非易失性存储系统、非易失性存储装置、数据读出方法及读出程序

    公开(公告)号:CN100422947C

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200610054769.7

    申请日:2006-03-10

    Inventor: 本多利行

    CPC classification number: G06F11/1068

    Abstract: 本发明提供一种非易失性存储系统、非易失性存储装置、数据读出方法及读出程序,其中的非易失性存储装置具有控制器和快闪存储器。快闪存储器存储用户数据以及用于纠正用户数据中的错误的纠错码。若存在来自外部的读出命令,则从快闪存储器中读出用户数据以及纠错码。在读出的用户数据中存在错误、但可纠正的情况下,执行纠错后输出。若不能进行纠错,则原样输出该数据。

    非易失性存储器装置的控制方法

    公开(公告)号:CN1596401A

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:CN03801648.6

    申请日:2003-09-29

    CPC classification number: G06F12/0246 G06F2212/1032 G11C16/102 G11C16/16

    Abstract: 提供一种非易失性存储器装置的控制方法,在数据写入中或清除中发生电源切断等的异常而处理中断了的情况下,也能正常地进行下一次启动后的数据写入。本发明的非易失性存储器装置的控制方法具有:第一标记写入步骤,在向由多个物理块构成的非易失性存储器中写入数据时,在位于物理块的起始页的冗余区域中的、示出该起始页中是否写入着数据的第一标记中,写入示出写入着数据的固定值;数据写入步骤,向该物理块写入数据。

    半导体器件
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1474452A

    公开(公告)日:2004-02-11

    申请号:CN03142593.3

    申请日:1997-04-18

    CPC classification number: H01L28/55 H01L28/60

    Abstract: 本发明是在强电介质存储器件中,可以缓和构成强电介质电容器110a1~110a3,110b1~110b3的下部电极111a,111b及该下部电极的热应力对在其上边形成的强电介质层113的影响,并以此来抑制连接到上述下部电极上的其它的布线106a1、106a2等因该下部电极的热应力而产生断线或者下部电极加在上述强电介质层上的热应力而引起的强电介质电容器的特性离散或特性变动。其方案是把上述下部电极111a和111b做成为如下的构造:在多个部位进行弯曲使得其平面形状变成为锯齿状,而且,分割成多个布线部分111a1、111a2和111b1、111b2。

    非易失性存储装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN1473296A

    公开(公告)日:2004-02-04

    申请号:CN02802772.8

    申请日:2002-08-16

    CPC classification number: G06F12/0246

    Abstract: 提供利用缩短初始化时间改善便携设备方便性的非易失性存储装置及其控制方法。初始化时的数据有效性表编制中,首先控制部读出有效性标记和第2变换表。该标记有效时,第2变换表上的逻辑块也有效。因此,第4表编制手段可在数据有效性表将第2变换表上的全部逻辑块设定为有效。第4表编制手段利用这样进行1次读出能设定多个逻辑块。而且对已经在数据有效性设定为有效的部分逻辑块可省略数据有效性标记的读出,进至下1部分逻辑块的处理。

    非易失性存储装置、存储控制器以及不良区域检测方法

    公开(公告)号:CN101243417A

    公开(公告)日:2008-08-13

    申请号:CN200680029679.0

    申请日:2006-07-13

    CPC classification number: G06F11/1068

    Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置、存储控制器以及不良区域检测方法,其目的在于为了限制在闪速存储器内发生了固有不良的物理块,准确地检测出该物理块,在ECC错误记录中,记录物理块的错误的发生历史或物理清除的历史,判断所发生的错误是偶发性的还是由固有不良引起的。在最初的读出错误发生以后,如果在物理清除后改写的数据中没有再次发生错误,则判断为最初的错误是偶发性的,如果再次发生错误,则判断为是由固有不良引起的错误。通过使用这样的ECC错误记录,能够准确地判断是偶发性错误还是由固有不良引起的错误。根据该判断,不使用固有不良的物理块,由此能够产生降低读出错误这样的效果。

    非易失性存储装置和数据写入方法

    公开(公告)号:CN1950803A

    公开(公告)日:2007-04-18

    申请号:CN200580013088.X

    申请日:2005-04-28

    Inventor: 本多利行

    Abstract: 非易失性存储装置(101)可以接收来自主机(102)的逻辑地址来进行数据的写入、读出,具备:非易失性存储器(103),其根据物理地址进行数据的写入、读出;逻辑物理地址变换表格(106),其按照每个规定的管理单位区域存储逻辑地址和物理地址的对应信息;重复表格(107),其存储被重复配置在非易失性存储器内的多个区域中的比管理单位区域的尺寸小的尺寸的数据的逻辑地址和物理地址的对应信息;和控制器(104),其进行非易失性存储装置的动作控制。控制器(104)允许将与一个管理单位区域中已经写入的数据具有同一逻辑地址的数据重复写入到其他管理单位区域,具有多个用于该重复写入的写入模式,根据来自主机的逻辑地址的变化状况,选择性地切换写入模式。

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