-
公开(公告)号：CN103384911B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280009472.2
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/32 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/283 , H01L27/3274 , H01L29/66765 , H01L51/0003 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H01L2227/323 , H01L2251/5315
Abstract: 在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部和第2开口部内，分别形成有薄膜晶体管元件。在隔壁，在以隔开间隔的状态与第1开口部相邻的一侧、且与第2开口部相邻的一侧的不同侧，设置有第3开口部，在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，所述第1开口部内的亲液层的表面积的中心位置，与底部的面积的中心位置相比向与第3开口部相邻的一侧的不同侧远离，另外，在俯视第1开口部的底部和第2开口部的底部的情况下，对于第1开口部和第2开口部的一方，其底部的亲液层的表面积的中心位置与所述一方的开口部底部的面积的中心位置相比向与另一方的开口部相邻的一侧的不同侧远离。
-
公开(公告)号：CN103460357A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280008791.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/08 , H05B33/10
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/66765 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。
-
公开(公告)号：CN103370775A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280008787.5
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/283 , H01L27/3262 , H01L51/0005 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。
-
公开(公告)号：CN103503124B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180070586.3
申请日：2011-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L27/3274 , H01L51/0512 , H01L51/0558 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上以在Y轴方向上相互隔开间隔的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）、连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012a）连接。在绝缘层（1013）上形成开有开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016）以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。隔壁（1016）的面对开口部（1016b、1016c）的侧面部为斜面，侧面部（1016e、1016f）以与其他侧面部（1016d、1016g、1016h～1016k）相比缓和的倾斜形成。
-
公开(公告)号：CN103370775B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201280008787.5
申请日：2012-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L27/283 , H01L27/3262 , H01L51/0005 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103477440A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280015998.1
申请日：2012-09-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/102
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，包括：在基板（1）上形成栅电极（2）的工序；在栅电极上形成栅极绝缘膜（3）的工序；在栅极绝缘膜上形成源电极（4S）和漏电极（4D）的工序；在源电极和漏电极上形成牺牲层（5）的工序；在牺牲层上形成隔壁层（6R）的工序；通过对隔壁层进行图案形成，使牺牲层的一部分露出而形成开口的工序；通过除去露出的牺牲层，使源电极和漏电极露出的工序；和遍及源电极和漏电极的上表面以及栅极绝缘膜的上表面而形成有机半导体层（7）的工序，从开口露出的源电极和漏电极的表面积为开口面积的50%以上，源电极与漏电极的间隔小于至少一部分位于源电极和漏电极上的有机半导体层的结晶的平均粒径。
-
公开(公告)号：CN103210698A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180037873.4
申请日：2011-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/467 , H01L23/53295 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/5203 , H01L2227/323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 显示面板的制造方法包括：在第1层上形成构成第2层的感光性材料的层的子工序；在感光性材料的层上配置光掩模的子工序，所述光掩模的光透射性在俯视与预定形成第2开口部的部位重叠的第1区域和其以外的第2区域不同；以及经由光掩模对构成第2层的感光性材料的层进行曝光的子工序；俯视下光掩模的第1区域的面积比第1层的第1开口部的面积大。
-
公开(公告)号：CN103503153B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201180070581.0
申请日：2011-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L51/0508 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上，以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）以及连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012c）连接。在绝缘层（1013）上形成有规定开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016），以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。在开口部（1016）的内部，源电极（1014a）和漏电极（1014c）的表面积之和的X轴方向的中心（L3）与开口部（1016b）的底部的中心（L1）相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁（1016）、绝缘层（1013）、电极（1014a、1014c）的顺序由高变低。
-
公开(公告)号：CN102292816B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080002106.5
申请日：2010-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 受田高明
IPC: H01L29/786 , H01L21/312 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/057
Abstract: 本发明涉及有机半导体装置及其制造方法。提供能够防止有机半导体层劣化的有机半导体装置。具备：基板(11)；在基板上形成的栅电极(12)；在栅电极上形成的栅绝缘膜(13)；在栅绝缘膜上形成的漏电极(14)；以包围漏电极的方式形成的环状的源电极(15)；形成于栅绝缘膜上的由源电极包围的区域的有机半导体层(17)；形成于栅绝缘膜上源电极的外侧的导电性引导部件(16)；以及在由导电性引导部件包围的区域形成的保护膜(18)。
-
公开(公告)号：CN103503153A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180070581.0
申请日：2011-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/1292 , H01L27/3248 , H01L51/0508 , H01L51/0558
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上，以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）以及连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012c）连接。在绝缘层（1013）上形成有规定开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016），以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。在开口部（1016）的内部，源电极（1014a）和漏电极（1014c）的表面积之和的X轴方向的中心（L3）与开口部（1016b）的底部的中心（L1）相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁（1016）、绝缘层（1013）、电极（1014a、1014c）的顺序由高变低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.034 seconds)
