公开(公告)号：CN102272918B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080004056.4

申请日：2010-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村久木康夫 ,  岩成俊一 ,  中尾良昭

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，在小型化和高集成化的要求逐渐提高的情况下，在存储单元A、B的电容元件的下层，横跨相邻的2个存储单元A、B形成以稳定电源电压等目的需要搭载的平滑电容。由此，能缩小大容量的平滑电容的占有面积实现高集成化，同时可搭载该大容量的平滑电容。

公开(公告)号：CN102272918A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004056.4

申请日：2010-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村久木康夫 ,  岩成俊一 ,  中尾良昭

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，在小型化和高集成化的要求逐渐提高的情况下，在存储单元A、B的电容元件的下层，横跨相邻的2个存储单元A、B形成以稳定电源电压等目的需要搭载的平滑电容。由此，能缩小大容量的平滑电容的占有面积实现高集成化，同时可搭载该大容量的平滑电容。

公开(公告)号：CN100552811C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN03178440.2

申请日：2003-07-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山冈邦吏 ,  平野博茂 ,  村久木康夫

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/06

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电体存储装置，首先使字线(WL1)以及单元板线(CP1)成活性状态向第1比特线(BL1)输出存储器单元的数据，同时使开关控制信号(REQ2)、参照字线(RWL2)以及参照单元板线(RCP2)成活性状态在第2比特线(BL2)上生成参照用的电位。然后，在使开关控制信号(REQ2)以及参照字线(RWL2)成非活性状态后，使读出放大器启动信号(SAE)成活性状态。从而可以实现，在参照单元的读出动作中可以减少极化反相量、提高改写次数性能。

公开(公告)号：CN1637939A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410082185.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村久木康夫 ,  坂上雅彦 ,  岩成俊一

IPC: G11C11/401 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C29/785

Abstract: 提供了一种具有简单的电路结构并且能够随机访问熔断器数据的半导体存储装置。在本发明的半导体存储装置中，包含一个熔断器31的熔断器单元30与存储电路的一对位线连接。所述熔断器31和一个熔断器数据输出电路(其包含一个电阻器32和一个倒相器33)通过一个熔断器选择开关34与所述存储电路的一对位线BLT和BLB连接。在本发明的半导体存储装置中，通过把用于选择存储单元的一对位线的列解码器12也用作用于选择熔断器的解码器电路，可以将所述存储电路的位线用作用于输出熔断器数据的信号线，从而减小电路尺寸和减小电路面积。

公开(公告)号：CN1607608A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410075274.3

申请日：2004-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩成俊一 ,  坂上雅彦 ,  村久木康夫

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/40

CPC classification number: G11C7/02 ,  G11C7/18 ,  G11C11/22

Abstract: 一种具有半导体衬底的半导体存储器件，包括多个参考单元4和多条位线10。参考单元4形成在半导体衬底的预定区域的中心线附近的区域中，该中心线与位线10相垂直。位线10形成对，每一对由两条相邻的位线组成。每一对中的两条位线10具有第一平行状态和第二平行状态，在第二平行状态中，两条位线的位置与第一平行状态中的位置颠倒。每个位线对10具有至少一个交叉部分11，其中一对位线10相互交叉的，以在第一平行状态和第二平行状态之间转换。在半导体衬底的预定区域提供交叉部分11，使得第一平行状态中的位线10长度等于第二平行状态中的位线10长度。该半导体存储器件的尺寸缩小了。

公开(公告)号：CN1472745A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03178440.2

申请日：2003-07-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山冈邦吏 ,  平野博茂 ,  村久木康夫

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/06

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电体存储装置，首先使字线(WL1)以及单元板线(CP1)成活性状态向第1比特线(BL1)输出存储器单元的数据，同时使开关控制信号(REQ2)、参照字线(RWL2)以及参照单元板线(RCP2)成活性状态在第2比特线(BL2)上生成参照用的电位。然后，在使开关控制信号(REQ2)以及参照字线(RWL2)成非活性状态后，使读出放大器启动信号(SAE)成活性状态。从而可以实现，在参照单元的读出动作中可以减少极化反相量、提高改写次数性能。