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公开(公告)号：CN103140440A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180047331.5
申请日：2011-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01B32/23
Abstract: 本发明的氧化碳薄膜的制造方法包括：准备碳薄膜和与碳薄膜相接且含有Fe2O3的铁氧化物的第1步骤；和通过在碳薄膜与铁氧化物之间施加使碳薄膜一侧为正的电压或电流，使碳薄膜中与铁氧化物相接的部分氧化，变成由氧化碳构成的氧化部，形成具有氧化部的氧化碳薄膜的第2步骤。该制造方法是能够对以石墨烯为首的碳薄膜形成纳米级图案的方法，对形成的图案造成的损害小，与半导体工艺的亲和性高，能够作为用于制造电子装置的工艺技术的通用性应用。
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公开(公告)号：CN103081109A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201280002641.X
申请日：2012-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/82
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C2213/35 , H01L28/22 , H01L29/1606 , H01L29/66984 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供一种自旋器件，其包括：石墨烯；以在与石墨烯电连接的状态下夹持该石墨烯的方式配置的第一铁磁性电极和第二电极；在离开第一铁磁性电极和第二电极的位置，配置有以在与石墨烯电连接的状态下夹持该石墨烯的方式配置的第三铁磁性电极和第四电极；对夹持石墨烯的第一铁磁性电极与第二电极间施加电流的电流施加机构；和电压信号检测机构，其将通过施加电流而在石墨烯中的被夹持于第三铁磁性电极和第四电极的部分产生的自旋累积信息，经由该第三铁磁性电极和该第四电极作为电压信号检测出，其中第一铁磁性电极和第三铁磁性电极配置于石墨烯的相同面上，第二电极和第四电极为非磁性电极或铁磁性电极。
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公开(公告)号：CN100414716C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200380107768.9
申请日：2003-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/82 , G01R33/06 , H01L43/08 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术完全不同的构成、可提高用于使磁性体的磁化状态发生变化的能量转换效率的磁性开关元件及使用该元件的磁性存储器。所述磁性开关元件包括：磁性层、与所述磁性层磁耦合的转换层、具有选自金属及半导体的至少一种的载流子供给体，所述转换层与所述载流子供给体是以在所述转换层与所述载流子供给体之间能够施加电压的状态进行配置，所述转换层是通过施加所述电压而产生非强磁性一强磁性转换的层，由于所述转换层的所述转换，所述磁性层的磁化状态发生变化。
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公开(公告)号：CN100386900C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN03807996.8
申请日：2003-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/22 , H01L35/26 , H01L35/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01L35/22 , H01L35/34 , Y10T428/12528
Abstract: 本发明的热电变换材料，在由用化学式AxCoO2所表示的层状钴氧化物类物质组成的热电变换材料中，A由选自碱金属元素及碱土元素的元素或元素组构成，并且在所述层状钴氧化物类物质的结构中的层的厚度方向上有组成的调变。
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公开(公告)号：CN1245762C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN01821397.9
申请日：2001-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁阻存储元件，它包括磁阻元件和用于对上述磁阻元件施加磁场的配线；上述配线含有在同一方向上延伸的两根以上的导线。根据本发明，通过使用多配线的导线，将磁场施加在一个元件上，可以实现高速响应和抑制磁性交调失真现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1498429A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN02806836.X
申请日：2002-06-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3948 , G11B2005/3996 , H01F41/302 , H01L43/08 , Y10T428/1143 , Y10T428/115
Abstract: 本发明是提供磁阻特性比现有优越的磁阻元件，通过包含在330℃以上的热处理工序的方法制造、而且从非磁性层的中心线到一对强磁性层和所述非磁性层之间的界面的最长距离为10nm以下。该元件例如在基板上作底膜，将该底膜在400℃以上进行热处理，在该底膜的表面上照射离子束而降低表面粗糙度，在其后，可以形成所述强磁性层以及所述非磁性层。在距非磁性层的界面2nm范围的强磁性层内，若添加M1(从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素)，所述最长距离相对地降低。
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公开(公告)号：CN1488176A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02803917.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。
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公开(公告)号：CN102792478B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180011721.7
申请日：2011-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F41/302 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁性隧道结元件包括第一强磁性体层、第二强磁性体层、以及在第一强磁性体层与第二强磁性体层之间形成的绝缘体层。绝缘体层由添加有氟的MgO构成。绝缘体层的氟的添加量为0.00487atm%以上0.15080atm%以下。该元件具有MgO绝缘体层，并且与现有的具有MgO绝缘体层的元件相比表现出高的磁阻变化特性。优选氟的添加量为0.00487atm%以上0.05256atm%以下。
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公开(公告)号：CN102450036B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201080023905.0
申请日：2010-06-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 小田川明弘
CPC classification number: H04R23/002
Abstract: 本发明提供一种声波发生器，其基于现有技术不能预想的基层和隔热层的组合，具有比现有技术更加优秀的输出特性。该声波发生器包括：基层；配置在上述基层上的隔热层；向上述隔热层施加热脉冲的热脉冲源，其中，上述基层由石墨或蓝宝石构成，上述隔热层由含有硅或锗的结晶性微粒子构成。热脉冲源是热脉冲发生层，该热脉冲发生层配置在上述隔热层的与上述基层侧的面相反的一侧的面上且向上述隔热层施加热脉冲。
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公开(公告)号：CN103717528A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280035978.0
申请日：2012-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/161 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01B3/004 , C01B32/184 , C01B32/23 , H01B13/18 , H01L29/66742 , H01L29/78684 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851
Abstract: 本发明的氧化碳薄膜的制造方法，包括：准备碳薄膜和与碳薄膜接触且含有Cu2O和CuO的混合体的铜氧化物的第一步骤；和通过在碳薄膜与铜氧化物之间施加以碳薄膜一侧为正的电压或电流，使碳薄膜的与铜氧化物接触的部分氧化而使其变化为由氧化碳构成的氧化部，从而形成具有氧化部的氧化碳薄膜的第二步骤。该制造方法是在以石墨烯为代表的碳薄膜形成纳米数量级的图案的方法，能够作为用于制造电子器件的工艺技术的通用的应用。
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