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公开(公告)号：CN101118516A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710107336.8
申请日：2007-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F13/1668 , G06F2212/7203 , G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种可快速写入数据的非易失性存储装置。在非易失性存储器(130)中，数据按照单位区域写入。第1存储部(122)用于保持从存取装置(110)输入的数据，CPU部121将保持在第1存储部(122)的每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器，将保持在上述第1存储部的不满上述单位区域的数据保持到第2存储部，对于保持在第2存储部中的数据，也将每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN1637939B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200410082185.1
申请日：2004-12-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C7/00
CPC classification number: G11C17/18 , G11C29/785
Abstract: 提供了一种具有简单的电路结构并且能够随机访问熔断器数据的半导体存储装置。在本发明的半导体存储装置中，包含一个熔断器31的熔断器单元30与存储电路的一对位线连接。所述熔断器31和一个熔断器数据输出电路(其包含一个电阻器32和一个倒相器33)通过一个熔断器选择开关34与所述存储电路的一对位线BLT和BLB连接。在本发明的半导体存储装置中，通过把用于选择存储单元的一对位线的列解码器12也用作用于选择熔断器的解码器电路，可以将所述存储电路的位线用作用于输出熔断器数据的信号线，从而减小电路尺寸和减小电路面积。
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公开(公告)号：CN100524190C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610006751.X
申请日：2006-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F1/3225 , G06F1/206 , G06F1/324 , G06F1/3275 , G06F1/3296 , Y02D10/126 , Y02D10/13 , Y02D10/14 , Y02D10/172
Abstract: 本发明的存储器系统包括具有非易失性存储器的存储装置和对存储装置进行存取的存取装置，所述存储装置包括：检测部件，检测存储装置的温度；决定部件，根据检测出的温度来决定工作条件；以及通知部件，将决定的工作条件通知所述存取装置，所述存取装置包括：接口部件，连接存储装置；以及控制部件，根据由存储装置通知的工作条件来控制接口部件。
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公开(公告)号：CN101022036A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710005745.7
申请日：2007-02-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 岩成俊一
Abstract: 本发明涉及的半导体存储器件，具备非易失性存储器、以及保持上述非易失性存储器保持的数据的一部分的易失性存储器，其中包括：j个第1保持单元，保持与上述易失性存储器保持的数据相对应的上述非易失性存储器的数据的地址；以及j个第2保持单元，对应于上述j个第1保持单元，保持表示对应的上述第1保持单元保持的地址是否有效的信息。
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公开(公告)号：CN1822228A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1700473A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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公开(公告)号：CN102272918B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201080004056.4
申请日：2010-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/0207 , H01L27/11509 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，在小型化和高集成化的要求逐渐提高的情况下，在存储单元A、B的电容元件的下层，横跨相邻的2个存储单元A、B形成以稳定电源电压等目的需要搭载的平滑电容。由此，能缩小大容量的平滑电容的占有面积实现高集成化，同时可搭载该大容量的平滑电容。
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公开(公告)号：CN102272918A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004056.4
申请日：2010-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/0207 , H01L27/11509 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，在小型化和高集成化的要求逐渐提高的情况下，在存储单元A、B的电容元件的下层，横跨相邻的2个存储单元A、B形成以稳定电源电压等目的需要搭载的平滑电容。由此，能缩小大容量的平滑电容的占有面积实现高集成化，同时可搭载该大容量的平滑电容。
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公开(公告)号：CN1991798A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610172858.1
申请日：2006-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/123 , G06F2212/2022
Abstract: 一种半导体存储装置，包括：铁电存储器；SRAM 30；计数器41；CAM 10，其判断被请求从铁电存储器读出的数据块是否存储在SRAM 30中；存储控制单元51，如果判断结果为否定，则其执行控制以从铁电存储器读出所请求的数据块，并将读出的数据块的副本存储到与由计数器41所表示的计数值相对应的SRAM 30中的单元存储区域中；以及计数器控制单元52，其导致计数器41在每次判断结果为否定时更新计数值。
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公开(公告)号：CN1637939A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410082185.1
申请日：2004-12-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C7/00
CPC classification number: G11C17/18 , G11C29/785
Abstract: 提供了一种具有简单的电路结构并且能够随机访问熔断器数据的半导体存储装置。在本发明的半导体存储装置中，包含一个熔断器31的熔断器单元30与存储电路的一对位线连接。所述熔断器31和一个熔断器数据输出电路(其包含一个电阻器32和一个倒相器33)通过一个熔断器选择开关34与所述存储电路的一对位线BLT和BLB连接。在本发明的半导体存储装置中，通过把用于选择存储单元的一对位线的列解码器12也用作用于选择熔断器的解码器电路，可以将所述存储电路的位线用作用于输出熔断器数据的信号线，从而减小电路尺寸和减小电路面积。
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