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    高频电路器件
    11.
    发明公开
    高频电路器件 失效

    公开(公告)号：CN1421957A

    公开(公告)日：2003-06-04

    申请号：CN02150226.9

    申请日：1995-06-09

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 水野纮一 ,  榎原晃 ,  东野秀隆 ,  濑恒谦太郎

    IPC: H01P7/00

    CPC classification number: H01P1/20381 ,  H01P1/203 ,  H01P7/082 ,  H01P7/086 ,  Y10S505/70 ,  Y10S505/701 ,  Y10S505/866

    Abstract: 一种体积小、传输线型高频电路器件。该器件因导体电阻而引起的损耗很低而且具有高的Q值。其特征可通过修正图形尺寸误差而调整。基板(11a)具有由电导体构成的椭圆形谐振器(12)，另一块基板(11b)具有一对输入输出端子(13)。基板(11a)和(11b)平行放置，使装有谐振器(12)和端子(13)的基板面彼此面对面。通过使用一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)和(11b)相对移动。此外，通过一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)绕谐振器(12)的中心轴(18)转动。

    模块基板
    12.
    发明公开
    模块基板 无效

    公开(公告)号：CN108631034A

    公开(公告)日：2018-10-09

    申请号：CN201810203800.1

    申请日：2018-03-13

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 水野纮一

    IPC: H01P5/107

    Abstract: 一种模块基板，其具备：表层，其连接具有波导管开口的矩形波导管构造；多个金属配线层，其经由电介质层层叠，包含具有传输线路和形成于传输线路的一部分的耦合元件的第一金属配线层、层叠于比第一金属配线层远离矩形波导管构造的位置的第二金属配线层；多个通孔，其将相邻的金属配线层之间连接，在表层设有与波导管开口相对且在自表层俯视时围绕耦合元件的第一开口，在第一金属配线层与第二金属配线层之间的投影了第一开口的范围内形成由多个通孔的一部分通孔包围的电介质层的区域，俯视的区域的尺寸比波导管开口小。

    等离子体振动开关元件
    13.
    发明授权
    等离子体振动开关元件 失效

    公开(公告)号：CN1332453C

    公开(公告)日：2007-08-15

    申请号：CN03809646.3

    申请日：2003-09-30

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 吉井重雄 ,  大塚信之 ,  水野纮一 ,  铃木朝实良 ,  横川俊哉

    IPC: H01L29/80 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7785

    Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板(101)；在该基板上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层(103)；在第一阻挡层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层(104)；在沟道层上形成的由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体半导体构成的第二阻挡层(105)；和在第二阻挡层上设置的源极电极(107)、栅极电极(109)以及漏极电极(108)，第一阻挡层具有n型扩散层(103a)，第二阻挡层具有p型扩散层(105a)，沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层(106)在第二阻挡层上形成。

    半导体器件及其制造方法
    15.
    发明公开
    半导体器件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1698209A

    公开(公告)日：2005-11-16

    申请号：CN200480000426.1

    申请日：2004-06-04

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 吉井重雄 ,  大塚信之 ,  水野纮一 ,  铃木朝实良

    IPC: H01L29/68 ,  H01L29/06

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/127 ,  H01L29/7371

    Abstract: 本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板(101)；在该基板(101)上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107)，均由III－V族n型复合半导体构成并按此顺序成层；位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103)；分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112)；包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103)；被第一、第二势垒层(103a，103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103)；具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c)；第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d1)，和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d2、d3)；界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d12、d22、d23)。

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