公开(公告)号：CN101562445B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200910141751.4

申请日：2005-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中塚忠良 ,  福本信治

IPC: H03K17/687 ,  H03K17/693 ,  H01L27/088

CPC classification number: H03K17/693 ,  H01L27/088 ,  H03K17/6871

Abstract: 本发明公开了一种开关电路及半导体装置。在由设有3个栅极的多栅极FET即第一FET(101)、第二FET(102)构成的2输入1输出型高频开关电路中，第一FET(101)的第一栅极(51A)到第三栅极(51C)和第二FET(102)的栅极间区域(402A)、栅极间区域(402B)分别与第一控制布线(701)连接；第二FET(102)的第一栅极(52A)到第三栅极(52C)和第一FET(101)的栅极间区域(401A)、栅极间区域(401B)分别与第二控制布线(702)连接。因此，在使用多栅极FET的情况下，也能实现防止高频信号的绝缘性恶化、谐波失真特性恶化，接通状态中的插入损耗小的开关电路。

公开(公告)号：CN1574631A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410049054.3

申请日：2004-06-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中塚忠良 ,  多良胜司 ,  福本信治

IPC: H03K17/693 ,  H03K17/06

CPC classification number: H03K17/102 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/693 ,  H03K2217/0036

Abstract: 将多个电阻元件的第1端子与多个FET的串联电路的中间连接点连接，对多个电阻元件的第2端子施加与施加在多个FET的栅端子上的电压反相的电压。由此，可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降。其结果是，可使能处理的功率增大。另外，由于可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降，所以抑制了起因于多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。

公开(公告)号：CN101562445A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910141751.4

申请日：2005-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中塚忠良 ,  福本信治

IPC: H03K17/687 ,  H03K17/693 ,  H01L27/088

CPC classification number: H03K17/693 ,  H01L27/088 ,  H03K17/6871

Abstract: 本发明公开了一种开关电路及半导体装置。在由设有3个栅极的多栅极FET即第一FET(101)、第二FET(102)构成的2输入1输出型高频开关电路中，第一FET(101)的第一栅极(51A)到第三栅极(51C)和第二FET(102)的栅极间区域(402A)、栅极间区域(402B)分别与第一控制布线(701)连接；第二FET(102)的第一栅极(52A)到第三栅极(52C)和第一FET(101)的栅极间区域(401A)、栅极间区域(401B)分别与第二控制布线(702)连接。因此，在使用多栅极FET的情况下，也能实现防止高频信号的绝缘性恶化、谐波失真特性恶化，接通状态中的插入损耗小的开关电路。

公开(公告)号：CN1309166C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410049054.3

申请日：2004-06-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中塚忠良 ,  多良胜司 ,  福本信治

IPC: H03K17/693 ,  H03K17/06

CPC classification number: H03K17/102 ,  H03K17/6871 ,  H03K17/693 ,  H03K2217/0036

Abstract: 将多个电阻元件的第1端子与多个FET的串联电路的中间连接点连接，对多个电阻元件的第2端子施加与施加在多个FET的栅端子上的电压反相的电压。由此，可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降。其结果是，可使能处理的功率增大。另外，由于可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降，所以抑制了起因于多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。

公开(公告)号：CN1705231A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200510074705.9

申请日：2005-05-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中塚忠良 ,  福本信治

IPC: H03K17/62 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/693 ,  H01L27/088 ,  H03K17/6871

Abstract: 本发明公开了一种开关电路及半导体装置。在由设有3个栅极的多栅极FET即第一FET(101)、第二FET(102)构成的2输入1输出型高频开关电路中，第一FET(101)的第一栅极(51A)到第三栅极(51C)和第二FET(102)的栅极间区域(402A)、栅极间区域(402B)分别与第一控制布线(701)连接；第二FET(102)的第一栅极(52A)到第三栅极(52C)和第一FET(101)的栅极间区域(401A)、栅极间区域(401B)分别与第二控制布线(702)连接。因此，在使用多栅极FET的情况下，也能实现防止高频信号的绝缘性恶化、谐波失真特性恶化，接通状态中的插入损耗小的开关电路。