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公开(公告)号：CN101133400A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680006470.2
申请日：2006-07-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 用于非易失性存储器的地址管理，将整个逻辑地址空间划分成逻辑地址范围(0至15)，将物理地址空间划分成物理区(分段0至15)。使逻辑地址范围分别与物理区相关联，以管理所述地址。使逻辑地址范围的大小均衡。使与要存储诸如FAT之类被更频繁地重写的数据的逻辑地址范围(0)对应的物理区(分段(0))的大小比其它物理区的大小大，并分配逻辑地址范围和物理区。最为替换，使物理区的大小均衡，设置逻辑地址范围(0)的大小比其它逻辑地址范围的大小小。这样，物理区(分段)的实际重写频率彼此相等，由此能够延长非易失性存储器的寿命。
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公开(公告)号：CN1957337A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580015993.9
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G11C16/10 , G06F11/1068
Abstract: 本发明可保存产生写入错误的地址，在一系列的写入完成之后，读出所保存的地址数据。而且，通过仅对于无法进行数据纠正的地址、及判断为需要进行写入重试的地址进行不良区块处理，可防止不良区块的增加。从而，向指定的快闪存储器进行写入时，可防止频繁出现写入错误、以及大量产生不良区块。
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公开(公告)号：CN1866399A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082411.5
申请日：2006-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C29/82 , G11C11/5621 , G11C16/04 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器、非易失性存储器、非易失性存储系统和数据写入方法。在使用了由各个存储器单元保持多页的数据的多值NAND快闪存储器等非易失性存储器的非易失性存储装置中，解决在数据写入过程中发生了错误、从而使与该页同组的其它页中所记载的数据发生变化的问题。在向非易失性存储器110中写入数据时，在向某页进行写入的过程中发生了错误时，由错误页确定部128确定错误的类别和发生错误的页的物理地址。然后，由错误消除部129消除在属于与错误页同组的其它页中所存储的数据中产生的错误。
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公开(公告)号：CN1236285A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN99106133.0
申请日：1999-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04R9/06
Abstract: 一种扬声器,包括一个框架,一个声音线圈架和连接到该框架和声音线圈架的振动膜,其中该振动膜以这样一种方式连接到该声音线圈架;在该振动膜和声音线圈架之间的锥形角要足够小以获得一良好的高频再现阈值频率,该振动膜具有连接到声音线圈架的第一连接部分和连接到该框架的第二连接部分,以及该振动膜具有弧形横截面以便具有从第一连接部分和第二连接部分向外形成的顶层部分。
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公开(公告)号：CN100576360C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580014359.3
申请日：2005-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/22 , G06F11/1068 , G11C16/3418 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明涉及半导体存储器装置，当读出传送源的数据时产生错误时，不会在包含错误的状态下将数据写入传送目的端。在包含数据写入单位比物理块小的非易失性存储器(2)的半导体存储器装置(1)中，在非易失性存储器(2)的内部设置错误检测及校正电路(23)。将存储在非易失性存储器(2)内的预定物理块的数据传送并写入到不同的物理块中时，错误检测及校正电路(23)进行数据的错误检测与校正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517268C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580012455.4
申请日：2005-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种非易失性存储系统，当文件系统控制部(155A)将文件数据写入主存储器(142)时，通过将文件数据与目录项写入到不同的分配单元，就变得易于连续写入文件，并且能够在目录项的更新时减少文件的复制次数。这样一来，即便在使用作为擦除单位的物理区块大小大于簇大小的非易失性存储器的情况下，也能够使写入性能提高。
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公开(公告)号：CN100470502C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200580002536.6
申请日：2005-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/08 , G06F3/0613 , G06F3/0632 , G06F3/0643 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F17/30218
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器装置及其控制方法。在半导体存储器装置(110)内设置卡信息存储部(119)，存储与半导体存储器装置(110)的特性相关的信息。设置文件系统接口控制部(120)，基于所存储的特性信息，执行适于半导体存储器装置(110)的特性的文件存取。由此，存取装置(100)可不在意半导体存储器装置(110)的特性地经文件系统接口控制部(120)执行最佳的文件存取。
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公开(公告)号：CN100407178C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200580015993.9
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G11C16/10 , G06F11/1068
Abstract: 本发明可保存产生写入错误的地址，在一系列的写入完成之后，读出所保存的地址数据。而且，通过仅对于无法进行数据纠正的地址、及判断为需要进行写入重试的地址进行不良区块处理，可防止不良区块的增加。从而，向指定的快闪存储器进行写入时，可防止频繁出现写入错误、以及大量产生不良区块。
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公开(公告)号：CN1947100A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012455.4
申请日：2005-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种非易失性存储系统，当文件系统控制部(155A)将文件数据写入主存储器(142)时，通过将文件数据与目录项写入到不同的分配单元，就变得易于连续写入文件，并且能够在目录项的更新时减少文件的复制次数。这样一来，即便在使用作为擦除单位的物理区块大小大于簇大小的非易失性存储器的情况下，也能够使写入性能提高。
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公开(公告)号：CN1910558A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002536.6
申请日：2005-01-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/08 , G06F3/0613 , G06F3/0632 , G06F3/0643 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F17/30218
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器装置及其控制方法。在半导体存储器装置(110)内设置卡信息存储部(119)，存储与半导体存储器装置(110)的特性相关的信息。设置文件系统接口控制部(120)，基于所存储的特性信息，执行适于半导体存储器装置(110)的特性的文件存取。由此，存取装置(100)可不在意半导体存储器装置(110)的特性地经文件系统接口控制部(120)执行最佳的文件存取。
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