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公开(公告)号：CN1670829A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052930.2
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1581323A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410056457.0
申请日：2004-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , C23C14/08 , C23C14/205 , C23C14/542 , C23C14/568 , G11B7/24038
Abstract: 本发明提供一种即使在对半透明的信息层进行高密度记录时信号品质也良好的光学信息记录介质及其制造方法以及制造装置。本发明的光学信息记录介质，在圆盘状的透明基板以及保护基板之间至少设有半透明的信息层，该信息层具有光束引导用的螺旋状沟槽，还包括通过在能由来自所述透明基板侧的光束的照射光学检测出来的至少2个状态之间呈现变化、从而能够进行记录及再生的记录膜，并且在进行记录以及再生的全部区域上，所述沟槽的内周侧以及外周侧的斜面部分的膜厚的差在±10％以内。
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公开(公告)号：CN1551165A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410045805.4
申请日：2004-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种光信息记录介质，具有至少两个信息层。设置在前侧(从激光入射侧观察)的第一信息层(100)至少包括：反射层(3)；相对于反射层(3)设置在激光入射侧的记录层(6)，用于产生通过施加激光束光学地进行检测的、非晶相和晶相之间的可逆变化；以及设置在反射层(3)和记录层(6)之间的介电层(50)。所述介电层50至少包括锆、硅和铬，在反射层侧的介电层(50)的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝p∶q∶r(p+q+r＝100)，在记录层侧的接触面附近的介电层中的锆、硅和铬的比率可以表达为：锆∶硅∶铬＝s∶t∶u(s+t+u＝100)，并且r＜u，或t＜q。
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公开(公告)号：CN101194310B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200680020272.1
申请日：2006-05-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2533 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种在高线速度且宽线速度范围内，确保高的记录消去性能和优良的记录保存性的信息记录介质。此种信息介质通过如下构成得到作为整体具有可产生相变化的组成的记录层，即：由在厚度方向上叠层的第1至第M(M为2以上的整数)的结构层，在将位于激光入射侧的第m的结构层设为第m结构层(m为整数，且满足1≤m≤M)的情况下，邻接的第m结构层与第m+1结构层具有相互不同的元素组成。在该信息记录介质中，构成记录层的至少一个第m结构层优选包含从Te、Bi、Sb、Ge、In、Ga、Al、Sn、Pb、Se及Si中选择的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN101322190B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200680045254.9
申请日：2006-11-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B11/002 , G11B7/243 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C13/04 , G11C2013/0092 , G11C2213/77 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录介质，其是能够利用光的照射或电能的施加记录信息的信息记录介质15，在第一及第二电介质层102及106、及第一及反入射侧界面层103及105中，至少一层是含有Si、In、M1(M1是选自Zr及Hf的至少一种元素)、和氧(O)，且含有1原子％以上的Si的Si-In-Zr/Hf-O系材料层。该介质的记录信息时的记录灵敏度高，反复擦写性能优越，且显示高的信号强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101496104A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780012407.4
申请日：2007-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的信息记录介质在基板(1)上设有N个信息层(N是2以上的整数)。通过对各信息层(11，12)照射激光光束(4)来进行信息的记录和再生。当上述N个信息层从激光光束入射侧的相反侧开始依次为第1信息层～第N信息层时，N个信息层中包含的第L信息层(L是满足2≤L≤N的整数)从激光光束入射侧开始至少依次含有通过照射激光光束能引起相变的记录层(135)、反射层(132)和透过率调节层(131)。透过率调节层(131)含有选自Ti、Zr、Hf、Y、Cr、Zn、Ga、Co、Bi、In、Ta和Ce中的至少1种元素M和Nb及氧(O)。透过率调节层(131)中的Nb的含有比例为2.9原子％以上。
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公开(公告)号：CN100466077C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410048920.7
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 本发明提供光学信息记录介质，其含有记录层，且通过激光束照射所述记录层而进行信息的记录与再现，其特征在于：所述记录层含有低氧化物Te-O-M与材料X的混合物，其中M是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素，X是从氟化物、碳化物、氮化物以及除Te氧化物外的氧化物之中选择的至少一种化合物，其中低氧化物是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物；在所述Te-O-M中所述M的原子浓度为x原子%、所述Te的原子浓度为y原子%的场合，所述x以及所述y满足0.05y≤x≤y的关系；所述混合物中含有的所述材料X为30摩尔%或以下；以及所述记录层的厚度为3nm至20nm。还提供该光学信息记录介质的制造方法。
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公开(公告)号：CN101336453A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680052095.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质，包含：能够使用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层(19、26)、与记录层(19、26)相接的作为氧化物层的界面层(18、20、25、27)。记录层(19)含有以式子：GeαBiβTeγM100－α－β－γ(原子％)(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge－Bi－Te－M系材料。界面层(18、20、25、27)含有至少一种记录层(19、26)中所含的元素M的氧化物。
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公开(公告)号：CN100426399C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510054758.4
申请日：2005-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/24 , Y10T428/21
Abstract: 提供了一种记录介质，其在透明衬底上至少具有记录层。记录层从最靠近透明衬底的一侧开始依次至少具有第一可相变膜和第二可相变膜。第一可相变膜和第二可相变膜每个都包含至少10原子百分比且不超过50原子百分比的锗以及至少45原子百分比且不超过60原子百分比的碲。第一和第二可相变膜均还包含铋，但第一和第二可相变膜中所包含的铋含量的差至少为2原子百分比。
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公开(公告)号：CN100401384C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510052932.1
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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