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公开(公告)号：CN1331407A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01124832.7
申请日：2001-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D15/12
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0002 , G11B2005/001 , Y10S428/90 , Y10T428/115 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明提供热波动受到抑制的新的磁记录媒体,以及采用该磁记录媒体的磁记录装置。通过以磁性离子交换方式使M2Oy为主成份的膜与记录信号的磁性膜结合,由此,使磁性膜的有效V与Ku增加,抑制热波动。在这里,M表示是从Fe,Co,Ni,碱土类元素,Y,镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素,而且从Fe,Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素,y为满足2.8
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公开(公告)号：CN1199900A
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：CN98101194.2
申请日：1998-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 榊间博
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B5/40 , G11B2005/3996
Abstract: 一种薄膜磁头含有一个屏蔽型磁阻效应(MR)头部分,包括:位在一屏蔽隙内的MR元件部分,其呈现有巨磁阻效应;及一接电层,其使得电流沿垂直于MR元件部分的一个薄膜表面的方向流动。MR元件部分含有第一和第二磁性膜,且其间插入有一非磁性绝缘膜。第一磁性膜呈现软磁性质,设置在距薄膜磁头的那个对着磁记录媒体的表面第一距离处。第二磁性膜设置在距薄膜磁头的那个对着磁记录媒体的表面第二距离处,第二距离大于第一距离。
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公开(公告)号：CN1223998C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN01137453.5
申请日：2001-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F10/3295
Abstract: 一种磁致电阻元件，包括磁性衬底；磁性层；和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。
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公开(公告)号：CN1221947C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN01109991.7
申请日：2001-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应装置，包括：一自由层，其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转；一非磁性层；和一被钉扎层，其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转，该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上，其中该被钉扎层包括：一用于交换耦合的第一非磁性膜；和通过该第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜，该第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。
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公开(公告)号：CN1203561C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01137152.8
申请日：2001-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T29/49034 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明的目的是改善磁阻元件的耐热性和磁场移位量。本发明提供了磁阻元件，其中固定磁性层是由至少一层非磁性体层和夹持该非磁性体层的磁性体层形成的多层膜，上述磁性体层通过上述非磁性体层相互静磁结合。该元件具有改善的耐热性。本发明还提供了固定磁性层是上述多层膜并进行静磁结合或者反强磁性结合以发生负的磁结合的磁阻元件。该元件降低了磁场移位量。本发明提供了夹持中间层的磁性层的至少一方是包括以(100)(110)或者(111)面作为取向面的氧化物铁氧体，并在该取向面内导入外部磁场的磁组件。该元件显示出高的磁阻变化率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1190856C
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN01122062.7
申请日：2001-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , B82Y10/00 , H01L43/10 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明的元件含有具有以式L2(A1-zRz)2An-1MnO3n+3+x表示的组成，结晶构造内具有(L-O)2层的层状钙钛矿型氧化物、和夹持着层状钙钛矿型氧化物并与该氧化物连接形成的一对强磁性体，通过上述(L-O)2层施加偏磁，实现了磁阻隧道效应。其中A表示从Ca、Sr和Ba中选出的至少1种碱土类元素、L表示从Bi、Tl和Pb中选出的至少1种元素、M表示从Ti、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、Fe和Cr中选出的至少1种元素、R表示稀土类元素，n为1，2或3，X，Z分别为-1≤x≤1，0≤z≤1中的值。
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公开(公告)号：CN1353414A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01137453.5
申请日：2001-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F10/3295
Abstract: 一种磁致电阻元件,包括磁性衬底;磁性层;和位于磁性衬底和磁性层之间的非磁性层。
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公开(公告)号：CN1346155A
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN01119632.7
申请日：2001-03-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/224 , G11C11/16
Abstract: 磁阻元件由2个阻性元件串联连接而成,至少一个是用磁阻元件。两个均为磁阻元件时,可相互独立地控制磁阻,因第1磁阻元件的非磁性体是电绝缘体、第2磁阻元件的非磁性体是导电体,使第2磁阻元件作为偏压控制元件动作,而进行第1磁阻元件的特性控制,并控制施加到存储元件上的电压。另外,将另一个用可变电阻元件构成时,可抑制来自非选择的存储元件的偏压,提高存储元件的选择性。
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公开(公告)号：CN1343016A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01137152.8
申请日：2001-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , Y10T29/49034 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明的目的是改善磁阻元件的耐热性和磁场移位量。本发明提供了磁阻元件,其中固定磁性层是由至少一层非磁性体层和夹持该非磁性体层的磁性体层形成的多层膜,上述磁性体层通过上述非磁性体层相互静磁结合。该元件具有改善的耐热性。本发明还提供了固定磁性层是上述多层膜并进行静磁结合或者反强磁性结合以发生负的磁结合的磁阻元件。该元件降低了磁场移位量。本发明提供了夹持中间层的磁性层的至少一方是包括以(100)(110)或者(111)面作为取向面的氧化物铁氧体,并在该取向面内导入外部磁场的磁组件。该元件显示出高的磁阻变化率。
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公开(公告)号：CN1230744A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN99100206.7
申请日：1999-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3948 , G11B5/3954 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/32 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/302 , H01L43/10 , Y10S428/90 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜,其包括铁磁层和锁定层,所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向,该锁定层包括(AB)2Ox层,其中O代表氧原子;2.8
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