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公开(公告)号：CN101568951A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001272.6
申请日：2008-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/294 , G09G3/2965
Abstract: 本发明公开了一种等离子体显示面板驱动装置及等离子体显示器。该装置包括生成施加在等离子体显示面板的电极上的驱动脉冲的电极驱动部。电极驱动部具有多个开关，多个开关中的至少一个开关是使用了双栅极半导体元件(10)的开关元件。双栅极半导体元件(10)具有形成在衬底(11)上且由氮化物半导体或碳化硅构成的半导体形成的半导体层叠层体(13)、在半导体层叠层体(13)上相互保持间隔形成的源电极(16)与漏电极(17)、在源电极(16)与漏电极(17)之间从源电极(16)一侧开始依次形成的第一栅电极(18A)与第二栅电极(18B)。
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公开(公告)号：CN100422962C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200580006079.8
申请日：2005-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G06F11/1441 , G06F11/1435
Abstract: 把存储与簇或物理块等的预定的存储单位对应的写入结束标志的写入结束标志表(105)保存到非易失性的控制存储器(106)内。然后，检测向预定的存储单位进行的数据写入的结束，把写入结束标志写入到写入结束标志表(105)上的对应的存储单位的地址内。这样就可以确认已正常地写入了数据。即便是不能向作为主存储器的写入单位的页内写入表示写入结束的标志的情况下，也可以提高写入的可靠性。
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公开(公告)号：CN1957337A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580015993.9
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G11C16/10 , G06F11/1068
Abstract: 本发明可保存产生写入错误的地址，在一系列的写入完成之后，读出所保存的地址数据。而且，通过仅对于无法进行数据纠正的地址、及判断为需要进行写入重试的地址进行不良区块处理，可防止不良区块的增加。从而，向指定的快闪存储器进行写入时，可防止频繁出现写入错误、以及大量产生不良区块。
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公开(公告)号：CN1898717A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580001356.6
申请日：2005-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09G3/294 , G09G3/2927 , G09G3/296 , G09G2330/028
Abstract: 等离子体显示屏(PDP) (10)的驱动装置，具有：在放电维持期间，将维持电极(X)维持成固定电位(接地电位)，作为放电维持脉冲电压，向扫描电极(Y)交替施加第一正脉冲电压和第一负脉冲电压的放电维持脉冲发生部(2A、4B)；向地址电极(A)施加在时间上变化的电压的地址电压发生部(4C)。地址电压发生部(4C)，在放电维持期间，将具有一定极性的第二脉冲电压，与和放电维持脉冲电压中的第二脉冲电压同极性的脉冲，同步地施加给地址电极(A)。
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公开(公告)号：CN1866399A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082411.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C29/82 , G11C11/5621 , G11C16/04 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器、非易失性存储器、非易失性存储系统和数据写入方法。在使用了由各个存储器单元保持多页的数据的多值NAND快闪存储器等非易失性存储器的非易失性存储装置中，解决在数据写入过程中发生了错误、从而使与该页同组的其它页中所记载的数据发生变化的问题。在向非易失性存储器110中写入数据时，在向某页进行写入的过程中发生了错误时，由错误页确定部128确定错误的类别和发生错误的页的物理地址。然后，由错误消除部129消除在属于与错误页同组的其它页中所存储的数据中产生的错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101755297A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880025113.X
申请日：2008-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/66 , G09G3/2022 , G09G3/294 , G09G3/296 , G09G3/2965 , G09G2310/0289 , G09G2310/066 , G09G2330/025 , G09G2330/028 , G09G2330/045
Abstract: 扫描IC包括开关电路以及逻辑电路。开关电路包括第一及第二晶体管、以及电平移位电路。向逻辑电路的输入端子，提供变化为逻辑“1”及逻辑“0”的第一及第二控制信号。逻辑电路基于所提供的第一及第二控制信号，向第一晶体管提供第三控制信号，向第二晶体管提供第四控制信号。检测电路与逻辑电路的输入端子连接。利用检测电路，检测扫描IC的异常。
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公开(公告)号：CN100422956C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480022531.5
申请日：2004-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0632 , G06F3/0679
Abstract: 本发明提供一种半导体存储卡、存取装置和存取方法。在半导体存储卡内设置卡信息存储部，保持关于半导体存储卡的存取条件或存取速度等的存取性能的信息。另外，存取装置从半导体存储卡取得保持的信息，以用于文件系统的控制中。由此，尽管所用的存储器的特性或管理方法不同，均可最佳化存取装置、半导体存储卡的处理，可从存取装置对半导体存储卡实现高速的存取。
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公开(公告)号：CN101036197A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200580033927.4
申请日：2005-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F13/1647 , G06F12/0607
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置，其可以与多种类型的存储控制器结合使用，所述存储控制器在将被同时访问的存储体的数量方面可有所不同，该非易失性存储装置还能实现高速访问。本发明的非易失性存储装置包括：被分成多个存储体的存储区域，其中可以独立地从所述存储体读取数据/将数据写入所述存储体；和数据寄存器，用于存储已经从所述存储区域读取出的数据或者将被写入所述存储区域的数据，所述数据寄存器与所述存储体在数量上至少相等；并且根据将被同时访问的存储体的数量，所述存储体与所述数据寄存器之间的连接进行改变。
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公开(公告)号：CN100334798C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN03138604.0
申请日：2003-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 一种直流-直流变换器，具有使诸如待机时那样的轻负载状态减少耗电的专用工作模式即待机工作模式的直流-直流变换器中，设置输出比输出目标电压(E0)高出规定电压的输出上限电压(E1)与输出直流电压(Vo)的比较结果的输出功率快降检测电路，并且在输出直流电压(Vo)高于输出上限电压(E1)时，不为待机工作模式，使输出直流电压(Vo)高效到达输出目标电压(E0)的响应速度大幅度提高。
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公开(公告)号：CN101755297B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880025113.X
申请日：2008-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/66 , G09G3/2022 , G09G3/294 , G09G3/296 , G09G3/2965 , G09G2310/0289 , G09G2310/066 , G09G2330/025 , G09G2330/028 , G09G2330/045
Abstract: 扫描IC包括开关电路以及逻辑电路。开关电路包括第一及第二晶体管、以及电平移位电路。向逻辑电路的输入端子，提供变化为逻辑“1”及逻辑“0”的第一及第二控制信号。逻辑电路基于所提供的第一及第二控制信号，向第一晶体管提供第三控制信号，向第二晶体管提供第四控制信号。检测电路与逻辑电路的输入端子连接。利用检测电路，检测扫描IC的异常。
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