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公开(公告)号：CN1498424A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03800148.9
申请日：2003-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和平板型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。平板型电容器的电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)遍及和浅沟渠分离(12a)共有的沟渠设置，用电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)填于沟渠上部。为储存节点的n型扩散层(19)的端部沿着沟渠上部的侧面形成到和浅沟渠分离(12a)重叠的区域。不增加衬底面积而使起作用作为电容器的部分的面积增大。
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公开(公告)号：CN1291484C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200410046433.7
申请日：2004-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823842
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。
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公开(公告)号：CN1523675A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410001558.8
申请日：2004-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/11 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/11 , H01L21/823412 , H01L27/1052
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。目的在于：在抑制逆窄现象的同时，把窄栅极宽度的MIS晶体管和宽栅极宽度的MIS晶体管的阈值电压控制在同一程度上。通过以抗蚀膜5及保护绝缘膜3a为注入屏蔽的，在与栅极宽度方向平行的剖面上，从与半导体衬底1的主面垂线倾斜10°～30°的方向，进行阈值控制用杂质的离子注入，来在SRAM的存储单元MIS晶体管Mtrs的活性区域的中央部形成相互重叠的第一低浓度杂质注入区域6。并且，在形成元件隔离7之后，进行不用注入屏蔽的离子注入，在各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl的活性区域上形成第二低浓度杂质注入区域9。因此在制造工序结束后，所形成的各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl都含有相同的阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1154569A
公开(公告)日：1997-07-16
申请号：CN96122849.0
申请日：1996-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L29/66106 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32678 , H01L21/2236
Abstract: 向真空槽内导入惰性或反应性气体，以良好的效率产生杂质，以在固体样品的表面部分上形成高浓度的杂质层。在真空槽内保持杂质固体和固体样品。向真空槽内导入Ar气以形成等离子体。给杂质固体加上使其对于等离子体变成阴极的电压，用等离子体中对杂质固体溅射以使其中的硼混入等离子体中，给固体样品加上使其对于等离子体变成为阴极的电压，把已混入等离子体中的硼导入固体样品的表面部分中去。
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公开(公告)号：CN1316630C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410001558.8
申请日：2004-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/11 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/11 , H01L21/823412 , H01L27/1052
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。目的在于：在抑制逆窄现象的同时，把窄栅极宽度的MIS晶体管和宽栅极宽度的MIS晶体管的阈值电压控制在同一程度上。通过以抗蚀膜5及保护绝缘膜3a为注入屏蔽的，在与栅极宽度方向平行的剖面上，从与半导体衬底1的主面垂线倾斜10°～30°的方向，进行阈值控制用杂质的离子注入，来在SRAM的存储单元MIS晶体管Mtrs的活性区域的中央部形成相互重叠的第一低浓度杂质注入区域6。并且，在形成元件隔离7之后，进行不用注入屏蔽的离子注入，在各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl的活性区域上形成第二低浓度杂质注入区域9。因此在制造工序结束后，所形成的各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl都含有相同的阈值电压。
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公开(公告)号：CN1263143C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN03800148.9
申请日：2003-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/0207 , H01L27/105 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和平板型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。平板型电容器的电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)遍及和浅沟渠分离(12a)共有的沟渠设置，用电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)填于沟渠上部。为储存节点的n型扩散层(19)的端部沿着沟渠上部的侧面形成到和浅沟渠分离(12a)重叠的区域。不增加衬底面积而使起作用作为电容器的部分的面积增大。
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公开(公告)号：CN1574291A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046433.7
申请日：2004-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823842
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。作为为实现注入到栅电极(20)、(21)的杂质的活性化而进行的第1热处理，进行几乎不产生硼向多晶硅的各结晶粒内的扩散，且产生硼在结晶粒边界的扩散的低温长时间的热处理。接着，作为第2热处理，进行产生杂质向多晶硅层中的各晶粒内扩散的高温短时间的热处理，如脉冲退火、快速加热退火等。由此，能够提供被微细化、且能同时抑制栅电极中的杂质向沟道区域的渗透和栅电极的耗尽化。
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公开(公告)号：CN1106685C
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN96122849.0
申请日：1996-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L29/66106 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32678 , H01L21/2236
Abstract: 向真空槽内导入惰性或反应性气体，以良好的效率产生杂质，以在固体样品的表面部分上形成高浓度的杂质层。在真空槽内保持杂质固体和固体样品。向真空槽内导入Ar气以形成等离子体。给杂质固体加上使其对于等离子体变成阴极的第1电压，用等离子中对杂质固体溅射以使其中的硼混入等离子体中，给固体样品加上使其对于等离子体变成为阴极的第2或对于等离子体变成为阳极的第3电压，边控制已混入等离子体中的硼的导入深度，边使棚导入固体样品的表面部分中去。
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