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公开(公告)号：CN103053040A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080068374.7
申请日：2010-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L51/56 , H01L2251/5369 , H05B33/22
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示面板的量产工艺，且能实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板（1）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（4）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8）而构成有机EL元件（1000）。在空穴注入层（4）的表面形成堤（5）以使得包围所述缓冲层（6A）以上的结构。空穴注入层（4）通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中在比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低相对于所述缓冲层的空穴注入势垒。在此，在由所述堤（5）规定的区域形成所述功能层侧的表面的一部分与其他部分相比更位于所述阳极一侧的凹陷构造，由所述堤的一部分覆盖所述凹陷构造的凹部的边缘。
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公开(公告)号：CN102414857B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080019186.5
申请日：2010-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5004 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示板的量产工艺，且实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(3)、缓冲层(4)、发光层(5)、阴极(6)而构成有机EL元件(1)。在空穴注入层(3)的表面形成堤(12)以使得包围所述缓冲层(4)以上的结构。空穴注入层(3)通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低对所述缓冲层的空穴注入势垒。
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公开(公告)号：CN103053042A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080068394.4
申请日：2010-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/50 , H01L27/3246 , H01L51/5088 , H01L51/56 , H01L2251/5369
Abstract: 提供采用了可得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件。具备配置于阳极（2）与阴极（8）之间且由包括使用有机材料形成的发光层（6B）的1层或多层构成的功能层（6）、配置于阳极（2）与功能层（6）之间的空穴注入层（4）和规定发光层（6B）的堤栏（5）；空穴注入层（4）包含氧化钨；构成氧化钨的钨元素以6价的状态及比该6价低的化合价的状态包含于空穴注入层（4）；且空穴注入层（4）包含粒径为纳米量级的大小的氧化钨的晶体；在由堤栏（5）规定的区域，功能层（6）侧的表面的一部分形成为比其他的部分位于靠阳极（2）侧的凹入构造；凹入构造的凹部的内面与功能层（6）接触。
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公开(公告)号：CN103038909A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201080068375.1
申请日：2010-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L51/56 , H01L2251/5369
Abstract: 本发明提供一种采用了能得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件及其制造方法。有机EL元件具备：功能层（6），其配置在阳极（2）与阴极（8）之间，由包括使用有机材料形成的发光层（6B）的一层或者多层构成；空穴注入层（4），其配置在阳极（2）与功能层（6）之间；以及堤（5），其规定发光层（6B），空穴注入层（4）包含氧化钨，构成氧化钨的钨元素以六价的状态以及比该六价低的价数的状态包含在空穴注入层（4）中，并且，空穴注入层（4）包含粒径为纳米级大小的氧化钨的结晶，在由堤（5）规定的区域，空穴注入层（4）形成为凹陷构造，所述凹陷构造为空穴注入层（4）的功能层侧（6）的表面的一部分比其它部分更靠阳极（2）一侧的构造，凹陷构造的凹部的边缘（4c）被堤（5）的一部分覆盖。
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公开(公告)号：CN102414857A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019186.5
申请日：2010-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5004 , H01L2251/552
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示板的量产工艺，且实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板(10)的一面依次层叠阳极(2)、空穴注入层(3)、缓冲层(4)、发光层(5)、阴极(6)而构成有机EL元件(1)。在空穴注入层(3)的表面形成堤(12)以使得包围所述缓冲层(4)以上的结构。空穴注入层(3)通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低对所述缓冲层的空穴注入势垒。
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公开(公告)号：CN103503190A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201380001017.2
申请日：2013-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5096 , H01L51/52 , H01L2251/552
Abstract: 一种有机EL元件（1），具备：阳极（2）和阴极（6）；缓冲层（4）；和设置于阳极（2）和缓冲层（4）之间，且包含能取得作为第1价数的+3以及作为第2价数的+2的Ni的氧化物NiO的空穴注入层（3）。在此，Ni3+的氧化物的导电性比Ni2+的氧化物的导电性大。另外，在空穴注入层（3）中，Ni3+的原子数相对于Ni2+的原子数之比为60%以上。
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公开(公告)号：CN103053041A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080068393.X
申请日：2010-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L2251/5369
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示面板的量产工艺，且能实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板（10）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（3）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8）而构成有机EL元件（1000）。在空穴注入层（3）的表面形成堤（12）以使得包围所述缓冲层（6A）以上的结构。空穴注入层（3）通过溅射成膜氧化钨薄膜来形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中使比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低对所述缓冲层（6A）的空穴注入势垒。在空穴注入层（3）的上面形成凹部（4a），使该凹部的内面与功能层（缓冲层（6A）或发光层（6B））接触。
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公开(公告)号：CN103026523A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201080068298.X
申请日：2010-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/56 , H05B33/22
Abstract: 本发明提供采用了可得到良好的空穴传导效率的空穴注入层的有机EL元件。有机EL元件（1）在阳极（2）与阴极（6）之间，具有包含有机材料而成的功能层（4、5）和用于向所述功能层（4、5）注入空穴的空穴注入层（3），空穴注入层（3）为包含金属氧化物的金属氧化物膜；构成金属氧化物的金属元素以该金属元素能够取得的最大化合价的状态以及比该最大化合价低的化合价的状态包含于金属氧化物膜；并且金属氧化物膜包含粒径为纳米量级的大小的金属氧化物的晶体（9）。
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