公开(公告)号：CN1383579A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN01801731.2

申请日：2001-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  神泽好彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种结构评价方法、半导体装置的制造方法和记录媒体,是在设定工艺条件的初始推定值并利用工艺模拟器进行半导体器件的要素的结构的推定之后,计算物理量测定值的预想值。并且,将通过光学的评价方法得到的半导体器件的要素的物理量的实测值与理论计算值相互进行比较,利用例如急速下降法等,求出测定的半导体器件的要素的更正确的结构。利用该结果可以修改其他半导体器件的要素的工艺的工艺条件。

公开(公告)号：CN1365515A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01800613.2

申请日：2001-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36

CPC classification number: C23C16/22 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52

Abstract: 一种半导体晶体的制造方法,它以Si作衬底、在将Si衬底1的表面进行前处理后,用超高真空化学气相生长装置(UHV－CVD装置)在Si衬底1上形成SiGeC层2。这时SiGeC层2的生长温度低于490℃,Si原料用的是Si2H6、Ge原料用的是GeH4、C原料用的是SiH3CH3,用这种方法能够形成具有良好结晶性的SiGeC层2。

公开(公告)号：CN1344033A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN01123693.0

申请日：2001-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  幸康一郎 ,  高木刚 ,  大西照人 ,  久保实

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/739 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7378

Abstract: 提供一种在实现低驱动电压化的同时,可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率低的SiGeC层或者SiGe层构成的第2基极区域13、包含发射极区域14a的Si空隙层14。第2基极区域的至少发射极区域侧端部,C含有率不到0.8%。因此,在发射极、基极结合部的耗尽层中,可以抑制由C引起的再结合中心的形成,维持低驱动电压性,通过降低再结合电流,实现对电流放大倍率等电特性的改善。

公开(公告)号：CN1168147C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN00100243.0

申请日：2000-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  能泽克弥 ,  菅原岳 ,  久保实

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/02

CPC classification number: H01L29/165 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155

Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0＜x＜1)和Si1-yCy层(0＜y＜1)层叠成多层，以形成能起到单一的SiGeC层的作用的Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体。这样，可获得排除Ge-C键的SiGeC三元混晶体。在形成Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体的方法中，有交替地使Si1-xGex层和Si1-yCy层外延生长的方法以及在形成Si/Si1-xGex短周期超晶格体之后，注入C离子，再通过热处理，以使C原子移到Si层中的方法。

公开(公告)号：CN1391280A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02123054.4

申请日：2002-06-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菰渕宽仁 ,  久保实 ,  桥本雅彦 ,  冈嶋道生 ,  山本真一

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/50 ,  H05K13/00 ,  B29C67/00

CPC classification number: B81B7/0077 ,  G01J5/10 ,  H01L23/10 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/0203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供利用现有的电子装置的制造工艺，在每个单元中设置真空保持用盖体的电子装置及其制造方法。在盖用晶片(150)之上形成Al膜(151)，对Al膜(151)进行刻膜来形成环状膜(144)。以环状膜(144)为掩模进行干蚀刻，形成包围成为真空室的凹部的筒部(142)。在盖用晶片(150)的衬底部(141)上形成了切口部(152)之后，在形成有红外线区域传感器的主体晶片(100)上，载置盖用晶片(150)。然后，通过压接使盖用晶片(150)的环状膜(144)和主体晶片(100)的环状膜(118)接合，从而形成环状接合部(15)。

公开(公告)号：CN1277735A

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN99801585.7

申请日：1999-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  久保实 ,  斋藤彻 ,  高木刚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 晶体生长装置由真空容器(10)、加热灯(12)、对加热灯(12)进行控制的灯控制器(13)、气体通入口(14)、调节气体流量的流量调节器(15)、测量衬底温度的高温计(19)、将乙硅烷等气体供到真空容器(10)的供气单元(30)组成。椭圆偏振光谱测量装置由光源(20)、起偏器(21)、调制器(22)、分析器(24)、分光仪/检测单元(25)以及计算Ψ、△的分析控制装置(26)组成。在去除衬底上的化学氧化膜时,通过现场椭圆偏振光谱测量,来识别氧化膜覆盖衬底面的phase 1和衬底的一部分已经露出来的phase 2,从而向各phase适当地提供和停供气体。

公开(公告)号：CN1294414A

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN00130023.7

申请日：2000-10-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 幸康一郎 ,  久保实

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/735 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/737

Abstract: 一种横型异质结双极三极管及其制造方法是由积层Si基板、BOX层以及半导体层形成所谓的SOI构造。然后,在半导体层中,具有由硅构成的集电极、围绕集电极的SiGeC/Si层、n型多晶硅构成的发射极和外部基极层。内部基极层由Si1－x－yGexCy层构成。利用异质结构造,可以将内部基极层低阻抗化,并且可以抑制通过外延生长形成由Si1－x－yGexCy层构成内部基极层中的杂质的扩散。该二极管具有寄生电容和寄生阻抗小、可以将内部基极层低阻抗化。

公开(公告)号：CN1260594A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN00100243.0

申请日：2000-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  能泽克弥 ,  菅原岳 ,  久保实

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/02

CPC classification number: H01L29/165 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155

Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0

公开(公告)号：CN1205674C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN01123693.0

申请日：2001-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  幸康一郎 ,  高木刚 ,  大西照人 ,  久保实

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/739 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7378

Abstract: 提供一种在实现低驱动电压化的同时，可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率低的SiGeC层或者SiGe层构成的第2基极区域13、包含发射极区域14a的Si空隙层14。第2基极区域的至少发射极区域侧端部，C含有率不到0.8%。因此，在发射极、基极结合部的耗尽层中，可以抑制由C引起的再结合中心的形成，维持低驱动电压性，通过降低再结合电流，实现对电流放大倍率等电特性的改善。

公开(公告)号：CN1184694C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN00100291.0

申请日：2000-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 幸康一郎 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  大仲清司 ,  浅井明 ,  片山幸治

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i-Si1-yGey层119(0＜y＜1)、i-Si间隙层142、SiO2层117和栅极116。因为使下部Si间隙层118含有了C原子，抑制Si1-yGey层中的Ge的漂移·扩散·分离，所以能抑制Si/Si1-yGey层异质界面136的构造紊乱，从而保持明确、平滑的界面。因此，提高了沿异质界面流动的沟道中载流子的传导度等特性。即改善了热处理时半导体器件耐热性。并且，通过使其具有倾斜的C浓度分布来抑制C原子向栅极绝缘膜的扩散，并防止可靠性的下降。