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公开(公告)号：CN1322672C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200380107784.8
申请日：2003-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K3/356
CPC classification number: G11C11/22 , H03K17/693
Abstract: 本发明的非易失性闩锁电路(10)具有：具有第一电极(1a)、第二电极(1b)、和介于这些电极间的强电介质膜(1c)的强电介质电容器(1)；与第一电极(1a)连接的复位端子(Tre)；与强电介质电容器(1)的第二电极(1b)连接的CMOS反相器元件(2)；将电压施加在第二电极(1b)的电压切换用端子(Tp1)；连接于第二电极(1b)和第二输入端子(Tp1)间，切换施加在第二电极(1b)的电压的开关元件(5)、和将切换接通和断开用的电压施加在开关元件(5)的设定端子(Tse)。强电介质膜(1c)上残留的极化在第二电极(1b)产生的电压比CMOS反相器元件(2)的NMISFET(4)的门限值电压(Vtn)高。
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公开(公告)号：CN1717748A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001600.4
申请日：2004-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 森本廉
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 作为具有电连接栅电极及基板的场效应晶体管(1)和使用了相变材料的电阻变化元件(2)的存储单元呈2维阵列状排列的、驱动非易失性存储器的方法，按照在规定的字线(WLi)及位线(BLj)之间施加上比场效应晶体管(1)的源极及基板间的pn结正向上升电压还大的电压的方式，在字线(WLi)、位线(BLj)及电压供给部(VA)的各个施加规定电压后，使施加到字线(WLi)的电压急速或缓慢地返回初始电压，通过使该电阻变化元件(2)为高电阻或低电阻，消除或记录数据，通过使场效应晶体管(1)导通，检测该电阻变化元件(2)的电阻值，读出数据。
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公开(公告)号：CN1647024A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808026.5
申请日：2003-04-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/16
Abstract: 一种服务器，与多个客户机连接成可通信，向该客户机发送声音信息，并让其播放所发送的声音信息，具有：存放多个以由多个话语者的语音构成的一话语者的语音为内容的语音声音信息的存储装置；决定多个语音声音信息播放时序的时序决定装置；按照由时序决定装置播放时序进行播放，而对向每个客户机发送对应的所述语音声音信息的发送装置。
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公开(公告)号：CN1533525A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN02814561.5
申请日：2002-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明提供一种电位发生电路，具备电容器(4)；串联连接于电容器(4)上的强电介质电容器(6)；输出端子(11)；将输出端子(11)接地的电容(10)；将两个电容器(4、6)的连接节点(5)与输出端子(11)连接的开关(9)；及将连接节点(5)接地的开关(1)，在第一期间中，在开关(1)及开关(9)变为截止状态的状态下，向端子(3)提供正电位，同时，将端子(7)接地，在所述第一期间之后的第二期间，将端子(3)接地，且开关(9)变为导通状态，在所述第二期间之后的第三期间，开关(9)变为截止状态，开关(1)变为导通状态，且向端子(7)提供正电位，在所述第三期间之后的第四期间，将端子(7)接地，重复所述第一期间到所述第四期间。
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