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公开(公告)号：CN1179335C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN98109250.0
申请日：1998-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
Abstract: 一种耐气候性优良、具有良好的记录擦除特性和重复特性的光学信息记录媒体，设置有含Ge层，以附接于信息层(3)上，该层(7)、(8)是由GeXN和GeXON中选出的至少一种为主要成分的扩散防止层。其中，成分X由IIIa、IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIb族元素和C中选出的至少一种元素构成，信息层(3)由以Ge、Te和Sb三种元素为主要成分的相变材料构成。
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公开(公告)号：CN1445770A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03121628.5
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 提供即使在记录层和电介质层之间不设置界面层，也能够确保高可靠性和良好的反复重写性能的信息记录介质。本发明的信息记录介质，在基片1的表面形成记录层4及电介质层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在结晶相和非结晶相之间产生相变，电介质层2和6是含有选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr和Si构成的组GM中的至少一种元素的氧化物和、选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er和Yb构成的组GL中的至少一种元素的氟化物的氧化物－氟化系材料层。
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公开(公告)号：CN1412749A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02147334.X
申请日：2002-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/007
Abstract: 一种具有2个或更多信息层的光信息记录媒体，其特征在于：利用激光光束聚集于信息层，使信息信号被记录或再现；位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有1个记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，并且0≤|Tc－Ta|/Tc≤0.1，其中Tc是在记录层是a状态时较近位置的信息层的透射率，Ta是在b状态时的透射率。不论在较近的信息层上是否记录过任何信息，本发明可能使信息精确地记录在较远信息层上和从该层再现出来。
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公开(公告)号：CN100589191C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200410058644.2
申请日：2004-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的信息记录介质包含至少一种如下的氧化物基材料层：(I)含有Zr，选自由La、Ga和In组成的组GL1中的至少一种元素，和氧的氧化物基材料层；(II)含有M1(M1为Hf，或为Zr和Hf的混合物)，选自由La、Ce、Al、Ga、In、Mg和Y组成的组GL2中的至少一种元素，和O的氧化物基材料层；(III)含有选自由Zr和Hf组成的组GM2中的至少一种元素、选自组GL2中的至少一种元素、Si和O的氧化物基材料层；(IV)含有选自组GM2中的至少一种元素、选自组GL2中的至少一种元素、Cr和O的氧化物基材料层。例如，这种氧化物基材料层可以用作介电层(2、6)。
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公开(公告)号：CN100514452C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610135901.7
申请日：2002-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/005
Abstract: 一种具有2个或更多信息层的光信息记录媒体，其特征在于：利用激光光束聚集于信息层，使信息信号被记录或再现；位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有1个记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，并且0≤|Tc-Ta|/Tc≤0.1其中Tc是在记录层是a状态时较近位置的信息层的透射率，Ta是在b状态时的透射率。不论在较近的信息层上是否记录过任何信息，本发明可能使信息精确地记录在较远信息层上和从该层再现出来。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1979649A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610135901.7
申请日：2002-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/005
Abstract: 一种具有2个或更多信息层的光信息记录媒体，其特征在于：利用激光光束聚集于信息层，使信息信号被记录或再现；位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有1个记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，并且0≤|Tc－Ta|/Tc≤0.1，其中Tc是在记录层是a状态时较近位置的信息层的透射率，Ta是在b状态时的透射率。不论在较近的信息层上是否记录过任何信息，本发明可能使信息精确地记录在较远信息层上和从该层再现出来。
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公开(公告)号：CN1287360C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02147334.X
申请日：2002-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/007
Abstract: 一种具有2个或更多信息层的光信息记录媒体，其特征在于：利用激光光束聚集于信息层，使信息信号被记录或再现；位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有1个记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，并且0≤|Tc-Ta|/Tc≤0.1其中Tc是记录层在结晶态时较近位置的信息层的透射率，Ta是记录层在非结晶态时的所述同一信息层的透射率。不论在较近的信息层上是否记录过任何信息，本发明可能使信息精确地记录在较远信息层上和从该层再现出来。
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公开(公告)号：CN1577549A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058644.2
申请日：2004-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的信息记录介质包含至少一种如下的氧化物基材料层：(I)含有Zr，选自由La、Ga和In组成的组GL1中的至少一种元素，和氧的氧化物基材料层；(II)含有M1(M1为Hf，或为Zr和Hf的混合物)，选自由La、Ce、Al、Ga、In、Mg和Y组成的组GL2中的至少一种元素，和O的氧化物基材料层；(III)含有选自由Zr和Hf组成的组GM2中的至少一种元素、选自组GL2中的至少一种元素、Si和O的氧化物基材料层；(IV)含有选自组GM2中的至少一种元素、选自组GL2中的至少一种元素、Cr和O的氧化物基材料层。例如，这种氧化物基材料层可以用作介电层(2、6)。
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公开(公告)号：CN1577548A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410058643.8
申请日：2004-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/252 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 在本发明的信息记录介质中，在基片(1)的一面上形成有记录层(4)和第一介电层(2)和第二介电层(6)。在记录层中，通过光照射或施加电能来进行信息的记录和/或再生。所述介电层是：含有选自由Sn、Ga和Zn组成的GM组中的至少一种元素的氧化物，和选自由Al、Si和B组成的GL组中的至少一种元素的氧化物和/或氮化物的氧化物基材料层或氧化物－氮化物基材料层；或含有选自La和Ce中的至少一种元素的氟化物，和选自GM组中的至少一种元素的氧化物的氧化物－氟化物基材料层。
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公开(公告)号：CN1538421A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031432.5
申请日：2004-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括透明衬底和在该透明衬底上提供的多层薄膜。多层薄膜至少包括能通过光束照射以光学方式被检测的在两个或多个不同状态之间改变的记录层，以及光吸收层，该记录层和该光吸收层从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列。该记录层包含由分子式Gex(BiySb1－y)2Tex+3(其中，x≥5以及0＜y≤1)表示的材料作为主要成分。包括记录层的这种多层薄膜也适用于包括从接近该透明衬底的一侧按所提及的顺序排列的、位于该透明衬底上的第一信息层至第N信息层(N为2或更大的整数)的多层记录介质。在这种情况下，第一信息层至第N信息层的至少一个具有与多层薄膜相同的结构。
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