公开(公告)号：CN1574291A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046433.7

申请日：2004-05-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中冈弘明 ,  中西贤太郎 ,  海本博之 ,  柁谷敦宏

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。

公开(公告)号：CN1551324A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410036986.4

申请日：2004-04-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安井孝俊 ,  柁谷敦宏

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L27/088 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/919 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有能使得到的特性偏差更接近半导体装置整体的特性偏差的评价部的半导体装置及其特性评价方法。一个评价部由配置了和实际使用MIS晶体管实质上具有相同的结构的多个评价用MIS晶体管而构成，源焊盘(12)、漏焊盘(13)以及栅焊盘(14)与各个评价用MIS晶体管(TrA～TrC)的各个源区域(15)、漏区域(16)以及栅电极(17)共同电连接。如果一个评价部的有效栅宽度超过某一值，就接近半导体装置整体的特性偏差，因此使用这样的评价部能够提高半导体装置特性评价的精度。