公开(公告)号：CN103026702A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036346.1

申请日：2011-02-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田隆彦 ,  山田隆善 ,  加藤刚久

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/347

CPC classification number: H04N5/335 ,  H04N5/2329 ,  H04N5/3532 ,  H04N5/374 ,  H04N5/37457

Abstract: 本发明的目的在于提供一种动画变形少的MOS型固体摄像元件，具备：多个像素，排列为二维状，分别输出初始状态的电信号和受光后状态的电信号；第一列信号线(7)，与像素的列对应设置，传递来自对应的像素的列的初始状态的电信号以及受光后状态的电信号；第一保持电路部(2)，与第一列信号线(7)对应设置，保持通过对应的第一列信号线(7)从像素传递来的初始状态的电信号以及受光后状态的电信号；以及第一差分电路部(3)，输出第一保持电路部(2)所保持的初始状态的电信号以及受光后状态的电信号的差分；第一保持电路部(2)包括能够保持像素的初始状态的电信号以及受光后状态的电信号的单位保持电路，该单位保持电路的数量是与对应的第一列信号线(7)对应设置的像素的数量。

公开(公告)号：CN1447433A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107287.9

申请日：2003-03-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  嶋田恭博 ,  山田隆善

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/22 ,  G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种半导体存储装置及其驱动方法，各存储器单元块(MC)具有：选择晶体管(Q)和铁电电容器(C)构成的多个存储器单元、选择晶体管(QREF)和铁电电容器(CREF)构成的参考数据存储存储器单元、读出晶体管(QR)、位线(BL)、子位线(SBL)、复位线(RST)。读出晶体管(QR)的栅极接子位线(SBL)的一端、漏极连接位线(BL)的一端、源极连接复位线RST的一端。相邻的存储器单元块(MC)的子位线(SBL)的其他端之间经子位线耦合晶体管(QS)互相连接。从而可以降低半导体存储装置的存储器单元面积。

公开(公告)号：CN101052862B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200680001148.0

申请日：2006-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田隆彦 ,  山口琢己 ,  春日繁孝 ,  山田隆善

IPC: G01J1/02 ,  G01V8/10 ,  G01J1/42 ,  H01L27/14 ,  G01J5/20 ,  H04N5/33 ,  G01J5/48

CPC classification number: H01L27/14649 ,  G01J5/34 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/345 ,  G01V8/10 ,  H01L27/1443 ,  H04N5/33

Abstract: 红外线传感器包括：被配置成矩阵状的多个参考像素单元2、对应于各个参考像素单元2而设的串联电容元件14。参考像素单元2中包括：输出线30、经由控制开关17连接在输出线30和接地线之间的参考电容元件13、以及经由控制开关16连接在输出线30和接地线之间的多个红外线检测电容元件12。串联电容元件14与输出线30相连接。

公开(公告)号：CN101516004A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910007898.4

申请日：2009-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 春日繁孝 ,  加藤刚久 ,  村田隆彦 ,  山田隆善

IPC: H04N5/335 ,  H03M1/34

CPC classification number: H04N5/378 ,  H04N5/3742

Abstract: 本发明是一种固体摄像装置，不需要高速的时钟就可以高速地输出数字信号，其中包括：被排列为行列状的多个像素电路(11)，对接受的光进行光电转换；以及模数转换部(70)，将作为所述光电转换的结果的信号电压，转换为以多个位表示的数字信号；模数转换部(70)具有：基准电压生成部(40)，在所述信号电压能够变化的电压范围内，生成彼此互不相同的多个基准电压；最高有效位转换部(20)，在将各个基准电压作为基点的多个电压区间中，确定包含所述信号电压的电压区间，并将确定结果作为所述数字信号的最高有效位的值；以及最低有效位转换部(30)，将作为所述被确定的电压区间的基点的基准电压和所述信号电压之间的电压差，转换为所述数字信号的最低有效位。

公开(公告)号：CN1303692C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN03154304.9

申请日：2003-08-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  嶋田恭博 ,  山田隆善

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34 ,  H01L21/82

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法和驱动方法。在将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器的2个电极上施加读出电压，以增加读出极化值时的动作余量。半导体存储装置装备有具有将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器(C0)、(C1)的多个存储器单元。在构成多个存储器单元中的作为读出数据的存储器单元的强电介质电容器(C0)、(C1)的2个电极之间施加读出电压，并通过检测强电介质电容器(C0)、(C1)的极化值来读出存储在强电介质电容器(C0)、(C1)的数据。强电介质电容器(C0)、(C1)的滞后曲线向与读出电压的极性相反的电压侧移动。

公开(公告)号：CN1379475A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN02108021.6

申请日：2002-03-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久 ,  山田隆善

IPC: H01L27/04 ,  G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种半导体存储装置及其驱动方法,半导体存储装置具有铁电体电容器,即使由于电子或空穴的注入使施加在铁电体电容器上的电位差消失,也能够读出铁电体电容器所保持的数据。半导体存储装置的结构是:由源区(101)、漏区(102)、沟道区(103)、栅绝缘膜(104)及浮置栅电极(105)构成场效应晶体管,通过绝缘膜在该场效应晶体管上设置铁电体电容器(113),铁电体电容器由铁电体膜(110)和上侧的第1电极(111)及下侧的第2电极(112)组成。将铁电体膜(110)的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎饱和极化值的第1状态作为数据“1”写入的同时,将铁电体膜的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎为零的极化值的第2状态作为数据“0”写入。