申请日：2023-04-26
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种二极管全动态老化方法，步骤如下：a）、将相应器件连接成回路；b）、MCU芯片接收上位机上各参数，启动直流电源组件以及变压器及调压组件，同时同步控制电路控制可控硅整流器的通断开，使得待测二极管的两端交替加正弦上半波电流源和正弦下半波电压源；c）、所述电流转换和采样模块通过对采样电阻进行采样，得到Ifb信号，所述电流控制模块对MCU芯片提供的基准信号Vref与Ifb信号进行处理，进而输出信号对调整管进行调节；使得待测二极管上的试验电流IF保持稳定。本发明的方法实时监测试验电流，通过电流控制模块输出控制信号对调整管进行控制，保证了待测二极管上的试验电流稳定，实现自动调节正向电流的功能。
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公开(公告)号：CN116449171A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310706535.X
申请日：2023-06-15
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于SIC功率循环测试的装置，包括测试架体、器件测试工装，器件测试工装包括固定支撑机构、测试升降驱动机构、绝缘座、绝缘压块，多个绝缘座分别固定在多工位水冷板上，绝缘座上固定有探针组A和探针组B，探针组A与待测器件的引脚相抵，多个绝缘压块间隔固定在压板的底部，绝缘压块上设有导通探针，动力组件推动压板带动绝缘压块下降时，导通探针的两端分别与待测器件的引脚以及探针组B相抵，使得待测器件的引脚夹在探针组A和导通探针一端之间，且通过导通探针的另一端与探针组B的相抵构成导通回路。本发明将多个SIC器件放置在多工位水冷板上，且利用绝缘座和绝缘压块夹持SIC器件引脚，满足长时间的大电流通过。
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公开(公告)号：CN117250464A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311397083.8
申请日：2023-10-25
Applicant: 杭州高裕电子科技股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种半导体试验箱，其包括箱体，箱体内具有测试腔和转接腔，所述箱体内还固定有用于把所述测试腔和所述转接腔隔开的第一隔板，所述测试腔内固定有用于对老化板导向的导轨，所述第一隔板开设有转接槽，所述转接腔内设有转接板，所述转接板一端具有第一转接凸起，所述转接板具有第一转接凸起的一端插入转接槽，所述老化板具有第二转接凸起，所述老化板具有第二转接凸起的一端能够插入转接槽与所述第一转接凸起连接；所述转接槽内设有密封件，所述密封件套设于所述第一转接凸起。本申请具有使试验箱在测试的过程中，减少内部水汽的泄露的效果。
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