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公开(公告)号:CN103503190A
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201380001017.2
申请日:2013-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5096 , H01L51/52 , H01L2251/552
Abstract: 一种有机EL元件(1),具备:阳极(2)和阴极(6);缓冲层(4);和设置于阳极(2)和缓冲层(4)之间,且包含能取得作为第1价数的+3以及作为第2价数的+2的Ni的氧化物NiO的空穴注入层(3)。在此,Ni3+的氧化物的导电性比Ni2+的氧化物的导电性大。另外,在空穴注入层(3)中,Ni3+的原子数相对于Ni2+的原子数之比为60%以上。
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公开(公告)号:CN103053041A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201080068393.X
申请日:2010-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L2251/5369
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件,能够耐受有机EL显示面板的量产工艺,且能实现优异的空穴注入效率,在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言,在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(3)、缓冲层(6A)、发光层(6B)、阴极(8)而构成有机EL元件(1000)。在空穴注入层(3)的表面形成堤(12)以使得包围所述缓冲层(6A)以上的结构。空穴注入层(3)通过溅射成膜氧化钨薄膜来形成。此时,将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8~3.6eV的结合能区域内存在占有能级,降低对所述缓冲层(6A)的空穴注入势垒。在空穴注入层(3)的上面形成凹部(4a),使该凹部的内面与功能层(缓冲层(6A)或发光层(6B))接触。
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公开(公告)号:CN103026523A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201080068298.X
申请日:2010-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/56 , H05B33/22
Abstract: 本发明提供采用了可得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件。有机EL元件(1)在阳极(2)与阴极(6)之间,具有包含有机材料而成的功能层(4、5)和用于向所述功能层(4、5)注入空穴的空穴注入层(3),空穴注入层(3)为包含金属氧化物的金属氧化物膜;构成金属氧化物的金属元素以该金属元素能够取得的最大化合价的状态以及比该最大化合价低的化合价的状态包含于金属氧化物膜;并且金属氧化物膜包含粒径为纳米量级的大小的金属氧化物的晶体(9)。
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公开(公告)号:CN102473847A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080025874.2
申请日:2010-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L2251/55
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件、显示装置以及发光装置。在有机EL元件(1)中,在阳极(2)和阴极(6)之间设置有空穴注入层(3)和功能层(4、5),所述功能层包含有机材料,被从所述空穴注入层(3)注入空穴,所述空穴注入层(3)包含氧化钨,在基于UPS测量的UPS光谱中,在比价电子带的上端低的结合能区域的费米面附近具有隆起的形状,根据XPS测量,所述氧化钨的钨原子和氧原子以外的其他原子相对于所述钨原子的数量密度比为0.83以下。由此,能够以高辉度进行发光且以低电压进行驱动。
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公开(公告)号:CN102414857A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201080019186.5
申请日:2010-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5004 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件,能够耐受有机EL显示板的量产工艺,且实现优异的空穴注入效率,在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言,在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(3)、缓冲层(4)、发光层(5)、阴极(6)而构成有机EL元件(1)。在空穴注入层(3)的表面形成堤(12)以使得包围所述缓冲层(4)以上的结构。空穴注入层(3)通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时,将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8~3.6eV的结合能区域内存在占有能级,降低对所述缓冲层的空穴注入势垒。
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