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公开(公告)号：CN100552811C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN03178440.2
申请日：2003-07-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，首先使字线(WL1)以及单元板线(CP1)成活性状态向第1比特线(BL1)输出存储器单元的数据，同时使开关控制信号(REQ2)、参照字线(RWL2)以及参照单元板线(RCP2)成活性状态在第2比特线(BL2)上生成参照用的电位。然后，在使开关控制信号(REQ2)以及参照字线(RWL2)成非活性状态后，使读出放大器启动信号(SAE)成活性状态。从而可以实现，在参照单元的读出动作中可以减少极化反相量、提高改写次数性能。
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公开(公告)号：CN1472745A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03178440.2
申请日：2003-07-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，首先使字线(WL1)以及单元板线(CP1)成活性状态向第1比特线(BL1)输出存储器单元的数据，同时使开关控制信号(REQ2)、参照字线(RWL2)以及参照单元板线(RCP2)成活性状态在第2比特线(BL2)上生成参照用的电位。然后，在使开关控制信号(REQ2)以及参照字线(RWL2)成非活性状态后，使读出放大器启动信号(SAE)成活性状态。从而可以实现，在参照单元的读出动作中可以减少极化反相量、提高改写次数性能。
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公开(公告)号：CN100501867C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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公开(公告)号：CN100437819C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22 , H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1645512A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510001771.3
申请日：2005-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 在包括基准单元的铁电存储器中，如果一个基准单元与多个标准单元相关联，则将在其中将数据“L”写入到基准单元中的时段、和在其中将数据“H”写入基准单元中或者从基准单元中读出的时段控制得分别短于在其中将数据“L”写入到每个标准单元中的时段、和在其中将数据“H”写入到每个标准单元中或者从标准单元中读出的时段。以这样的方式，降低了施加到基准单元的应力，并且即使在标准单元上重复地执行写入或者读取，也能增强基准单元的可靠性，并且抑制了由于重复重新写入数据所造成的基准单元的特性退化。
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公开(公告)号：CN1319173C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN02822917.7
申请日：2002-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L27/10
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置，在形成于半导体基板上的第1配线层中，相邻的配线按照第1配线、第1屏蔽配线的顺序排列，而且在半导体配线基板上形成的第2配线层中，相邻的配线分别按照第2屏蔽配线、第2配线的顺序排列，以与第1配线层的第1配线、第1屏蔽配线分别对应，从而能够使相邻配线的配线间电容降低，而且也能够降低相邻配线之间的噪声，能够不降低信号的动作速度，而且又减少电力消耗。
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公开(公告)号：CN1822228A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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公开(公告)号：CN1700473A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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公开(公告)号：CN1589498A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02822917.7
申请日：2002-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L27/10
CPC classification number: H01L23/5222 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置，在形成于半导体基板上的第1配线层中，相邻的配线按照第1配线、第1屏蔽配线的顺序排列，而且在半导体配线基板上形成的第2配线层中，相邻的配线分别按照第2屏蔽配线、第2配线的顺序排列，以与第1配线层的第1配线、第1屏蔽配线分别对应，从而能够使相邻配线的配线间电容降低，而且也能够降低相邻配线之间的噪声，能够不降低信号的动作速度，而且又减少电力消耗。
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