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公开(公告)号：CN1495875A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03158611.2
申请日：2003-09-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , G06F17/5068 , H01L21/76229
Abstract: 半导体衬底被至少一个槽分成面积较大的第一区和面积较小的第二区。在包含所述槽的内部的半导体衬底表面上形成绝缘膜。利用具有格子窗图样的蚀刻掩膜使所述绝缘膜受到蚀刻，其中，在第一区中，以形成与所述格子窗图样相应的多个开孔的形式形成所述格子窗图样。作为选择，利用具有单独一个开孔图样和格子窗图样的蚀刻掩膜，在第一区中形成与单独一个开孔图样对应的多个开孔，并且使绝缘膜受到蚀刻，其中，在第二区中，以形成与所述格子窗图样相应的多个开孔的形式形成所述格子窗图样。在这两种情况下，都将多余的绝缘膜抛光去掉。
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