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公开(公告)号:CN104321844A
公开(公告)日:2015-01-28
申请号:CN201480001280.6
申请日:2014-03-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/2059 , H01G9/2009 , H01G9/2031 , H01M14/00 , H01M14/005 , Y02E10/542
Abstract: 本公开提供一种光电转换元件(100),其具有光阳极(15)、对电极(32)、配置于光阳极(15)与对电极(32)之间的固体化合物层(22)、与对电极(32)隔着间隙配置的电荷蓄积电极(55)、和包含于固体化合物层(22)中并且充满间隙的电解质介质(24)。
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公开(公告)号:CN103477407A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201280015745.4
申请日:2012-12-10
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 学校法人早稻田大学
CPC classification number: H01L51/5209 , H01B1/00 , H01B1/20 , H01G9/2009 , H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L31/022425 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0059 , H01L51/441 , H01L51/442 , H01L2251/306 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供一种电极复合体,其具有大面积的反应界面并可以构成在反应界面和电极之间具有高电子输送性能的光电元件。此电极复合体设置有第一电极和层积在所述第一电极上的导电粒子层。该导电粒子层包括含有针状粒子的导电粒子。导电粒子层具有通过导电粒子的相互连接而形成的三维多孔网络结构。三维网络结构接合至第一电极。基于在所述导电粒子层中全部孔隙的体积,所述导电粒子层含有的孔径为50nm以上的孔隙的总体积为50%以上。
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公开(公告)号:CN103339792A
公开(公告)日:2013-10-02
申请号:CN201280007226.3
申请日:2012-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 学校法人早稻田大学
CPC classification number: H01G9/2018 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0072 , H01L51/422 , Y02E10/542
Abstract: 所提供的是光电元件,所述光电元件显示具有低的电阻损失和出色的光电转换效率,并且配备有电子输送层,所述电子输送层具有出色的电子传输性质和足够宽的反应界面。所述光电元件还配备有:第一电极(3)、第二电极(4)、插入在第一电极(3)与第二电极(4)之间的电子输送层(1)和空穴输送层(5)、电解质溶液和增感染料。电子输送层(1)包含具有能够重复氧化-还原的氧化-还原位点的有机化合物。电解质溶液用来稳定化氧化-还原位点的还原态。有机化合物和电解质溶液形成凝胶层(2)。提供增感染料与所述电子输送层(1)接触。空穴输送层(5)含有电荷传输体,所述电荷传输体具有2,000至100,000的数均分子量并且用来还原在增感染料氧化时所得到的。
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公开(公告)号:CN103503099B
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201280020287.3
申请日:2012-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 学校法人早稻田大学
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2018 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/5064 , H01L51/508 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电元件。本发明涉及具备第一电极(1)、与该第一电极(1)相面对地配置的第二电极(2)、设于所述第一电极(1)的与所述第二电极(2)相面对的面的半导体(3)、担载于该半导体(3)上的光敏化剂(4)、夹设于所述第一电极(1)与所述第二电极(2)之间的第一电荷传输层(5)、夹设于该第一电荷传输层(5)与所述第二电极(2)之间的第二电荷传输层(6)的光电元件。所述第一电荷传输层(5)和所述第二电荷传输层(6)各自独立地具有氧化还原物质,第一电荷传输层(5)的氧化还原物质的氧化还原电位比第二电荷传输层(6)的氧化还原物质的氧化还原电位高。
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公开(公告)号:CN103477408B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201280015921.4
申请日:2012-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 学校法人早稻田大学
CPC classification number: H01L51/0067 , H01G9/2059 , H01L51/0006 , H01L51/004 , H01L2251/306 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光电元件(A),所述光电元件(A)包括第一电极(2)、与所述第一电极(2)相对安置的第二电极(3)、设置在所述第一电极(2)的与所述第二电极(3)相对的表面上的电子输送层(1)、负载在所述电子输送层(1)上的光学增感剂(5)和插入所述第一电极(2)与所述第二电极(1)包括含有有机分子的填充部分(8)。(3)之间的空穴输送层(4)。所述的电子输送层
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公开(公告)号:CN103339792B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201280007226.3
