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公开(公告)号：CN1705231A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510074705.9
申请日：2005-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/62 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/693 , H01L27/088 , H03K17/6871
Abstract: 本发明公开了一种开关电路及半导体装置。在由设有3个栅极的多栅极FET即第一FET(101)、第二FET(102)构成的2输入1输出型高频开关电路中，第一FET(101)的第一栅极(51A)到第三栅极(51C)和第二FET(102)的栅极间区域(402A)、栅极间区域(402B)分别与第一控制布线(701)连接；第二FET(102)的第一栅极(52A)到第三栅极(52C)和第一FET(101)的栅极间区域(401A)、栅极间区域(401B)分别与第二控制布线(702)连接。因此，在使用多栅极FET的情况下，也能实现防止高频信号的绝缘性恶化、谐波失真特性恶化，接通状态中的插入损耗小的开关电路。
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公开(公告)号：CN1538621A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410036884.2
申请日：2004-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/284
CPC classification number: H03K17/687 , H03J2200/29
Abstract: 使5个电阻的一端分别与串联连接的4个耗尽型FET的两端和中点连接，对5个电阻的另一端施加规定的电压。由此，固定4个FET的源漏电位。通过固定各FET的源漏电位，对各FET的栅源之间稳定地施加用于使各FET导通的偏置电压，可靠地进行FET的通断切换。
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公开(公告)号：CN1407828A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02131968.5
申请日：2002-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供一种多频带便携电话机等中使用的高频电路装置，它能减少高频开关电路中的传输损失、减少发送放大器的输出功率、大幅度减少消耗功率。在设置于GSM系统的第一发送放大器(11)与天线(24)之间的第一高频开关电路(16)中，设置长度相当于GSM900MHz带的1/4波长的带状线，作为串联在发送信号的通路上的相位调节装置(25)使用。
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公开(公告)号：CN101562445A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910141751.4
申请日：2005-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/687 , H03K17/693 , H01L27/088
CPC classification number: H03K17/693 , H01L27/088 , H03K17/6871
Abstract: 本发明公开了一种开关电路及半导体装置。在由设有3个栅极的多栅极FET即第一FET(101)、第二FET(102)构成的2输入1输出型高频开关电路中，第一FET(101)的第一栅极(51A)到第三栅极(51C)和第二FET(102)的栅极间区域(402A)、栅极间区域(402B)分别与第一控制布线(701)连接；第二FET(102)的第一栅极(52A)到第三栅极(52C)和第一FET(101)的栅极间区域(401A)、栅极间区域(401B)分别与第二控制布线(702)连接。因此，在使用多栅极FET的情况下，也能实现防止高频信号的绝缘性恶化、谐波失真特性恶化，接通状态中的插入损耗小的开关电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100409585C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN03801215.4
申请日：2003-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04B1/44
CPC classification number: H04W52/029 , H04B1/1615 , H04B1/44 , H04B1/48 , H04W52/0274 , Y02D70/1222 , Y02D70/40
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够削减消耗电流的天线开关半导体集成电路。为此，在施加于控制多个开关用FET的开-关的逻辑电路上的2个控制输入信号中，将发送模式与接收模式进行转换的控制输入信号输入到振荡电路中，仅仅在逻辑电路中需要高电压的发送模式时，才使振荡电路工作。据此，使升压电路工作，将升压了的电压供给逻辑电路。在接收模式时，使振荡电路停止工作，据此，使升压电路停止工作。而且，通过用逻辑电路使开关导通，在升压电路停止工作时将电源电压直接供给逻辑电路。因此，升压电路的工作期间缩短，能够削减消耗电流。
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公开(公告)号：CN1311631C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410036884.2
申请日：2004-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/284
Abstract: 使5个电阻的一端分别与串联连接的4个耗尽型FET的两端和中点连接，对5个电阻的另一端施加规定的电压。由此，固定4个FET的源漏电位。通过固定各FET的源漏电位，对各FET的栅源之间稳定地施加用于使各FET导通的偏置电压，可靠地进行FET的通断切换。
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公开(公告)号：CN1870433A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610084840.6
申请日：2006-05-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/62 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/693 , H03K17/6871
Abstract: 提供一种具有改进的输入/输出功率特性的射频开关电路。该电路包括：基本开关部分，每个基本开关部分包括串联连接的多个FET13a－13d、14a－14d、11a－11d或12a－12d。基本开关部分分别设置在输入/输出端子1和地之间、输入/输出端子3和地之间、输入端子1和2之间、以及输入端子2和3之间。该电路还包括多个电阻器43a－43d、44a－44d、41a－41d、42a－42d，每个电阻器的一端连接到相应FET的漏极上，另一端连接到相应FET的源极上。连接在一个FET的漏极和源极之间的电阻器具有较小的电阻值，其中所述一个FET是包含在处于截止状态下的基本开关部分中的FET当中较靠近输入信号的输入/输出端子的FET。
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公开(公告)号：CN1707950A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510074706.3
申请日：2005-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/62 , H03K17/687
CPC classification number: H03F3/195 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H03F3/211 , H03F3/72
Abstract: 本发明公开了一种高频开关电路及使用了它的半导体装置。在包括设在第一输出入端(401)和第三输出入端(403)之间的第一基本开关部(601)、设在第二输出入端(402)和第三输出入端(403)之间的第二基本开关部(602)的高频开关电路中，基本开关部(601)和基本开关部(602)分别由串联的4个FET构成，位于各基本开关部两端的FET(101)、FET(104)和FET(105)、FET(108)与中间的FET(102)、FET(103)和FET(106)、FET(107)相比，阈值电压更高。因此，能够实现不使插入损耗和芯片尺寸增大，又能输入更大的功率的高频开关电路。
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公开(公告)号：CN1574630A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049035.0
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/693 , H03K17/06
CPC classification number: H03K17/04123 , H03K17/693
Abstract: 在输入输出高频信号的多个输入输出端子之间设置由4组FET的串联电路构成的4个开关电路部。各开关电路部通过独立地分别对4个FET的栅端子施加栅控制电压，实现导通状态和关断状态。进而，在各开关电路部中，对FET的漏端子或源端子独立地施加漏控制电压，供给与输入到各开关电路部的高频信号的功率值对应的电压，作为栅控制电压和漏控制电压。
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