公开(公告)号：CN103380490A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280009476.0

申请日：2012-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66742 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  H01L51/52

Abstract: 在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与所述第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，在所述第1开口部内露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与第1开口部底部的面积的中心位置相比，向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，在其底部露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比，向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。

公开(公告)号：CN103370776B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201280008788.X

申请日：2012-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件、以及有机EL显示装置。薄膜晶体管元件形成在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部内。源电极、漏电极层叠形成在栅电极的上方，在与叠层方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置。绝缘层插置在栅电极与源电极及漏电极之间。在第1开口部的底部，半导体层形成在源电极与漏电极之间的间隙以及源电极和漏电极之上，与源电极和漏电极紧密接触。在第1开口部底部的绝缘层上，亲液层与源电极、漏电极分别地形成，具有比绝缘层高的亲液性，在俯视第1开口部的底部的情况下，其表面积的中心位置从第1开口部底部的面积的中心位置向一方侧远离。

公开(公告)号：CN103380490B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280009476.0

申请日：2012-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66742 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  H01L51/52

Abstract: 在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与所述第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，在所述第1开口部内露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与第1开口部底部的面积的中心位置相比，向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，在其底部露出的源电极和漏电极的表面积之和的中心位置，与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比，向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。

公开(公告)号：CN103384911A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201280009472.2

申请日：2012-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/32 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5315

Abstract: 在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，所述第1开口部内的亲液层的表面积的中心位置，与底部的面积的中心位置相比向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，另外，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，其底部的亲液层的表面积的中心位置与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。

公开(公告)号：CN102292816A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080002106.5

申请日：2010-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 受田高明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/057

Abstract: 本发明涉及有机半导体装置及其制造方法。提供能够防止有机半导体层劣化的有机半导体装置。具备：基板(11)；在基板上形成的栅电极(12)；在栅电极上形成的栅绝缘膜(13)；在栅绝缘膜上形成的漏电极(14)；以包围漏电极的方式形成的环状的源电极(15)；形成于栅绝缘膜上的由源电极包围的区域的有机半导体层(17)；形成于栅绝缘膜上源电极的外侧的导电性引导部件(16)；以及在由导电性引导部件包围的区域形成的保护膜(18)。

公开(公告)号：CN103477440B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280015998.1

申请日：2012-09-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 受田高明 ,  宫本明人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，包括：在基板（1）上形成栅电极（2）的工序；在栅电极上形成栅极绝缘膜（3）的工序；在栅极绝缘膜上形成源电极（4S）和漏电极（4D）的工序；在源电极和漏电极上形成牺牲层（5）的工序；在牺牲层上形成隔壁层（6R）的工序；通过对隔壁层进行图案形成，使牺牲层的一部分露出而形成开口的工序；通过除去露出的牺牲层，使源电极和漏电极露出的工序；和遍及源电极和漏电极的上表面以及栅极绝缘膜的上表面而形成有机半导体层（7）的工序，从开口露出的源电极和漏电极的表面积为开口面积的50%以上，源电极与漏电极的间隔小于至少一部分位于源电极和漏电极上的有机半导体层的结晶的平均粒径。

公开(公告)号：CN103460357B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201280008791.1

申请日：2012-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。

公开(公告)号：CN103650149B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180072172.4

申请日：2011-08-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 是泽康平 ,  奥本有子 ,  笹井谦一 ,  受田高明

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及的显示面板装置（100）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上的第1源电极（41）；形成于第1源电极上的第2源电极（42）；形成于栅极绝缘膜上的第1漏电极（51）；形成于第1漏电极上的第2漏电极（52）；第1隔壁部（6），其具有至少露出第2源电极的一部分和第2漏电极的一部分的开口；半导体层（7），其形成于开口内，至少与第2源电极和第2漏电极接触；形成于半导体层的上方的绝缘层（8）；形成于绝缘层上的下部电极（9）；以及接触孔（8H），其形成于绝缘层，用于将下部电极与第2漏电极或第2漏电极连接，第2源电极和第2漏电极的膜构造比第1源电极和第1漏电极的膜构造疏。

公开(公告)号：CN103650149A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180072172.4

申请日：2011-08-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 是泽康平 ,  奥本有子 ,  笹井谦一 ,  受田高明

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及的显示面板装置（100）包括：基板（1）；形成于基板上的栅电极（2）；形成于栅电极上的栅极绝缘膜（3）；形成于栅极绝缘膜上的第1源电极（41）；形成于第1源电极上的第2源电极（42）；形成于栅极绝缘膜上的第1漏电极（51）；形成于第1漏电极上的第2漏电极（52）；第1隔壁部（6），其具有至少露出第2源电极的一部分和第2漏电极的一部分的开口；半导体层（7），其形成于开口内，至少与第2源电极和第2漏电极接触；形成于半导体层的上方的绝缘层（8）；形成于绝缘层上的下部电极（9）；以及接触孔（8H），其形成于绝缘层，用于将下部电极与第2漏电极或第2漏电极连接，第2源电极和第2漏电极的膜构造比第1源电极和第1漏电极的膜构造疏。

公开(公告)号：CN103503124A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201180070586.3

申请日：2011-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上以在Y轴方向上相互隔开间隔的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）、连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012a）连接。在绝缘层（1013）上形成开有开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016）以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。隔壁（1016）的面对开口部（1016b、1016c）的侧面部为斜面，侧面部（1016e、1016f）以与其他侧面部（1016d、1016g、1016h～1016k）相比缓和的倾斜形成。