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公开(公告)号：CN100481259C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200380102920.4
申请日：2003-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C14/009 , G11C13/0004 , G11C14/0072 , H01L27/101 , H03K3/356008
Abstract: 本发明是在双稳态多谐振荡器电路的第一、第二存储节点上通过控制用晶体管连接第一、第二变阻元件的非易失性双稳态多谐振荡器电路中，在存储步骤中在把第一和第二变阻元件的双方变成低电阻后，在第一和第二变阻元件中，仍使连接在存储“0”的存储节点上的变阻元件保持在低电阻，仅把连接在存储“1”的存储节点上的变阻元件变成高电阻，在复检步骤中顺序进行在连接于高电阻的变阻元件的存储节点上存储“1”，在连接于低电阻的变阻元件的存储节点上存储“0”的非易失性双稳态多谐振荡器电路的驱动方法。
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公开(公告)号：CN100449641C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200380104126.3
申请日：2003-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器单元，包括：具有第一节点(6)和第二节点(7)，锁存设定在第一节点(6)和第二节点(7)上的互补数据的锁存电路(1)；第一开关元件(4)，连接所述第一节点(6)和第一数据输入输出线(2)；第二开关元件(5)，连接所述第二节点(7)和第二数据输入输出线(3)；第一强电介质电容器(8a)，连接所述第二数据输入输出线(3)和所述第一节点(6)；和第二强电介质电容器(8b)，连接所述第一数据输入输出线(2)和所述第二节点(7)。
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公开(公告)号：CN100365935C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN03824600.7
申请日：2003-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/4087 , G11C11/22 , G11C11/4074
Abstract: 电压发生电路包含：电容器(4)、与电容器(4)串联连接的强电介质电容器(6)、输出端子(11)、使输出端子(11)接地的电容器(10)、电源电压供给端子(13)、连接电源电压供给端子(13)和2只电容器(4、6)的连接结点(N1)的开关(1)、以及连接连接结点(N1)和输出端子(11)的开关(9)。在第1期间，在使开关(1)及(9)为断开状态的状态下，使端子(3)接地，并把电源电压供给端子(7)，在第2期间，把电源电压供给端子(3)，且使开关(9)为导通状态，在第3期间，使开关(9)为断开状态，使开关(1)为导通状态，且使端子(7)接地，在第4期间，把电源电压供给端子(7)，从前述第1期间直到前述第4期间顺序重复进行。
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公开(公告)号：CN1669146A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816316.0
申请日：2003-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/866
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 铁电门器件包含铁电电容器(1)、根据施加电压起着电阻或电容器功能的开关元件(2)、具有源极、漏极和门极的场效应晶体管(6)，铁电电容器(1)的一端具有输入端子(IN)，铁电电容器(1)的另一端与开关元件(2)的一端连接，开关元件(2)的另一端和场效应晶体管(6)的门极连接，通过在输入端子上施加电压，在铁电体的电容器(1)上施加上铁电电容器(1)具有的铁电体的矫顽电压(Vc)以上的电压时，开关元件(2)作为电阻工作，通过在输入端子上施加电压，在铁电电容器(1)上施加上比铁电电容器(1)具有的铁电体的矫顽电压(Vc)小的电压时，开关元件(2)作为电容器工作。
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公开(公告)号：CN1205674C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN01123693.0
申请日：2001-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L29/739 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7378
Abstract: 提供一种在实现低驱动电压化的同时，可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率低的SiGeC层或者SiGe层构成的第2基极区域13、包含发射极区域14a的Si空隙层14。第2基极区域的至少发射极区域侧端部，C含有率不到0.8%。因此，在发射极、基极结合部的耗尽层中，可以抑制由C引起的再结合中心的形成，维持低驱动电压性，通过降低再结合电流，实现对电流放大倍率等电特性的改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100421171C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN03812834.9