申请日:2012-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 学校法人早稻田大学
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2018 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0043 , H01L51/0072 , H01L51/422 , Y02E10/542
Abstract: 所提供的是光电元件,所述光电元件显示具有低的电阻损失和出色的光电转换效率,并且配备有电子输送层,所述电子输送层具有出色的电子传输性质和足够宽的反应界面。所述光电元件还配备有:第一电极(3)、第二电极(4)、插入在第一电极(3)与第二电极(4)之间的电子输送层(1)和空穴输送层(5)、电解质溶液和增感染料。电子输送层(1)包含具有能够重复氧化-还原的氧化-还原位点的有机化合物。电解质溶液用来稳定化氧化-还原位点的还原态。有机化合物和电解质溶液形成凝胶层(2)。提供增感染料与所述电子输送层(1)接触。空穴输送层(5)含有电荷传输体,所述电荷传输体具有2,000至100,000的数均分子量并且用来还原在增感染料氧化时所得到的。
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公开(公告)号:CN102792515B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201180007780.7
申请日:2011-02-04
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 学校法人早稻田大学
CPC classification number: H01L51/4226 , H01G9/2018 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供具备具有优异的电子输送特性和足够宽的反应界面的电子输送层、且转换效率优异的光电元件。在本发明中,光电元件具有第一电极(4)、第二电极(6)、夹持于所述第一电极(4)与所述第二电极(6)之间的电子输送层(1)和空穴输送层(5)、电解质溶液、和导电助材(3)。所述电子输送层(1)具备具有能够重复氧化还原的氧化还原部的有机化合物。所述电解质溶液具有使所述氧化还原部的还原状态稳定化的功能。所述有机化合物和所述电解质溶液形成凝胶层(2)。所述导电助材(3)存在于所述凝胶层(2)内并且所述导电助材(3)的至少一部分与所述第一电极(4)相接。
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公开(公告)号:CN102598401B
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201080040295.5
申请日:2010-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 学校法人早稻田大学
CPC classification number: H01L51/5032 , H01G9/2059 , H01L51/0072 , H01L51/5048 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供具备空穴传输层、转换效率优异的光电元件,该空穴传输层具有优异的空穴传输特性和足够宽大的反应界面。本发明所涉及的光电元件具备一对电极、夹在该电极间的电子传输层及空穴传输层、和电解质溶液。所述空穴传输层具备第一有机化合物,该第一有机化合物具有能反复氧化还原的氧化还原部。所述电解质溶液使所述氧化还原部的还原状态稳定化。所述有机化合物和所述电解质溶液构成第一凝胶层。
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公开(公告)号:CN102439092B
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201080022143.2
申请日:2010-05-21
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 学校法人早稻田大学
CPC classification number: H01M14/005 , C09B11/02 , C09B23/0008 , C09B23/105 , C09B23/148 , C09B47/045 , C09B57/008 , C09B57/10 , C09B69/008 , H01G9/2018 , H01G9/2059 , H01L51/005 , H01L51/0061 , H01L51/0068 , H01L2251/306 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供通过应用于光电转换元件而能发挥高光电转换效率的光吸收材料。本发明的光吸收材料具有下述式(1)表示的结构。X-Y …(1)X表示光吸收部位,Y表示在氧化状态和还原状态中的至少一种状态下为自由基且能重复氧化还原的自由基部位。
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公开(公告)号:CN103503099A
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201280020287.3
申请日:2012-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 学校法人早稻田大学
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2018 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L51/5064 , H01L51/508 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供一种光电转换效率高的光电元件。本发明涉及具备第一电极(1)、与该第一电极(1)相面对地配置的第二电极(2)、设于所述第一电极(1)的与所述第二电极(2)相面对的面的半导体(3)、担载于该半导体(3)上的光敏化剂(4)、夹设于所述第一电极(1)与所述第二电极(2)之间的第一电荷传输层(5)、夹设于该第一电荷传输层(5)与所述第二电极(2)之间的第二电荷传输层(6)的光电元件。所述第一电荷传输层(5)和所述第二电荷传输层(6)各自独立地具有氧化还原物质,第一电荷传输层(5)的氧化还原物质的氧化还原电位比第二电荷传输层(6)的氧化还原物质的氧化还原电位高。
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