公开(公告)号：CN100490164C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200410031962.X

申请日：2004-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田干也 ,  松长诚之 ,  稻垣诚

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14609

Abstract: 一种固态成像装置(100)，包括多个光敏单元(8)和用于驱动多个光敏单元(8)的驱动单元。每个光敏单元(8)包括：光电二极管(5)，形成为暴露在半导体衬底的表面上，用于积累通过对入射光进行光电转换而获得的信号电荷；转移晶体管，用于转移由光电二极管(5)积累的信号电荷；浮动扩散层(1)，用于暂时积累由转移晶体管转移的信号电荷；以及放大器晶体管(2)，用于放大暂时积累在浮动扩散层(1)中的信号电荷。设置在放大器晶体管(2)中的源/漏扩散层(3)被自对准金属硅化物层(4)覆盖，并且浮动扩散层(1)形成为暴露在半导体衬底的表面上。

公开(公告)号：CN100481478C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580027741.8

申请日：2005-08-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣诚 ,  井垣和明 ,  小岛基弘

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明的放大式固体摄像器件，将多个像素排列成二维状，所述像素包括在第1导电型阱区域形成的第2导电型光电二极管部(1)、和对存储在上述光电二极管部的电荷进行放大输出的晶体管(6)。并且，在上述光电二极管部的区域内配置有用于向上述阱区域供给基准电压的像素内触点(2)。得到改善残像特性、并且不对光学特性产生不良影响的合理的像素内GND触点的配置。

公开(公告)号：CN101369595A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810212857.4

申请日：2004-02-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣诚 ,  松长诚之

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14636 ,  H04N5/341 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/3741

Abstract: 一种固态成像装置，包括：多个光电二极管，用于执行光电转换，每一个光电二极管按行方向和列方向被二维设置在半导体衬底上；多个传输门，用于传输由执行光电转换所获得的信号电荷；多个浮置扩散层，用于暂时存储所传输的信号电荷；放大器晶体管，用于放大传送到其栅极的信号电荷；复位晶体管，用于复位浮置扩散层中存储的信号电荷；以及垂直信号线，用于输出与浮置扩散层中的信号电荷相对应的信号；其中至少一个有源区中包括的浮置扩散层连接至与浮置扩散层在列方向相邻的有源区中包括的放大器晶体管的栅极；以及垂直信号线在列方向输出该信号。

公开(公告)号：CN101128934A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200580048679.0

申请日：2005-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣诚 ,  松长诚之

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/374 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H04N5/3597 ,  H04N5/363

Abstract: 提供一种固体摄像器件及其驱动方法，通过在长秒摄影模式的曝光期间(长秒存储期间)内，向形成有光电变换部(2)和漏极区(4)的阱(5)施加与作为周边电路的基准电压的第一基准电压Vss1(接地电压)不同的第二基准电压Vss2，抑制栅电极(6)下的阱(5)表面处的暗电子发生。第二基准电压Vss2的极性是，当阱(5)的导电型为P型时是正的、为N型时是负的。

公开(公告)号：CN101006585A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580027741.8

申请日：2005-08-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣诚 ,  井垣和明 ,  小岛基弘

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明的放大式固体摄像器件，将多个像素排列成二维状，所述像素包括在第1导电型阱区域形成的第2导电型光电二极管部(1)、和对存储在上述光电二极管部的电荷进行放大输出的晶体管(6)。并且，在上述光电二极管部的区域内配置有用于向上述阱区域供给基准电压的像素内触点(2)。得到改善残像特性、并且不对光学特性产生不良影响的合理的像素内GND触点的配置。

公开(公告)号：CN1855519A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610068289.6

申请日：2006-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻垣诚 ,  井垣和明 ,  佐伯幸作

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明提供了一种具有高信噪比的MOS固态摄像装置。在形成于半导体基底内部的图像检测部分(2)的表面上，提供了其面积小于图像检测部分(2)表面积、具有涂覆于其间的绝缘薄膜(6)的抗反射薄膜(10)。抗反射薄膜(10)被形成为未覆盖图像检测部分(2)和外围区域之间的边界部分。每个抗反射薄膜(10)与栅电极(7)之间的间隙S1的距离和抗反射薄膜(10)与元件隔离区域(5)之间的间隙S2的距离优选等于或大于0.2μm。当抗反射薄膜(10)面积等于或大于图像检测部分(2)表面积的70％时，即使用于带有可互换镜头的照相机，也能抑制像素灵敏度的波动。