申请日：2003-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C14/00 , G11C14/0063 , G11C14/0072 , G11C14/0081 , G11C14/009
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储电路的驱动方法，其特征在于，包括下述步骤：存储步骤，其中，该步骤具有：在停止向所述非易失性存储电路供电前，所述第一及第二电阻元件为低电阻状态的第一步骤；和在该第一步骤后使所述第一及第二电阻元件的任一方为高电阻状态的第二步骤；和调用步骤，其中，向所述非易失性存储电路开始供电后，对所述字码线、所述第一及第二比特线、以及所述电源线在规定的时间施加电压。
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公开(公告)号：CN100338776C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN03816316.0
申请日：2003-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/866
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 铁电门器件包含铁电电容器(1)、根据施加电压起着电阻或电容器功能的开关元件(2)、具有源极、漏极和栅极的场效应晶体管(6)，铁电电容器(1)的一端具有输入端子(IN)，铁电电容器(1)的另一端与开关元件(2)的一端连接，开关元件(2)的另一端和场效应晶体管(6)的栅极连接，通过在输入端子上施加电压，在铁电体的电容器(1)上施加上铁电电容器(1)具有的铁电体的矫顽电压(Vc)以上的电压时，开关元件(2)作为电阻工作，通过在输入端子上施加电压，在铁电电容器(1)上施加上比铁电电容器(1)具有的铁电体的矫顽电压(Vc)小的电压时，开关元件(2)作为电容器工作。
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公开(公告)号：CN1816968A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480019014.2
申请日：2004-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K3/356 , G11C11/22 , H03K19/096 , H03K19/185 , H01L21/8247
CPC classification number: H03K3/356008 , G11C11/22
Abstract: 本发明提供非易失性触发电路的驱动方法，该非易失性触发电路具备：第一时钟反相器(604)、第二时钟反相器(603)及第三开关元件(602)处于开的状态，并且，第一开关元件(605)、第二开关元件(607)及第三时钟反相器(608)处于关的状态，通过输入数据信号(D)，利用铁电体栅极晶体管(601)具有的铁电体的极化，保持输入的数据信号(D)的数据保持步骤；第一时钟反相器(604)、第二时钟反相器(603)及第三开关元件(602)处于关的状态，并且，通过使第一开关元件(605)、第二开关元件(607)及第三时钟反相器(608)处于开的状态地切换，切断数据信号(D)的输入的同时维持铁电体栅极晶体管(601)具有的铁电体的极化状态，输出基于保持的数据信号(D)的输出信号Q(－Q)的数据输出步骤。
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公开(公告)号：CN1717746A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104126.3
申请日：2003-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器单元，包括：具有第一节点(6)和第二节点(7)，锁存设定在第一节点(6)和第二节点(7)上的互补数据的锁存电路(1)；第一开关元件(4)，连接所述第一节点(6)和第一数据输入输出线(2)；第二开关元件(5)，连接所述第二节点(7)和第二数据输入输出线(3)；第一强电介质电容器(8a)，连接所述第二数据输入输出线(3)和所述第一节点(6)；和第二强电介质电容器(8b)，连接所述第一数据输入输出线(2)和所述第二节点(7)。
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公开(公告)号：CN1711611A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380102920.4
申请日：2003-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C14/009 , G11C13/0004 , G11C14/0072 , H01L27/101 , H03K3/356008
Abstract: 本发明是在双稳态多谐振荡器电路的第一、第二存储节点上通过控制用晶体管连接第一、第二变阻元件的非易失性双稳态多谐振荡器电路中，在存储步骤中在把第一和第二变阻元件的双方变成低电阻后，在第一和第二变阻元件中，仍使连接在存储“0”的存储节点上的变阻元件保持在低电阻，仅把连接在存储“1”的存储节点上的变阻元件变成高电阻，在复检步骤中顺序进行在连接于高电阻的变阻元件的存储节点上存储“1”，在连接于低电阻的变阻元件的存储节点上存储“0”的非易失性双稳态多谐振荡器电路的驱动方法。
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