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公开(公告)号：CN1758380A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510099488.9
申请日：2005-09-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/06 , G11C16/22 , H01L27/115 , G06F12/14
Abstract: 本发明的半导体器件包括：存储数据的非易失性的存储单元；采用所述存储单元中存储的数据和从外部输入的数据进行运算的运算单元；以及输出所述运算单元的运算结果的输出单元，所述存储单元的输出线仅连接到所述运算单元。
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公开(公告)号：CN1482683A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03154304.9
申请日：2003-08-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C7/1048 , G11C7/12
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法和驱动方法。在将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器的2个电极上施加读出电压，以增加读出极化值时的动作余量。半导体存储装置装备有具有将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器(C0)、(C1)的多个存储器单元。在构成多个存储器单元中的作为读出数据的存储器单元的强电介质电容器(C0)、(C1)的2个电极之间施加读出电压，并通过检测强电介质电容器(C0)、(C1)的极化值来读出存储在强电介质电容器(C0)、(C1)的数据。强电介质电容器(C0)、(C1)的滞后曲线向与读出电压的极性相反的电压侧移动。
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公开(公告)号：CN100490012C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN03158167.6
申请日：2003-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。根据本发明能够对具有包含由强电介质构成的电容器的存储器和增益晶体管的半导体存储装置中的增益晶体管的偏置电压进行补偿。例如，在存储块MB00中，配置着2个存储单元MC00、MC01、复位晶体管QR00、QRX00、和增益晶体管QG00、QGX00，配置着分别使该增益晶体管QG00、QGX00的栅极电位充电的充电晶体管QS00、QSX00、截断与该增益晶体管QG00、QGX00的位线BL0电连接的电流截断晶体管QC00、QCX00。
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公开(公告)号：CN101087360A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710110276.5
申请日：2007-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N3/15 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 一种固态成像装置包括多个二维布置的像素。各个像素包括用于将可见光转变为电荷的光电转换器(2)，以及根据该光电转换器(2)具有不同的可见光透射率的灰度滤波器(6a、6b、6c)。根据这种结构，多个像素对于入射光具有不同的灵敏度。通过将具有不同灵敏度的三个像素获得的像素信号组合在一起能获得较宽的动态范围。
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公开(公告)号：CN1490821A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03158167.6
申请日：2003-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置及其驱动方法。根据本发明能够对具有包含由强电介质构成的电容器的存储器和增益晶体管的半导体存储装置中的增益晶体管的偏置电压进行补偿。例如，在存储块MB00中，配置着2个存储单元MC00、MC01、复位晶体管QR00、QRX00和增益晶体管QG00、QGX00，配置着分别使该增益晶体管QG00、QGX00的栅极电位充电的充电晶体管QS00、QSX00、截断与该增益晶体管QG00、QGX00的位线BL0电连接的电流截断晶体管QC00、QCX00。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101516004B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200910007898.4
申请日：2009-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3742
Abstract: 本发明是一种固体摄像装置，不需要高速的时钟就可以高速地输出数字信号，其中包括：被排列为行列状的多个像素电路(11)，对接受的光进行光电转换；以及模数转换部(70)，将作为所述光电转换的结果的信号电压，转换为以多个位表示的数字信号；模数转换部(70)具有：基准电压生成部(40)，在所述信号电压能够变化的电压范围内，生成彼此互不相同的多个基准电压；最高有效位转换部(20)，在将各个基准电压作为基点的多个电压区间中，确定包含所述信号电压的电压区间，并将确定结果作为所述数字信号的最高有效位的值；以及最低有效位转换部(30)，将作为所述被确定的电压区间的基点的基准电压和所述信号电压之间的电压差，转换为所述数字信号的最低有效位。
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公开(公告)号：CN101310523A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042870.9
申请日：2006-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N9/07 , H04N101/00
CPC classification number: H04N9/045 , H04N5/3742 , H04N5/378
Abstract: 本发明的目的在于提供可以实现信号输出的高速化的、二维的固体摄像装置，包括：像素区域(1)；第一电容元件(2a)以及第二电容元件(2b)，按像素的每个列被设置，蓄积像素的列的像素信号；第一水平信号线(3a)以及第二水平信号线(3b)，传输电容元件中的像素信号；共通信号线(6)，与水平信号线连接；扫描定时产生部(4)以及开关部(7)，控制从电容元件中向水平信号线的像素信号的读出；以及外部输出定时产生部(5)以及开关部(8)，选择水平信号线，从水平信号线向共通信号线(6)输出像素信号，扫描定时产生部(4)以及开关部(7)、和外部输出定时产生部(5)以及开关部(8)，为了使将像素信号从电容元件中读出到水平信号线的期间、比将像素信号从水平信号线向共通信号线(6)输出的期间长，而控制像素信号的读出以及输出。
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公开(公告)号：CN101052862A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200680001148.0
申请日：2006-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14649 , G01J5/34 , G01J2005/0048 , G01J2005/345 , G01V8/10 , H01L27/1443 , H04N5/33
Abstract: 红外线传感器包括：被配置成矩阵状的多个参考像素单元2、对应于各个参考像素单元2而设的串联电容元件14。参考像素单元2中包括：输出线30、经由控制开关17连接在输出线30和接地线之间的参考电容元件13、以及经由控制开关16连接在输出线30和接地线之间的多个红外线检测电容元件12。串联电容元件14与输出线30相连接。
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公开(公告)号：CN1258221C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN02108021.6
申请日：2002-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种半导体存储装置及其驱动方法，半导体存储装置具有铁电体电容器，即使由于电子或空穴的注入使施加在铁电体电容器上的电位差消失，也能够读出铁电体电容器所保持的数据。半导体存储装置的结构是：由源区(101)、漏区(102)、沟道区(103)、栅绝缘膜(104)及浮置栅电极(105)构成场效应晶体管，通过绝缘膜在该场效应晶体管上设置铁电体电容器(113)，铁电体电容器由铁电体膜(110)和上侧的第1电极(111)及下侧的第2电极(112)组成。将铁电体膜(110)的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎饱和极化值的第1状态作为数据“1”写入的同时，将铁电体膜的极化方向下向、且铁电体膜(110)具有几乎为零的极化值的第2状态作为数据“0”写入。
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公开(公告)号：CN1497726A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101407.5
申请日：2003-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置以及装载它的电子装置，谋求降低写入电压、增加强电介质电容器的能重写次数，以及充分长时间地确保数据保持的寿命的2个优点的并存。强电介质电容器使2个剩余极化的偏移(点b和点c)与数据“1”对应，使1个剩余极化的偏移(点a)与数据“0”对应。做到在写入数据“1”的场合，在强电介质电容器中外加电压的大小或脉冲宽度不同的2个电脉冲中的任何1个，强电介质电容器的剩余极化的偏移变成点b或c的任何1个。另一方面，做到在写入数据“0”的场合，强电介质电容器的剩余极化的偏移变成点a。
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